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Effect of collector bias current on the linearity of common-emitter BJT amplifiers
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作者 李琨 滕建辅 轩秀巍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期75-79,共5页
Using a Volterra series, an explicit formula is derived for the connection between input 3rd-order intercept point and collector bias current (IcQ) in a common-emitter bipolar junction transistor amplifier. The anal... Using a Volterra series, an explicit formula is derived for the connection between input 3rd-order intercept point and collector bias current (IcQ) in a common-emitter bipolar junction transistor amplifier. The analysis indicates that the larger/CQ is, the more linear the amplifier is. Furthermore, this has been verified by experiment. This study also integrates a method called dynamic bias current for expanding the dynamic range of an LNA (low noise amplifier) as an application of the analysis result obtained above. IMR3 (3rd-order intermodulation rate) is applied to evaluate the LNA's performance with and without adopting this method in this study. 展开更多
关键词 IIP3 collector bias current BJT dynamic bias current
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Influence of Frequency and Bias Current on Asymmetrical GMI Effect in Co_(71.8)Fe_(4.9)Nb_(0.8)Si_(7.5)B_(15) Amorphous Glass-Covered Wires
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作者 CHEN Zheng LI De-ren +1 位作者 LU Zhi-chao ZHOU Shao-xiong 《Journal of Iron and Steel Research International》 SCIE EI CAS CSCD 2008年第2期91-94,共4页
The Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15 amorphous glass-covered wires(AGCW)are prepared by the Taylor-Ulitovsky technique.The frequency dependence of asymmetrical giant magneto-impedance(AGMI)effect in amorphous glass-covere... The Co71.8Fe4.9Nb0.8Si7.5B15 amorphous glass-covered wires(AGCW)are prepared by the Taylor-Ulitovsky technique.The frequency dependence of asymmetrical giant magneto-impedance(AGMI)effect in amorphous glass-covered wires annealed by 70 mA DC current is here presented.The resistance R and the reactance X have been measured,respectively.The real part R and the imaginary part X of impedance play an important role at high frequency and low frequency,respectively.The influence of DC bias current from Ib=0 mA to Ib=5 mA at 30 MHz on the GMI effect in the glass-covered wires annealed by 70 mA DC current is investigated.The asymmetry becomes the largest around Ib=1 mA,and finally decreases for the larger bias current Ib=5 mA.The maximum ΔZ/Z ratio of 310% is observed at 58 MHz under 1 mA bias current. 展开更多
关键词 giant magneto-impedance amorphous wire bias current
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Bias Current Influence on the Characteristic of the Magnetic-controlled Switcher Type Fault Current Limiter
