期刊文献+
共找到68篇文章
< 1 2 4 >
每页显示 20 50 100
Thin Film Chip Resistors with High Resistance and Low Temperature Coefficient of Resistance 被引量:5
1
作者 王秀宇 张之圣 +1 位作者 白天 刘仲娥 《Transactions of Tianjin University》 EI CAS 2010年第5期348-353,共6页
High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than... High resistance thin film chip resistors(0603 type) were studied,and the specifications are as follows:1 k? with tolerance about ±0.1% after laser trimming and temperature coefficient of resistance(TCR) less than ±15×10-6/℃.Cr-Si-Ta-Al films were prepared with Ar flow rate and sputtering power fixed at 20 standard-state cubic centimeter per minute(sccm) and 100 W,respectively.The experiment shows that the electrical properties of Cr-SiTa-Al deposition films can meet the specification requirements of 0603 ty... 展开更多
关键词 thin film chip resistor high resistance low temperature coefficient of resistance alloy target magnetic sputtering Cr-Si-Ta-Al film
下载PDF
基于石英薄膜工艺的D波段固定衰减器设计及实现
2
作者 宗原 杨笔帆 +2 位作者 成海峰 赵亮 郭健 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期295-301,共7页
薄膜电阻具有较为精确的电阻值,可用于微波固定衰减器设计。然而随着工作频率的升高,薄膜电阻的寄生参数随之增大,影响固定衰减器的衰减精度及回波性能。本文基于传统微波频段薄膜电阻等效电路模型,提出了一种十四元件等效电路模型。采... 薄膜电阻具有较为精确的电阻值,可用于微波固定衰减器设计。然而随着工作频率的升高,薄膜电阻的寄生参数随之增大,影响固定衰减器的衰减精度及回波性能。本文基于传统微波频段薄膜电阻等效电路模型,提出了一种十四元件等效电路模型。采用Ansys HFSS软件对薄膜电阻进行三维电磁场仿真并提取其S参数,通过S参数曲线拟合,最终确定各元件参数值。仿真结果表明,该等效电路模型在0.1~180.0 GHz可有效表征薄膜电阻的电气特性。在此基础上,采用石英薄膜工艺研制了三款不同衰减值的D波段(110~170 GHz)固定衰减器,并通过在片匹配电路补偿键合金丝和薄膜电阻寄生参量的影响。此外,还设计了波导-微带转换电路,将微带模式转换为标准波导模式进行衰减器性能的测量。测试结果表明,在110~170 GHz频带内,3 dB衰减器的衰减典型值为4 dB,回波损耗大于13.3 dB;6 dB衰减器的衰减典型值为5.5 dB,回波损耗大于11.4 dB;9 dB衰减器的衰减典型值为8 dB,回波损耗大于11.4 dB。研制的固定衰减器可将现有固定衰减器的工作频率拓宽至110 GHz以上,用于信号功率调节及改善器件级间回波的影响。 展开更多
关键词 太赫兹 固定衰减器 石英薄膜工艺 薄膜电阻 等效电路模型
原文传递
一种32MHz低温漂高精度张弛型振荡器的设计
3
作者 梁国辉 《集成电路应用》 2024年第6期6-7,共2页
