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太赫兹Si/SiGe量子级联激光器的能带设计 被引量：4
1
作者 林桂江 赖虹凯 +2 位作者 李成 陈松岩 余金中 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期916-920,共5页
使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利... 使用nextnano^3模拟软件计算Si／Si1-xGex／Si量子阱的能带结构，对Si／SiGe量子级联激光器有源区的能带结构进行设计，结果表明使用Ge组分为0．27～0．3，量子阱宽度为3nm的SiGe合金与垒宽为3nm的Si层构成对称应变级联异质结构，有利于优化THz Si／SiGe量子级联激光器结构。 展开更多
关键词 SI/SIGE 量子级联激光器 子带阱间跃迁 nextnano^3
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