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作者 潘艳霞 姜建国 《Journal of Shanghai Jiaotong university(Science)》 EI 2009年第3期359-364,共6页
A novel magnetic-controlled switcher type fault current limiter (FCL) for high voltage electric network is presented. The current limiting principle of the FCL and the bias current influence on the characteristic of... A novel magnetic-controlled switcher type fault current limiter (FCL) for high voltage electric network is presented. The current limiting principle of the FCL and the bias current influence on the characteristic of the FCL axe discussed. The experiments on the 220 V/50 A test model show that the FCL can limit the fault current swiftly and effectively. Under the normal state, the bias current adjustment can change the FCL voltage loss; under the fault state, the steady fault current can be easily adjusted to the preset level by bias current regulating. The experimental result is in accordance with the principle analysis and the FCL has the advantages of flexible control strategy and simple and reliable structure. 展开更多
关键词 fault current limiter (FCL) bias current fault current power systems
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直流偏置型游标磁阻电机系统低开关频率交替箝位PWM策略
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作者 于子翔 张翔 +1 位作者 赵吉文 盘真保 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2024年第22期9048-9061,I0030,共15页
提出一种具有零序电流调节能力的直流偏置型游标磁阻电机(DC-biased vernier reluctance machine,DC-biased-VRM)系统低开关频率交替箝位脉宽调制(pulse width modulation,PWM)策略。DC-biased-VRM利用电枢绕组中附加的直流偏置电流来... 提出一种具有零序电流调节能力的直流偏置型游标磁阻电机(DC-biased vernier reluctance machine,DC-biased-VRM)系统低开关频率交替箝位脉宽调制(pulse width modulation,PWM)策略。DC-biased-VRM利用电枢绕组中附加的直流偏置电流来构建转子磁链,为调节直流偏置电流,采用开绕组逆变器提供零序电流通路。相比于传统三相逆变器,开关动作的次数增加了1倍,在调整直流偏置电流、降低开关损耗方面存在一定优化空间。针对以上改进需求,引入交替箝位控制方式,并提出重新配置的零电压矢量实现零序电压的实时调节,保证零序电流的调节能力。最后,通过样机实验验证提出策略的有效性。提出策略可以减少开关动作次数,保证逆变器的低开关损耗,为提高DC-biased-VRM驱动系统效率提供有效的解决方案。 展开更多
关键词 零序电流 直流偏置型游标磁阻电机 脉宽调制策略 交替箝位
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应用于睡眠定时器的纳瓦级功耗超低电压张弛振荡器
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作者 李振 王霖伟 +4 位作者 杨建行 朱建华 杨伟涛 周荣 刘术彬 《集成电路与嵌入式系统》 2024年第7期65-72,共8页
在物联网(IoT)系统中,为了节省功耗引入了电阻电容(RC)张弛振荡器。针对无补偿的传统RC振荡器频率容易受到电源和温度影响的问题,本文所采用的前向体偏置(Forward Body Biasing,FBB)技术降低了低电源电压数字缓冲器的温度漂移,进一步的... 在物联网(IoT)系统中,为了节省功耗引入了电阻电容(RC)张弛振荡器。针对无补偿的传统RC振荡器频率容易受到电源和温度影响的问题,本文所采用的前向体偏置(Forward Body Biasing,FBB)技术降低了低电源电压数字缓冲器的温度漂移,进一步的,本文同时利用亚阈区金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,简称MOS)泄漏电流补偿技术(Subthreshold Leakage Current,SLC)和泄漏电流抑制技术(Subthreshold Leakage Suppression,SLS)。相比于传统结构振荡器,温度稳定性提升了约38倍。本文基于65 nm CMOS工艺设计了一款RC张弛振荡器,在室温0.4 V的电源电压下,功耗为8.1 nW,工作频率为4.4 kHz,能量效率为1.84 nW/kHz。在-30~90℃的范围内,振荡器的温度稳定性为75.1 ppm/℃。 展开更多
关键词 电容电阻张弛振荡器 泄露电流补偿 前向体偏置 物联网