阐述基于0.18μmCMOS工艺设计的一种低温漂张弛型振荡器。该张弛型振荡器在使用平均周期反馈控制的基础上采用金属薄膜电阻和金属-绝缘体-金属电容作为振荡单元,可以实现温度从-40~125℃变化时1%的频率漂移。
关键词 张弛型振荡器 高精度 低温漂 金属薄膜电阻
下载PDF
氧化铂、钛过渡层对铂薄膜温度传感器性能的影响 被引量:1
4
作者 吕振杰 庞雅文 +2 位作者 杨伸勇 高向向 张丛春 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2023年第10期9-12,20,共5页
铂(Pt)薄膜电阻具有体积小、结构简单、电阻温度系数(TCR)高和响应速度快的优点,结合MEMS技术可以实现发动机叶片温度的检测,但纯Pt与衬底之间的结合力较差,易导致薄膜失效。采用磁控溅射分别制备了氧化铂(Pt_(x)O_(y))和钛(Ti)过渡层... 铂(Pt)薄膜电阻具有体积小、结构简单、电阻温度系数(TCR)高和响应速度快的优点,结合MEMS技术可以实现发动机叶片温度的检测,但纯Pt与衬底之间的结合力较差,易导致薄膜失效。采用磁控溅射分别制备了氧化铂(Pt_(x)O_(y))和钛(Ti)过渡层的Pt薄膜电阻,分析了不同过渡层在不同温度(800,900,1000℃)下退火的微观形貌和电学性能,并分别测试了2种Pt电阻在900℃和1000℃下的稳定性。结果表明:1000℃退火的Pt/Pt_(x)O_(y)薄膜电阻的TCR值最大,达到了3434×10^(-6)/℃,Pt/Pt_(x)O_(y)薄膜电阻的电学性能优于Pt/Ti薄膜电阻,综合分析,900℃退火的Pt/Pt_(x)O_(y)薄膜电阻性能最优。 展开更多
关键词 磁控溅射 铂薄膜电阻 过渡层 退火温度 温度传感器
下载PDF
基于薄膜电阻加载的宽带电场探头工艺的实现
5
作者 曹乾涛 孙佳文 贾定宏 《电子工艺技术》 2023年第5期12-14,24,共4页
基于分布式薄膜电阻加载的电场探头,可实现电场辐射的高灵敏度低失真宽带电场辐射检测。基于薄膜混合集成电路工艺,在Al_(2)O_(3)陶瓷上使用8~12Ω/TaN薄膜用来制作电场探头天线,使用200~300Ω/TaN薄膜用来制作分布式低通滤波器及高阻... 基于分布式薄膜电阻加载的电场探头,可实现电场辐射的高灵敏度低失真宽带电场辐射检测。基于薄膜混合集成电路工艺,在Al_(2)O_(3)陶瓷上使用8~12Ω/TaN薄膜用来制作电场探头天线,使用200~300Ω/TaN薄膜用来制作分布式低通滤波器及高阻传输线。通过沉积TiW/Au薄膜作为光刻蚀硬掩膜,经过多次套刻对准,将两种方阻TaN材料薄膜电阻分别进行保护或隔离,有效实现了TaN材料两种方阻电阻薄膜互连,最终将制作的陶瓷薄膜电路与检波二极管微组装成3 MHz~18 GHz及100 MHz~60 GHz电场探头,动态范围为0.5~650 V/m,实现了电场辐射超宽带高灵敏度感知。 展开更多
关键词 电场探头 薄膜混合电路集成工艺 TaN薄膜 电阻薄膜互连
下载PDF
6~18GHz超宽带微带均衡器设计与实现 被引量:9
6
作者 刘亚男 何庆国 +1 位作者 郝金中 王抗旱 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期23-26,共4页
6~18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6~18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频... 6~18GHz超宽带微波组件幅频特性起伏比较大,采用幅度均衡器可有效改善增益平坦度,使其满足指标要求。根据谐振理论和传输线理论进行了6~18GHz超宽带微带幅度均衡器设计。利用ADS和HFSS仿真,采用λ/4的开路微带线和薄膜电阻构成谐振频率可调、品质因数可调、带宽可调以及均衡量可调的谐振单元,同时增加适当的调节块对谐振频率进行微调,设计出满足指标要求的小尺寸样件,得到了所需的均衡曲线。实验表明,可以在这个频段上高效、准确、灵活地设计出所需均衡器。 展开更多
关键词 幅度均衡器 品质因数 薄膜电阻 谐振器 微带
下载PDF
Pt薄膜热敏电阻工艺研究 被引量:10
7
作者 温宇峰 祖光裕 +2 位作者 胡明 张之圣 刘志刚 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2002年第9期9-10,共2页
