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多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用
被引量:
1
1
作者
沈怿皓
张润曦
+4 位作者
张炜杰
陈亦灏
李勇
景一欧
赖宗声
《电子器件》
CAS
2008年第4期1150-1154,共5页
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多...
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路。流片采用UMC0.18μmRF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性。
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关键词
CMOS射频集成电路
双曲正切法则
线性度
混频器
下载PDF
职称材料
题名
多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用
被引量:
1
1
作者
沈怿皓
张润曦
张炜杰
陈亦灏
李勇
景一欧
赖宗声
机构
华东师范大学微电子电路与系统研究所
出处
《电子器件》
CAS
2008年第4期1150-1154,共5页
基金
上海市科委项目资助(AM-06SA14)
江苏省ASIC设计重点实验室资助(JSICK0601)
上海市科委基金项目资助(AM07SA04)
文摘
研究了CMOS电路中多双曲正切法则的应用对线性度产生的影响。分析并推导了两种非平衡差分对结构的差分输出电流和等效跨导的公式。给出了电路线性度最优时,多补偿偏置结构的补偿偏置电压VK的表达式。基于理论分析结果,设计了一个应用多双曲正切法则的CMOS吉尔伯特混频器电路。流片采用UMC0.18μmRF-CMOS工艺,经过测量,所得到的参数与理论分析及仿真值吻合,证明了理论分析的可行性。
关键词
CMOS射频集成电路
双曲正切法则
线性度
混频器
Keywords
CMOS RF IC
multi-tanh principle: linearitv
mixer
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
多双曲正切法则在高线性度CMOS混频器设计中的分析与应用
沈怿皓
张润曦
张炜杰
陈亦灏
李勇
景一欧
赖宗声
《电子器件》
CAS
2008
1
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职称材料
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参考文献
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