Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态 被引量：1

1

作者 郑安生 钱嘉裕 +1 位作者 韩庆斌 邓志杰 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期378-382,共5页

介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 单晶生长 位错 发展动态

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co^(2+)的光谱及g因子的研究

2

作者 邬劭轶 李卫 任萍 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期72-76,共5页

采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子．此方法考虑了ｄ７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献，用此方法解释... 采用一种修正的晶体场理论方法研究了３ｄ７离子在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体中的光谱和ＥＰＲ谱ｇ因子．此方法考虑了ｄ７离子ｄ电子与配体混合而导致ｄ轨道中ｅ和ｔ２轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对ｇ因子的贡献，用此方法解释了ＧａＰ，ＩｎＰ和ＧａＡｓ中Ｃｏ２＋的光谱和ｇ因子。 展开更多

关键词 光谱 EPR谱 ⅲ-ⅴ族化合物 G因子 化合物半导体

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物的电化学C-V测量

3

作者 罗江财 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期19-25,共7页

本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP 多层异质结构的载流子浓度分布曲线,并分析了液相外... 本文概述了常规耗尽层 C-V 分布中,可达深度和深度分辨率的基本限制。特别讨论了电化学 C-V 分布的实际技术和应用。列举了 PN4200自动描绘的Ⅲ-Ⅴ族化合物 GaAlAs/GaAs、InGaAsP/InP 多层异质结构的载流子浓度分布曲线,并分析了液相外延生长中 Zn 掺杂的特性。同时,还分析了测量精确度和深度分辨之间的关系,并考虑了电解液、接触面积、串联电阻和深态的影响。最后,叙述了电化学 C-V 技术在测量光电压谱和量子阱结构方面的应用。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 电化学 测量 半导体

下载PDF 职称材料

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)

4

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第12期18-18,55,共2页

2014年，天津三安光电公司报道，他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP／GaInAs／Ge高倍聚光电池，并进行了规模生产，聚光电池效率达到40％～41％。在青海神光格尔木建立了50MW高倍聚光光伏电站，在青海日芯建立了60MW高倍聚光光伏电站。

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 砷化镓 应用 GAINAS 光伏电站 GAINP 晶格应变

下载PDF 职称材料

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)

5

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第7期20-21,共2页

1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系... 1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构，不同的只是Ga和As原子交替占位。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAAS 立方晶系 闪锌矿

下载PDF 职称材料

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)

6

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第8期13-14,共2页

在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复... 在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复活，不能形成光生电流。 展开更多

关键词 GAAS太阳电池 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 砷化镓 应用 光生载流子 转换效率 P-N结 复合中心

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)

7

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第10期15-16,20,共3页

聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开... 聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开路电压随光强呈对数式增长。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 砷化镓 应用 光伏发电系统 光学系统 输出功率 短路电流

下载PDF 职称材料

砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)

8

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第11期14-15,共2页

1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带... 1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大. 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 少子扩散长度

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体集成电路产业发展及其应用

9

作者 邵凯 《中国集成电路》 2003年第44期38-41,共4页

本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合物半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 集成电路产业 砷化镓 发展趋势 发展前景

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物低维半导体材料制备技术及进展 被引量：6

10

作者 刘宏 王继扬 郝晓涛 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期6-10,共5页

低维半导体材料特别是Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料日益受到人们的重视和深入的研究。文章回顾和评述了近几年Ⅲ -Ⅴ族化合物低维半导体材料包括量子阱、量子线、量子点的制备技术的进展 ,展望了这些技术在光电子器件等方面的应用前景。

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 低维材料 半导体材料 制备技术

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族化合物与CMOS：逻辑的选择？

11

作者 邓志杰（摘译） 《现代材料动态》 2008年第8期15-16,共2页

如果你想了解SiCMOS工艺的将来，那么IEDM（国际电子器件会议）是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行，已有50多年的历史了。一些关键性的半导体工艺常常在该会议上“出现”。2007年会议的与会者又在共同关注... 如果你想了解SiCMOS工艺的将来，那么IEDM（国际电子器件会议）是值得一去的“地方”。IEDM每年12月份交替在华盛顿和旧金山举行，已有50多年的历史了。一些关键性的半导体工艺常常在该会议上“出现”。2007年会议的与会者又在共同关注微电子工艺中的一个最大的问题——如何为Si逻辑（工艺）寻找一个“替代品”。此次会议上化合物半导体受到极大关注。 展开更多