本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好... 本项研究目的是制作微型高精度铂薄膜热敏电阻器与集成电路配合,用于工业和科研中温度的精确测量。用高纯铂板作靶材,在玻璃基板上采用磁控溅射方法,制备成Pt薄膜热敏电阻,并在两端制作纯金电极。经测试表明,该Pt薄膜热敏电阻具备良好的线性度和灵敏度,电阻温度系数达到(或接近)3 850 ?06℃1。本工艺条件稳定,适合批量生产。 展开更多
关键词 铂薄膜热敏电阻 磁控溅射 基片 电阻温度系数
下载PDF
低温度系数的CrSi薄膜电阻的制备工艺 被引量:5
8
作者 王飞 陈俊 +4 位作者 王学毅 常小宇 冉明 杨永晖 杨伟 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期355-359,共5页
采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶... 采用磁控溅射法制备低温度系数CrSi薄膜电阻,研究了制备过程中溅射条件对CrSi薄膜电阻温度系数的影响,包括溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量。这些条件通过改变CrSi薄膜这种不连续金属薄膜中的晶粒大小和晶粒间距,进而影响CrSi薄膜电阻的电阻率。通过优化溅射功率、衬底加热温度、工艺气体体积流量和反应气体体积流量,得到合适的晶粒大小和晶粒间距,从而得到电阻温度系数为-3.88×10-6/℃的CrSi薄膜,为CrSi薄膜电阻的集成应用提供了工艺基础。 展开更多
关键词 磁控溅射 CrSi薄膜电阻 温度系数 溅射条件 电阻率
原文传递
数字化微喷射技术制备聚合物薄膜电阻 被引量:4
9
作者 杨利军 陆宝春 +2 位作者 朱晓阳 朱丽 王洪成 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1598-1604,共7页
开展了微流体数字化技术制备聚合物薄膜电阻的研究。搭建了聚合物薄膜电阻按需喷射制备系统,将聚乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)聚合物以13.4%的最佳重叠率,按需喷射到RC(Resin-Coating)相纸表面,由聚合物液滴形成的薄膜在... 开展了微流体数字化技术制备聚合物薄膜电阻的研究。搭建了聚合物薄膜电阻按需喷射制备系统,将聚乙撑二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸(PEDOT/PSS)聚合物以13.4%的最佳重叠率,按需喷射到RC(Resin-Coating)相纸表面,由聚合物液滴形成的薄膜在相纸表面毛细作用下迅速干燥形成薄膜电阻,并通过退火处理进一步降低薄膜电阻的阻值。实验研究了系统参量对聚合物液滴直径的影响,并通过改变薄膜电阻的行数、列数和层数以及退火处理的条件,制备了阻值为3.5∽23.2 MΩ的薄膜电阻。实验显示薄膜电阻阻值和行数近似线性关系,并且随着制备列数和层数的增大而减小,退火处理可以使薄膜电阻的阻值降低10%∽40%。以相同制备参数和退火条件制备的薄膜电阻具有较好的一致性,薄膜电阻的阻值随温度的升高而减小并趋于稳定。实验结果表明,基于微流体数字化技术制备聚合物薄膜电阻具有工艺简单、成本低廉、电阻电学性能优越等优点。 展开更多
关键词 聚合物薄膜电阻 微流体数字化 按需喷射 RC相纸 重叠率
下载PDF
真空感应熔炼靶材磁控溅射生产高阻值薄膜电阻器 被引量:3
10
作者 毛大立 王家敏 +3 位作者 张澜庭 毛立忠 吴建生 王绪亭 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期260-263,共4页
