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考虑温度效应的MWCNT填充TSV的电模型与特性分析
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作者 苏晋荣 陈雪 张文梅 《中国科技论文》 CAS 北大核心 2016年第14期1632-1636,共5页
将温度效应考虑在内,建立了一对填充多壁碳纳米管的硅过孔阻抗模型,利用该模型计算了一对硅过孔的正向传输系数S21、串扰及延时等物理量,并分析了这些物理量随温度、TSV(Through Silicon Via)结构及材料参数的变化。结果表明,衬底电导... 将温度效应考虑在内,建立了一对填充多壁碳纳米管的硅过孔阻抗模型,利用该模型计算了一对硅过孔的正向传输系数S21、串扰及延时等物理量,并分析了这些物理量随温度、TSV(Through Silicon Via)结构及材料参数的变化。结果表明,衬底电导的温度效应是影响S21参数温度特性的主要原因;降低隔离层介电常数或增加隔离层厚度,可以减小插入损耗,降低串扰和延时,提升传输性能;适当增加节距可以减小60GHz频率以下的插入损耗;增加MWCNT(Multi-walled Carbon Nanotubes)最外层直径能够提升TSV等效电导率,但对减少插损效果甚微。 展开更多
关键词 微电子学与固体电子学 多壁碳纳米管 硅过孔 正向传输系数 串扰 延时
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