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α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射
1
作者
石旺舟
梁厚蕴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期1103-1106,共4页
采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依...
采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 .
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关键词
α-sioxny
光发射
分离能顷
薄膜
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职称材料
题名
α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射
1
作者
石旺舟
梁厚蕴
机构
汕头大学功能薄膜材料研究室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第11期1103-1106,共4页
基金
苏州大学薄膜实验室开放基金
广东省基金资助课题&&
文摘
采用 PECVD法制备了 α- Si Ox Ny 薄膜 ,观察到两组分立能级的强荧光发射 ,一组位于紫外光波段 ,由三个可分辨的发射峰组成 ,波长分别为 330、340和 345nm;另一组位于红光波段 ,由两个发射峰组成 ,波长分别为 735nm和 745nm.发射峰依赖于薄膜中氧和氮的同时存在 ,其强度首先随薄膜中其含量的增加而增强 ,达到饱和值后 ,随着其含量的进一步增加而下降 .这表明发射峰可能起源于 O- Si- N结合而形成的发光中心 .
关键词
α-sioxny
光发射
分离能顷
薄膜
Keywords
SiO_xN_y
photoluminescence
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
α-SiO_xN_y薄膜中分立能级的光发射
石旺舟
梁厚蕴
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
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