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A Subthreshold Low-Voltage Low-Phase-Noise CMOS LC-VCO with Resistive Biasing
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作者 Jungnam Bae Saichandrateja Radhapuram +2 位作者 Ikkyun Jo Takao Kihara Toshimasa Matsuoka 《Circuits and Systems》 2015年第5期136-142,共7页
This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconduct... This paper presents a low-phase-noise LC voltage-controlled oscillator (LC-VCO) with top resistive biasing in subthreshold region. The subthreshold LC-VCO has low-power and low-phase-noise due to its high transconductance efficiency and low gate bias condition. The top resistive biasing has more benefit with the feature of phase noise than MOS current source since it can support the low-noise characteristics and large output swing. The LC-VCO designed in 130-nm CMOS process with 0.7-V supply voltage achieves phase noise of -116 dBc/Hz at 200 kHz offset with tuning range of 398 MHz to 408 MHz covering medical implant communication service (MICS) band. 展开更多
关键词 VCO Resistive biasING current Source CMOS Integrated Circuit Phase Noise MICS Band
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Study on Earth Surface Potential and DC Current Distribution around DC Grounding Electrode 被引量:1
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作者 Zhi-chao Ren Chun-yan Ye Hai-yan Wang 《Energy and Power Engineering》 2013年第4期792-796,共5页
DC magnetic biasing problem,caused by the DC grounding electrode, threatened the safe operation of AC power grid. In this paper, the characteristics of the soil stratification near DC grounding electrode was researche... DC magnetic biasing problem,caused by the DC grounding electrode, threatened the safe operation of AC power grid. In this paper, the characteristics of the soil stratification near DC grounding electrode was researched. The AC-DC interconnected large-scale system model under the monopole operation mode was established. The earth surface potential and DC current distribution in various stations under the different surface thickness was calculated. Some useful conclusions are drawn from the analyzed results. 展开更多
关键词 DC GROUNDING ELECTRODE Magnetic biasING Soil STRATIFICATION Earth Surface Potential DC current DISTRIBUTION
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一种电流失配自适应补偿宽带锁相环设计 被引量:2
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作者 韦雪明 梁东梅 +2 位作者 谢镭僮 尹仁川 李力锋 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第6期500-505,526,共7页
针对宽带自偏置锁相环(PLL)中存在严重的电荷泵电流失配问题,提出了一种电流失配自适应补偿自偏置锁相环。锁相环通过放大并提取参考时钟与反馈时钟的锁定相位误差脉冲,利用误差脉冲作为误差判决电路的控制时钟,通过逐次逼近方法自适应... 针对宽带自偏置锁相环(PLL)中存在严重的电荷泵电流失配问题,提出了一种电流失配自适应补偿自偏置锁相环。锁相环通过放大并提取参考时钟与反馈时钟的锁定相位误差脉冲,利用误差脉冲作为误差判决电路的控制时钟,通过逐次逼近方法自适应控制补偿电流的大小,逐渐减小鉴相误差,从而减小了锁相环输出时钟信号抖动。锁相环基于40 nm CMOS工艺进行设计,后仿真结果表明,当输出时钟频率为5 GHz时,电荷泵输出噪声从-115.7 dBc/Hz@1 MHz降低至-117.7 dBc/Hz@1 MHz,均方根抖动从4.6 ps降低至1.6 ps,峰峰值抖动从10.3 ps降低至4.7 ps。锁相环输出时钟频率为2~5 GHz时,补偿电路具有良好的补偿效果。 展开更多