介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材,并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法,以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明,这种用真空感应熔炼方法生产的靶材,完全能用于... 介绍了用真空感应熔炼方法生产用于高阻值薄膜电阻器的磁控溅射靶材,并报告了用这种靶材进行薄膜电阻器生产的溅射工艺参数和热处理方法,以及电阻器的电学性能测试结果。实际生产表明,这种用真空感应熔炼方法生产的靶材,完全能用于薄膜电阻器的磁控溅射并能得到满意的薄膜电阻器的性能指标。 展开更多
关键词 电阻器 真空感应熔炼 靶材 磁控 薄膜电阻器
下载PDF
DC-18GHz微波功率薄膜电阻器的设计及制作 被引量:5
11
作者 司旭 张万里 +3 位作者 蒋洪川 彭斌 王超杰 李言荣 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第1期74-77,共4页
设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,... 设计并仿真了频率范围为DC-18GHz,功率负载为20W的微波功率薄膜电阻器,根据仿真结果,采用反应磁控溅射法制备了TaN微波功率薄膜电阻器。仿真结果表明,所设计的薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比均小于1.2,加载20W微波功率时,薄膜电阻器表面的最高温度为108℃。实验结果表明,所制备的TaN薄膜电阻器在DC-18GHz频率范围内,电压驻波比小于1.25;加载20W直流功率96小时,电阻器的阻值变化小于2%,表面最高温度为105℃;在25-125℃温度范围内电阻器的温度电阻系数为-40ppm/℃。 展开更多
关键词 薄膜电阻器 驻波比 TaN薄膜
原文传递
氮气流量对C、N共掺杂NiCr合金薄膜微观结构和电性能的影响 被引量:6
12
作者 赖莉飞 王金霞 鲍明东 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第12期131-139,共9页
目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮... 目的提高埋入式薄膜电阻材料的电性能,使其具有较大的方阻值、电阻率和较小的电阻温度系数。方法利用闭合磁场非平衡反应磁控溅射技术,制备C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。以前期优化后的溅射参数作为基本实验条件,通过改变氮气流量,分别在铜箔基底和参照基底载玻片上,沉积C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料。用扫描电子显微镜(SEM)和白光干涉仪表征薄膜的表面形貌,用X射线衍射仪(XRD)表征薄膜的微观结构,用X射线光电子能谱仪(XPS)、X射线能量散射谱仪(EDS)测试薄膜的成分,用表面轮廓仪测膜厚,用拉曼光谱仪分析薄膜中的C元素,用四探针测量系统测试埋阻的方阻值和热稳定性。结果随着氮气流量的增加,薄膜的衍射峰减弱,非晶化程度增强;当氮气流量为15 mL/min时,薄膜能获得较小的电阻温度系数和较大电阻率,此时薄膜的电阻温度系数范围为0≤TCRNiCrCN≤1.663×10^-4K^-1,电阻率可达到2.2970×10^-3Ω·cm。结论反应溅射中产生的中间相Cr2N和CN对薄膜的电阻率和方阻值有影响,C、N共掺杂NiCr合金埋入式薄膜电阻材料的电性能优于NiCr合金薄膜和C掺杂NiCr合金薄膜电阻材料。 展开更多
关键词 C、N共掺杂NiCr合金薄膜 埋入式薄膜电阻 磁控溅射 微观结构 电性能
下载PDF
镍铬薄膜电阻器噪声特性研究 被引量:2
13
作者 吴勇 杜磊 +2 位作者 庄奕琪 魏文彦 仵建平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期55-58,65,共5页
薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理... 薄膜电阻器的低频噪声有别于常规电阻器的噪声特征,与其结构和工艺密切相关。通过溅射工艺生产的阻值为1.5k?镍铬薄膜电阻器分别在生产完成和1000h老化试验之后进行了低频噪声测量和分析得到器件低频噪声特征,结合电子元器件低频噪声理论探讨了器件中各种噪声成分的来源及产生机制并给出该镍铬薄膜电阻生产线降低噪声的工艺手段。并讨论了电迁移损伤对1/f噪声特征的影响,指出噪声的异常波动对电迁移损伤具有明确的指示作用。 展开更多
