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DDQ as an effective p-type dopant for the hole-transport material X1 and its application in stable solid-state dye-sensitized solar cells
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作者 Yanyun Zhang Xichuan Yang +2 位作者 Weihan Wang Xiuna Wang Licheng Sun 《Journal of Energy Chemistry》 SCIE EI CAS CSCD 2018年第2期413-418,共6页
X1(Me O-TPD) is an inexpensive and easily synthesized π-conjugated molecule that has been used as a hole-transport material(HTM) in solid-state dye-sensitized solar cells(ssDSSCs), achieving relatively high efficienc... X1(Me O-TPD) is an inexpensive and easily synthesized π-conjugated molecule that has been used as a hole-transport material(HTM) in solid-state dye-sensitized solar cells(ssDSSCs), achieving relatively high efficiency. In this paper, we characterize the physicochemical properties of 2,3-dichloro-5,6-dicyano-1,4-benzoquinone(DDQ) and show that it is a promising p-dopant in a spin-coating solution with X1 as the HTM. The doped ssDSSCs showed an increase in short-circuit current density from 5.38 mA cm^(-2) to7.39 mA cm^(-2), and their overall power conversion efficiency increased from 2.9% to 4.3%. Also, ssDSSCs with DDQ-doped X1 were more stable than the undoped samples, demonstrating that DDQ can act as a p-type dopant in X1 as an HTM for highly efficient, stable ssDSSCs. 展开更多
关键词 太阳能电池 敏化染料 DDQ 掺杂物 材料 运输 固态 类型
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MOCVD生长GaAs高质量掺碳研究 被引量:3
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作者 李宝霞 汪韬 +2 位作者 李晓婷 赛小锋 高鸿楷 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第2期249-252,共4页
利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaIn... 利用低压金属有机化合物汽相淀积 (LP -MOCVD)系统 ,通过调节生长参量和掺杂工艺 ,得到了晶格质量高、表面形貌好且空穴浓度从 8× 10 17到 4× 10 2 1可控的掺碳GaAs外延层 ,最后给出一应用实例—用重掺碳的GaAs材料做级联GaInP/GaAs/Ge太阳能电池的隧道结 . 展开更多
关键词 GAAS 碳掺杂 GaAs隧道结
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Na^+掺杂ZnO薄膜的结构和电学性能 被引量:2
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作者 李英伟 林春芳 +1 位作者 周晓 朱兴文 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2007年第8期15-18,48,共5页
以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L。研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及... 以醋酸锌为溶质、碳酸钠为钠源,采用溶胶-凝胶法在Si〈100〉衬底上制备了钠掺杂ZnO薄膜,掺杂浓度分别为0,0.018,0.036,0.045,0.063和0.09 mol/L。研究了钠掺杂后ZnO晶胞尺寸和表面形貌的变化规律,用霍尔效应仪测试了试样的载流子浓度及导电类型,分析了材料的拉曼光谱与试样内部缺陷浓度的关系。结果表明:Na+离子可进入ZnO晶格取代Zn2+,导致晶胞变大,同时ZnO薄膜由n-型转变为p-型导电;当Na+掺杂浓度达0.045 mol/L时,其电阻率为75.7Ω.cm,空穴浓度2.955×1017/cm3。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 Na^+掺杂 p-型导电 溶胶-凝胶法
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Hole and/or Electron Mediated Ferromagnetism in Diluted Magnetic Semiconductor?
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作者 Dang Duc Dung Nguyen Thi Mua +1 位作者 Nguyen Van Quyet Sunglae Cho 《材料科学与工程(中英文B版)》 2012年第4期317-323,共7页
关键词 自旋电子材料 稀磁半导体 铁磁性 介导 MN掺杂 居里温度 掺杂浓度 理论预测
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Effect of Annealing Temperature on Structural and Optical Properties of N-Doped ZnO Films
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作者 钟声 张伟英 +2 位作者 邬小鹏 林碧霞 傅竹西 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2008年第7期2585-2587,共3页
做氮的 ZnO (ZnO : N ) 电影被劈啪作响的 Zn3N2 层的热氧化在 Al2O3 底层上准备。在 ZnO 的结构、光的性质之间的关联: N 电影和退火的温度被调查。X 光检查衍射结果证明同样劈啪作响的 Zn3N2 电影被转变成 ZnO : 在在 600 度 C 上面... 做氮的 ZnO (ZnO : N ) 电影被劈啪作响的 Zn3N2 层的热氧化在 Al2O3 底层上准备。在 ZnO 的结构、光的性质之间的关联: N 电影和退火的温度被调查。X 光检查衍射结果证明同样劈啪作响的 Zn3N2 电影被转变成 ZnO : 在在 600 度 C 上面退火以后的 N 电影。X 光检查光电子光谱学表明那氮在 ZnO 有二个化学状态: N 电影:没有领受人和双施主(N-2 ) o。由于没有领受人,在这部电影的洞集中在 700 度 C 退火了被预言最高,它被霍尔效果测量也证实。另外,温度依赖者光致发光系列允许计算氮领受人绑定精力。 展开更多
关键词 退火温度 光学性质 氧化锌 薄膜
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自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜的发光特性 被引量:4
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作者 傅广生 孙伟 +3 位作者 吕雪芹 王春生 尹志会 于威 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期549-551,共3页
采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜,对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明,二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征,自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出... 采用螺旋波等离子体辅助溅射技术制备了自然掺杂及N-Al共掺杂ZnO薄膜,对两种不同类型掺杂薄膜的低温光致发光(PL)特性进行了研究。实验结果表明,二者均呈现出了较强的与受主能级相关的发光特征,自然掺杂薄膜的光致发光谱在404.0 nm处出现了由于锌空位产生的近带边发光,N-Al共掺杂薄膜的光致发光谱在383.0 nm处出现了N作为受主的施主-受主对(DAP)跃迁发光。两种薄膜的发光特性比较分析表明,N-Al共掺杂技术能够有效提高N的固溶度,N受主能级密度增加使薄膜表现出较强的施主-受主对跃迁发光,表明该技术为实现p型ZnO薄膜制备的有效方法。 展开更多
关键词 薄膜 P型ZnO发光特征 光致发光 掺杂技术
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