关键词 电荷泵失配电流 电流补偿 自适应控制 自偏置锁相环(PLL) 抖动
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一种低抖动电流模自偏置锁相环设计 被引量:1
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作者 曾勇 李海松 尹飞 《微电子学与计算机》 2023年第9期75-82,共8页
基于28 nm CMOS工艺,设计了一款新型电流模自偏置锁相环.重点分析了电荷泵、电压转电流(V-I)模块、电流型数模转换器(Digital to Analog Converter,DAC)及电流控制振荡器(Current-Controlled Oscillator,CCO)的电路设计和功能.采用电流... 基于28 nm CMOS工艺,设计了一款新型电流模自偏置锁相环.重点分析了电荷泵、电压转电流(V-I)模块、电流型数模转换器(Digital to Analog Converter,DAC)及电流控制振荡器(Current-Controlled Oscillator,CCO)的电路设计和功能.采用电流复制反馈偏置(Replica Feedback Bias)技术,实现了带宽自适应,利用可编程的DAC模块降低了输入范围对于系统稳定性的影响,消除分配范围对于环路稳定性的影响,利用前分频器进一步拓宽输入频率范围,实现了宽输入输出频率范围及低抖动电流模锁相环的设计.整体芯片面积为0.07462 mm^(2),采用双电源供电1.8 V/0.9 V,最大功耗为10 mW,输出频率为1 GHz~3.2 GHz.仿真测试结果表明,输入参考频率为50 MHz时,在2.1 GHz中心频率1 MHz频偏处的相位噪声为−98.18 dBc/Hz,rms抖动为1.914 ps. 展开更多
关键词 锁相环 自偏置 电流模 低抖动
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含磁偏置超导限流器的66/10 kV变电站的故障限流分析 被引量:3
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作者 何淼 郑楠 +2 位作者 诸嘉慧 孟庆丰 汪清山 《电力系统及其自动化学报》 CSCD 北大核心 2023年第6期99-105,共7页
配网系统短路电流越来越大,现有断路器即将超过遮断容量,给电网安全带来较大影响。针对此问题,利用双分裂电抗器反并联低阻抗特性和超导单元故障失超特性,提出一种具有二级逐级限流特征的磁偏置超导限流器。根据辽阳市某66/10 kV变电站... 配网系统短路电流越来越大,现有断路器即将超过遮断容量,给电网安全带来较大影响。针对此问题,利用双分裂电抗器反并联低阻抗特性和超导单元故障失超特性,提出一种具有二级逐级限流特征的磁偏置超导限流器。根据辽阳市某66/10 kV变电站线路参数,基于Matlab/Simulink建立含磁偏置超导故障限流器的系统仿真模型,进行限流仿真计算,获得磁偏置超导故障限流器限流效果的变化规律,以及在故障电流下的失超电阻和温度的变化规律,验证了磁偏置超导限流器原理的正确性。结果表明,磁偏置超导限流器在三相短路故障时电网电流限流率最大可达到19.68%,最大温度为123.7 K,失超恢复时间为32 ms,表明其具有限流响应迅速和失超恢复快的优势。 展开更多
关键词 磁偏置超导限流器 三相短路 变电站 限流率
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考虑短路电流非周期分量影响的磁偏置型超导故障限流器设计方法及其限流特性分析 被引量:1
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作者 李超 吴琪 +4 位作者 李斌 诸嘉慧 陈盼盼 韦德福 信赢 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2023年第12期4887-4896,共10页
随着电力负荷快速增长,电力系统的故障电流水平持续上升,甚至超出了现有断路器的开断能力;为有效限制故障电流,超导故障限流器(superconducting fault current limiter,SFCL)逐渐投入应用。SFCL在正常运行时呈现零阻抗,故障发生后迅速... 随着电力负荷快速增长,电力系统的故障电流水平持续上升,甚至超出了现有断路器的开断能力;为有效限制故障电流,超导故障限流器(superconducting fault current limiter,SFCL)逐渐投入应用。SFCL在正常运行时呈现零阻抗,故障发生后迅速转为高阻抗,可作为配合断路器开断的理想选择,提高电力系统的运行安全性。介绍了一种磁偏置型超导故障限流器(magneto-biased superconducting fault current limiter,MBSFCL),提出了考虑短路电流非周期分量影响的MBSFCL设计方法,对于MBSFCL的制造具有一定的指导意义。通过搭建仿真模型,验证了所提出方法的可行性,并对MBSFCL的限流特性进行了深入分析,讨论了不同非周期分量对断路器的开断影响,以及MBSFCL中电感、电阻参数变化对短路电流及其分量的限流效果影响。分析结果表明,在所提出MBSFCL设计方法中必须考虑非周期分量,且MBSFCL的电阻参数变化对短路电流的抑制效果更为显著。 展开更多
关键词 超导限流器 磁偏置 非周期分量 断路器 开断电流
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一款3~6.3 GHz增益可调的低噪声放大器设计
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作者 王金婵 彭欢庆 +2 位作者 樊云航 赵芃 张金灿 《中国电子科学研究院学报》 北大核心 2023年第9期786-793,共8页