关键词 电子技术 镍铬薄膜电阻 低频噪声 1/f噪声 G-R噪声 噪声来源 电迁移
下载PDF
高于室温环境的热式气体微流量传感器性能分析 被引量:4
14
作者 李伟 李杰超 闫卫平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期160-164,共5页
为了探索平板微热管的传热特性,了解微热管内不同温度区间的蒸汽传输特性,开展了热式气体微流量传感器及其检测系统的设计。设计了一种便于探索最佳温度测量点的热式微流量传感器结构,利用MEMS工艺进行加工制作,在不同环境温度下对其性... 为了探索平板微热管的传热特性,了解微热管内不同温度区间的蒸汽传输特性,开展了热式气体微流量传感器及其检测系统的设计。设计了一种便于探索最佳温度测量点的热式微流量传感器结构,利用MEMS工艺进行加工制作,在不同环境温度下对其性能进行了测试,得到了环境温度与热式微流量传感器性能的关系。基于MSP430单片机和C#语言自主开发了流量传感器检测系统,可对一定范围内的流量进行实时检测,并实时绘制流速随时间的变化曲线。研究表明,采用本文设计的热式微流量传感器结构,可以检测高于室温环境下的微流量气体,并可通过提高加热器温度或改变测温电阻对的测量位置来提高测量灵敏度。 展开更多
关键词 热式气体微流量传感器 Pt薄膜电阻 流量检测系统 高于室温环境
下载PDF
薄膜电阻器用磁控溅射高阻靶材 被引量:3
15
作者 张之圣 白天 王秀宇 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2009年第4期525-527,共3页
在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因S... 在用磁控溅射技术制备金属膜电阻器的生产过程中,靶材非常关键,它制约着金属膜电阻器的精度、可靠性、稳定性和电阻温度系数等性能。根据理论分析,提出了高稳定性的高阻靶材的最佳成分比例。自行设计了熔炼模壳及冷却方法,有效解决了因Si元素的脆性而引发的靶材开裂问题。溅射的金属膜电阻器,其高温储存试验、寿命试验、耐湿试验均达到了国家有关标准。 展开更多
关键词 金属膜电阻器 溅射靶材 熔炼技术
下载PDF
MEMS微波/毫米波TaN薄膜负载电阻的设计与实现 被引量:3
16
作者 李倩 汪蔚 +1 位作者 杨拥军 杨志 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第5期336-341,共6页
开展了一种基于MEMS工艺的微波/毫米波薄膜负载电阻的结构设计和工艺实现,该负载电阻选择TaN作为薄膜材料,高阻硅为基底材料,仿真设计并优化了三种新型结构,给出了一套MEMS TaN薄膜负载电阻制备的工艺流程,并针对该工艺流程方案进行了... 开展了一种基于MEMS工艺的微波/毫米波薄膜负载电阻的结构设计和工艺实现,该负载电阻选择TaN作为薄膜材料,高阻硅为基底材料,仿真设计并优化了三种新型结构,给出了一套MEMS TaN薄膜负载电阻制备的工艺流程,并针对该工艺流程方案进行了关键参数的工艺误差仿真,实现了适用于20~40 GHz频率内的三种MEMS TaN薄膜负载电阻的工艺制作和测试。测试结果表明,结构一、结构二和结构三的回波损耗分别小于-22,-18和-18.5 dB,并将结构一成功运用于32~34 GHz毫米波频段内的MEMS隔离器,MEMS隔离器的隔离度大于25 dB,插入损耗小于0.5 dB。MEMS TaN薄膜负载电阻具有很好的负载吸收功能,适合微波/毫米波通信发展需求。 展开更多
关键词 微电子机械系统(MEMS) TaN薄膜 负载电阻 毫米波 隔离器
原文传递
多通道高稳定性温度检测系统 被引量:3
17
作者 李伟 李杰超 闫卫平 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2014年第4期46-49,共4页
