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基于Moldflow汽车内饰锁本体注射成型研究 被引量:2
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作者 赵龙志 赵明娟 江新焱 《中国塑料》 CAS CSCD 北大核心 2013年第9期89-93,共5页
通过Moldflow模流分析软件对汽车内饰锁本体注射成型过程进行模拟,获得了最佳浇口位置,分析了制件充填、流动、翘曲和冷却过程。根据制件内气穴分布情况和模具结构,合理确定了浇注系统。结果表明,在保压时间一定的情况下,随着恒压时间... 通过Moldflow模流分析软件对汽车内饰锁本体注射成型过程进行模拟,获得了最佳浇口位置,分析了制件充填、流动、翘曲和冷却过程。根据制件内气穴分布情况和模具结构,合理确定了浇注系统。结果表明,在保压时间一定的情况下,随着恒压时间的延长,制件的总变形量具有最小值;制件的结构决定了制件的翘曲变形,大面积薄壁区冷却速度起主导作用,该处具有较大的翘曲变形;局部厚壁区体积收缩率较大,翘曲变形严重。 展开更多
关键词 注射成型 模流分析 内饰锁 浇口位置 保压 翘曲 冷却
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Drive current of accumulation-mode p-channel SOI-based wrap-gated Fin-FETs
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作者 张严波 杜彦东 +3 位作者 熊莹 杨香 韩伟华 杨富华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第9期29-33,共5页
Comparisons are performed to study the drive current of accumulation-mode(AM) p-channel wrap-gated Fin-FETs.The drive current of the AM p-channel FET is 15%-26%larger than that of the inversion-mode (IM) p-channel... Comparisons are performed to study the drive current of accumulation-mode(AM) p-channel wrap-gated Fin-FETs.The drive current of the AM p-channel FET is 15%-26%larger than that of the inversion-mode (IM) p-channel FET with the same wrap-gated fin channel,because of the body current component in the AM FET, which becomes less dominative as the gate overdrive becomes larger.The drive currents of the AM p-channel wrap-gated Fin-FETs are 50%larger than those of the AM p-channel planar FETs,which arises from effective conducting surface broadening and volume accumulation in the AM wrap-gated Fin-FETs.The effective conducting surface broadening is due to wrap-gate-induced multi-surface conduction,while the volume accumulation,namely the majority carrier concentration anywhere in the fin cross section exceeding the fin doping density,is due to the coupling of electric fields from different parts of the wrap gate.Moreover,for AM p-channel wrap-gated Fin-FETs, the current in channel along 110 is larger than that in channel along 100,which arises from the surface mobility difference due to different transport directions and surface orientations.That is more obvious as the gate overdrive becomes larger,when the surface current component plays a more dominative role in the total current. 展开更多
关键词 accumulation mode inversion mode wrap gate Fin-FET volume accumulation
原文传递
包边注塑的浇口位置对黏合撕裂强度的影响
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作者 王乾廷 刘琼 +1 位作者 刘贤平 陈文哲 《合肥工业大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2013年第1期24-28,共5页
针对汽车玻璃塑料包边成型生产中易出现黏合撕裂强度不足的问题,文章研究了浇口位置的设定方法,根据生产中玻璃的形态和塑料包边断面的变化情况,建立包边注塑通用简化模型;根据玻璃嵌件的物理特性,设定熔体与玻璃、模具之间的边界条件,... 针对汽车玻璃塑料包边成型生产中易出现黏合撕裂强度不足的问题,文章研究了浇口位置的设定方法,根据生产中玻璃的形态和塑料包边断面的变化情况,建立包边注塑通用简化模型;根据玻璃嵌件的物理特性,设定熔体与玻璃、模具之间的边界条件,建立传递方程;分别运用数值计算和试验方法得到沿流道方向和包边横截面上的温度和压力分布,分析不同浇口位置对黏合撕裂强度的影响。结果表明,在综合考虑玻璃几何形状的前提下,在位于曲率变化较大的位置附近设定浇口,有利于保障压力平衡且减少注射和保压阶段温度的波动,对包边注塑的浇口设计和工艺、模具设计有指导作用。 展开更多
关键词 包边玻璃 注塑成型 浇口位置 撕裂强度 熔体平衡
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一种新的调节分栅闪存存储器擦除能力的方法
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作者 康军 曹子贵 《集成电路应用》 2021年第4期12-13,共2页
基于分栅闪存存储器的擦除能力是评估其单元性能的关键参数,阐述现有制程调节分栅闪存存储器擦除能力的方法。提供一种新的方法通过控制侧壁氧化物的剩余厚度来调节分栅快闪存储器擦除能力,并讨论其优势所在。
关键词 闪存存储器 环绕氧化物 分栅单元 擦除能力
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