针对无线接收机在对不同信号进行放大时,噪声恶化严重的问题,文中在驱动放大级采用电流复用技术,可以降低系统功耗,同时,在增益变化过程中保证了输入级增益对后级电路噪声的抑制作用,使得增益变化过程中,噪声始终低于1 dB。输入级和输... 针对无线接收机在对不同信号进行放大时,噪声恶化严重的问题,文中在驱动放大级采用电流复用技术,可以降低系统功耗,同时,在增益变化过程中保证了输入级增益对后级电路噪声的抑制作用,使得增益变化过程中,噪声始终低于1 dB。输入级和输出级阻抗匹配良好,在3 GHz~6.3 GHz的工作频段上可实现系统增益的连续可调范围约30 dB(19.6 dB~49.6 dB),同时通过采用两个控制电压分别控制两级放大电路,在增益变化过程中系统获得了良好的增益平坦度,版图尺寸为0.95×1.53 mm^(2)。在常规工作状态下,系统噪声为0.56±0.02 dB,增益为49.6±0.47 dB,功耗97 mW。在4.5 GHz频率处,系统的OP1dB为10.3 dBm,OIP3达到29 dBm,具有良好的线性度。 展开更多
关键词 低噪声放大器 可变增益 噪声抑制 电流复用 增益平坦度
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变压器直流偏磁在线监测系统在辽宁电网的应用
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作者 王茂军 刘齐 《东北电力技术》 2023年第2期11-14,共4页
分析辽宁电网变压器直流偏磁问题产生的原因及危害,并针对现场直流偏磁检测方法中存在的不足,结合智能运检建设需求,研发了一种变压器直流偏磁在线监测系统;目前该系统已经在辽宁徐家500 kV变电站得到应用,有效提升了该变电站2组主变压... 分析辽宁电网变压器直流偏磁问题产生的原因及危害,并针对现场直流偏磁检测方法中存在的不足,结合智能运检建设需求,研发了一种变压器直流偏磁在线监测系统;目前该系统已经在辽宁徐家500 kV变电站得到应用,有效提升了该变电站2组主变压器的运行可靠性。 展开更多
关键词 高压直流输电 变压器 直流偏磁 在线监测
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基于高摆率误差放大器的低功耗LDO设计
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作者 吴为清 黄继伟 《微电子学与计算机》 2023年第12期81-86,共6页
本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管... 本文设计了一种具有低静态电流的低压差线性稳压器(LDO).针对传统LDO在低静态电流下瞬态响应不足的问题,电路中的误差放大器采用两个共栅差分跨导单元交叉耦合连接进行设计,提高其压摆率;利用体偏置运放改变功率管的阈值电压实现功率管在不同负载的快速切换;同时采用动态偏置对电路进行偏置减少过欠冲值.电路采用台积电(TSMC)0.18µm互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺进行设计,版图核心面积为220µm×140µm.仿真结果表明,该LDO在最小负载电流与最大负载电容的组合下相位裕度达到100度,消耗的静态电流仅为849 nA.当负载电流在500 ns时间内从100µA到100 mA进行切换时,电路表现出良好的瞬态响应,其中过冲电压为220 mV,欠冲电压为225 mV.经过计算,品质因数(FOM)值为0.198 mV. 展开更多
关键词 共栅差分跨导单元 低压差线性稳压器 体偏置运放 动态偏置 低静态电流 FOM
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ISM Band Medium Power Amplifier 被引量:1
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作者 白大夫 刘训春 +1 位作者 袁志鹏 钱永学 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期626-632,共7页
With the large-signal model extracted from the InGaP/GaAs HBT with three fingers,a three-stage,class AB power amplifier at ISM band is designed.Through the optimization of the traditional bias network,the gain compres... With the large-signal model extracted from the InGaP/GaAs HBT with three fingers,a three-stage,class AB power amplifier at ISM band is designed.Through the optimization of the traditional bias network,the gain compression at the low input power level is eliminated successfully.At 3.5V of supply voltage of the power amplifier after optimization exhibits 30dBm of maximum linear output power,43.4% of power added efficiency 109.7mA of a quite low quiescent bias current ,29.1dB of the corresponding gain,and -100dBc of the adjacent channel power rejection (ACPR) at the output power of 30dBm. 展开更多
关键词 heterojunction bipolar transistor power amplifier bias network gain compression quiescent bias current
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低杂散锁相环中的电荷泵设计 被引量:11
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作者 薛红 李智群 +2 位作者 王志功 李伟 章丽 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第12期1988-1992,共5页