为了精确测试平板微热管的传热特性,利用Pt100及磁控溅射法制备的Pt薄膜电阻温度传感器,开发了8通道温度采集与显示系统.该系统以MSP430 F149单片机为电路控制核心,利用集成的AD和UART模块完成信号转换与通信等功能.上位机采用VC++开... 为了精确测试平板微热管的传热特性,利用Pt100及磁控溅射法制备的Pt薄膜电阻温度传感器,开发了8通道温度采集与显示系统.该系统以MSP430 F149单片机为电路控制核心,利用集成的AD和UART模块完成信号转换与通信等功能.上位机采用VC++开发应用程序对多路温度信号进行数据拟合,可实时显示温度数值并绘制出8路温度曲线.通过加入正反馈电路改善了输出线性度,利用桥式电路的可调电阻扩大了Pt薄膜电阻的测温范围.系统的测温范围是0~120℃,可利用86~128Ω(24℃)范围的Pt薄膜电阻进行温度检测.该系统具有测温精度高、适用范围广、稳定性好及实时性强等优点. 展开更多
关键词 多通道温度检测及显示系统 Pt薄膜电阻 限幅电路 实时显示
下载PDF
基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器 被引量:2
18
作者 王斌 田兵 汪春霆 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期114-119,共6页
单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频... 单个器件输出功率不满足系统要求时,功率合成技术是提高系统输出功率的有效方法.本文详细研究了基于薄膜电阻的波导E-T结功率分配/合成器,最终设计了一种新型的基于薄膜电阻的波导E-T结.该结构具有高隔离度、低插入损耗、小体积、宽频带等优点.通过合理设计薄膜电阻的长宽比,尽量增大薄膜电阻的面积,并且采用高导热的氮化铝陶瓷基板作为微带和薄膜电阻的介质基板,提高了基于薄膜电阻的波导E-T结承受的功率.利用三维电磁场仿真软件HFSS对其进行了建模仿真,加工的实物经过测试在25~34 GHz插入损耗小于0.2 d B,回波损耗优于-15 d B,隔离度优于10 d B.经对比,实测结果与仿真结果吻合,具有较好的工程应用价值. 展开更多
关键词 KA频段 功率分配/合成器 波导E-T结 薄膜电阻
下载PDF
基于低频噪声的薄膜电阻器可靠性表征方法 被引量:2
19
作者 吴勇 马中发 +1 位作者 杜磊 何亮 《电子科技》 2014年第12期100-104,107,共6页
薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁... 薄膜电阻的低频噪声同器件的损伤程度密切相关。文中采用两级低噪声放大器和高速高精度PCI数据采集卡构建的测试系统测量了一组1.5 kΩ镍铬薄膜电阻老化试验前后的低频噪声,结合显微分析发现电迁移是薄膜电阻可靠性退化的主导机制,电迁移损伤发生前后低频噪声的幅值、频率指数和转折频率等参量均会发生异常波动。分析表明,低频噪声能更敏感地反映薄膜电阻的损伤程度,可作为此类器件可靠性无损的筛选依据。 展开更多
关键词 镍铬薄膜电阻器 低频噪声 老化试验 电迁移 可靠性
下载PDF
激光直写制备薄膜铂电阻技术研究 被引量:4
20
作者 吴波 吴云峰 匡艳 《激光技术》 CAS CSCD 北大核心 2012年第3期379-381,共3页
为了研究激光直写技术在制备薄膜铂电阻中的应用,采用激光直写制备了薄膜厚度为2μm的铂电阻。探讨了激光直写技术制备薄膜铂电阻的原理,以条形铂电阻为例,研究了激光参量对铂电阻形状的影响,在最优的激光脉冲频率18kHz、激光扫描速率10... 为了研究激光直写技术在制备薄膜铂电阻中的应用,采用激光直写制备了薄膜厚度为2μm的铂电阻。探讨了激光直写技术制备薄膜铂电阻的原理,以条形铂电阻为例,研究了激光参量对铂电阻形状的影响,在最优的激光脉冲频率18kHz、激光扫描速率100mm/s的参量下,制备了实际电阻约为0.37Ω的条形薄膜铂电阻,最后检验了薄膜铂电阻的电阻值。结果表明,铂电阻的宽度分别随激光脉冲频率和激光扫描速率的增大而增大;制备的电阻边缘整齐,表面平整,电阻实际值与理论值只有0.8%的相对误差,吻合很好。 展开更多
关键词 激光技术 薄膜铂电阻 激光直写 图形填充 扫描振镜
下载PDF
上一页 1 2 4 下一页 到第
使用帮助 返回顶部