用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆... 用TSMC0.18μm CMOS工艺设计并实现了一种电荷泵电路,传统的电荷泵电路中充放电电流有较大的电流失配,电流失配导致相位偏差,从而引起杂散并降低了锁相环的锁定范围,文中采用与电源无关的基准电流源电路,运用运算放大器和自偏置高摆幅共源共栅电流镜电路实现了充放电电流的高度匹配,从而降低了杂散。测试结果表明:电源电压1.8V时,电荷泵电流为0.475mA,在0.3-1.6V输出电压范围内电流失配小于10mA,功耗为6.8mW。 展开更多
关键词 参考杂散 电流火配 电荷泵 运算放大器 自偏置电流镜
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特高压变压器直流偏磁空载电流实时计算 被引量:10
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作者 王泽忠 邓涛 +2 位作者 谭瑞娟 杨箫箫 刘连光 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第1期218-225,共8页
通过获取特高压(UHV)变压器的电感一电流曲线和偏磁情况下空载电流峰值一直流偏磁电流曲线,提出了一种特高压变压器直流偏磁空载电流实时计算方法,与直接用场一路耦合法的计算结果对比,验证了该实时计算模型的准确性;通过选取最... 通过获取特高压(UHV)变压器的电感一电流曲线和偏磁情况下空载电流峰值一直流偏磁电流曲线,提出了一种特高压变压器直流偏磁空载电流实时计算方法,与直接用场一路耦合法的计算结果对比,验证了该实时计算模型的准确性;通过选取最优迭代算法和变步长策略,提升该模型计算的效率和实时性;由任意偏置量的直流数据,实现在ms级的时间内得到该直流偏置对应的电流波形。结果表明该特高压变压器直流偏磁空载电流实时计算模型计算速度快,计算准确性高,在变压器直流偏磁电气参数扰动在线评估、防止保护拒动或误动和保障其他电气设备安全运行等方面具有广泛的应用前景。 展开更多
关键词 特高压变压器 直流偏磁 电感-电流曲线 空载电流峰值-直流偏磁电流曲线 实时计算 变步长 在线评估
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一种新型滤波用直流电抗器的原理与设计 被引量:5
18
作者 徐之文 宋立伟 +1 位作者 邱瑞鑫 赵勇智 《电气传动》 北大核心 2006年第10期26-28,共3页
普通的直流电抗器体积和重量较大,严重制约着开关电源的小型化,并且线圈中所通过的电流是单方向的直流电流,随着线圈电流的增加,铁心的磁通密度逐渐趋向饱和,如果在磁路上加一个直流偏置,就会减小磁路上总的磁势,降低铁心中磁通密度的... 普通的直流电抗器体积和重量较大,严重制约着开关电源的小型化,并且线圈中所通过的电流是单方向的直流电流,随着线圈电流的增加,铁心的磁通密度逐渐趋向饱和,如果在磁路上加一个直流偏置,就会减小磁路上总的磁势,降低铁心中磁通密度的饱和程度。阐述了永磁偏置直流电抗器的工作原理,对该电抗器的磁路进行了线性解析与设计,并通过实验进行了验证。 展开更多
关键词 永磁偏置 直流电抗器 原理 设计
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考虑漏磁效应的永磁饱和型故障限流器磁路建模与实验研究 被引量:24
19
作者 邹亮 李庆民 +2 位作者 许家响 张黎 娄杰 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2012年第21期137-145,共9页
漏磁效应对永磁饱和型故障限流器(permanent-magnet-biased saturation based fault current limiter,PMFCL)的动态特性具有重要影响。针对一种直线式PMFCL的磁拓扑,以铁心磁通的工作零点作为分界阐明了其2个阶段的限流机理,指出铁心磁... 漏磁效应对永磁饱和型故障限流器(permanent-magnet-biased saturation based fault current limiter,PMFCL)的动态特性具有重要影响。针对一种直线式PMFCL的磁拓扑,以铁心磁通的工作零点作为分界阐明了其2个阶段的限流机理,指出铁心磁通自过零反向后将发生畸变,永磁体不再参与限流过程。基于磁场分割原理实现2类等效磁路模型中总漏磁导和漏磁系数的计算,针对拟圆环截面磁通管的漏磁导,提出基于曲线拟合而改变积分变量的求解方法。在Matlab/Simulink环境下建立了考虑漏磁效应的PMFCL仿真模型,分别与小电流和大电流工况的实验结果进行对比,验证了建模方法的有效性。 展开更多
关键词 永磁饱和型故障限流器 漏磁效应 磁场分割 曲线拟合 等效建模
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永磁饱和型故障限流器的高压大容量化分析 被引量:9
20
作者 邹亮 李庆民 +1 位作者 刘洪顺 W.H.Siew 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期2568-2574,共7页
为提高永磁体的偏置能力以利永磁饱和型故障限流器朝高压大容量发展,从温度和外磁场两方面分析了钕铁硼永磁体的稳定性问题,论证了其应用到该限流器的可行性;提出"饱和深度比"的定义,指出改善永磁体的偏置能力与提高铁心的饱... 为提高永磁体的偏置能力以利永磁饱和型故障限流器朝高压大容量发展,从温度和外磁场两方面分析了钕铁硼永磁体的稳定性问题,论证了其应用到该限流器的可行性;提出"饱和深度比"的定义,指出改善永磁体的偏置能力与提高铁心的饱和深度比等价;基于一种结构参数可调的永磁饱和型故障限流器拓扑,分析了限流器结构参数与铁心饱和深度比的数量关系,并通过有限元法仿真以及实验加以验证;最后给出了10kV等级永磁饱和型故障限流器的一个设计实例。仿真与实验结果均表明,增加永磁体的厚度与截面积可获得较优的偏置能力,实现永磁饱和型故障限流器的高压大容量化在技术上是可行的。 展开更多
关键词 永磁饱和型故障限流器 稳定性 饱和深度比 高压大容量 有限元法 仿真 实验
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