关键词 CMOS工艺 ⅲ-ⅴ族化合物 逻辑 化合物半导体 IEDM 半导体工艺 微电子工艺 电子器件

原文传递

数字器件用Ⅲ-Ⅴ族化合物

12

作者 邓志杰（摘译） 《现代材料动态》 2006年第10期3-4,共2页

国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随... 国际半导体工艺指南（ITRS）的组织者们，迄今仍主要关注SiCMOS器件，但也在考虑非数字、非Si器件的应用，例如，无线通信。就数字电路来说，HRS的组织者们也不得不寻找Si以外的材料，在ITRS的最新版（2005年版）中，有这样的评论：随着本“指南”接近末期，器件将按准弹道模式工作，其电流增益将按与目前所知不同的参数得以增强，实际上碳纳米管、纳米线和其它高输运沟道材料（例如，Ge、Si衬底上的Ⅲ-Ⅴ族化合物薄膜沟道）是需要的。这一陈述是记载在“长期指南（2014-2020年）”部分。“准弹道”意味着载流子平均自由程和驰豫时间达到器件特征尺寸量级和工作频率量级。同时需建立新的电荷输运物理模型。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 数字器件 SI衬底 CMOS器件 电荷输运 半导体工艺 化合物薄膜 平均自由程

原文传递

砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)

13

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2016年第1期10-11,共2页

4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高... 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高质量的稀N含量GaInNAs（Sb）分子束外延材料，并成功研制了GaInP／GaAs／GaInNAs（Sb）三结叠层电池。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 晶格匹配

下载PDF 职称材料

几种Ⅲ─Ⅴ族化合物半导体材料的研究热点 被引量：3

14

作者 毕叔和 《热固性树脂》 CAS CSCD 1999年第4期114-117,共4页

本文分别介绍了Ⅲ－Ⅴ族化合物砷化镓（ＧａＡｓ），氮化镓（ＧａＮ），锑化镓（ＧａＳｂ）的特性、生长方 法，国内外研究水平及应用。

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 生长方法 半导体材料 镓

下载PDF 职称材料

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的高效多结太阳电池最新技术进展 被引量：9

15

作者 付蕊 陈诺夫 +5 位作者 涂洁磊 化麒麟 白一鸣 弭辙 刘虎 陈吉堃 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第7期124-128,149,共6页

基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实... 基于Ⅲ-Ⅴ族材料制备的多结太阳电池由于优越的性能,在空间电源领域和地面聚光方面的应用越来越受到重视。介绍了多结太阳电池的高光电转换效率机理,并从材料选择、结构设计、优化生长工艺等方面讨论了研发Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的实现方案和最新技术进展。重点探讨了采用GaInNAs(Sb)新材料、倒置生长、半导体键合等技术方法。其中,采用半导体键合技术制备的GaInP/GaAs//GaInAsP/GaInAs四结太阳电池光电转换效率为46%,也是目前实验室最高效率。此外,分析了Ⅲ-Ⅴ族高效多结太阳电池的发展方向,并对其前景进行了展望。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 高效多结太阳电池 半导体键合晶格失配

下载PDF 职称材料

Ⅲ-Ⅴ族材料制备多结太阳电池的研究进展 被引量：4

16

作者 晏磊 于丽娟 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第6期330-335,共6页

讨论了采用Ⅲ-Ⅴ族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键合等三种方法。其中,采用渐变缓冲层结构的Ge/Ga0.35In0.65P/Ga0.83In0.17As三结太阳电池,转换效率提高... 讨论了采用Ⅲ-Ⅴ族化合物材料制备多结太阳电池时的材料选择和实现方案,重点探讨了采用渐变缓冲层、引入InGaAsN等新材料以及直接键合等三种方法。其中,采用渐变缓冲层结构的Ge/Ga0.35In0.65P/Ga0.83In0.17As三结太阳电池,转换效率提高到41.1%。而采用直接键合技术设计的InGaP/GaAs/InGaAsP/InGaAs四结太阳电池,以及应用InGaAsN等新材料设计的五结以上太阳电池,其转换效率还有可能达到新的高度。此外,一些创新技术,例如电池的反向生长技术、转移层技术以及将GaAs的量子阱结构和量子点应用于多结太阳电池,都为太阳电池效率的进一步提高提供了新的契机。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物 多结太阳电池 晶格失配 渐变缓冲层 直接键合 层转移

原文传递

III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破 被引量：6

17

作者 陈文浚 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页

从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下，在空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取得重要技术突破... 从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下，在空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等，越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低，使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。 展开更多

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 晶体硅太阳电池 光伏技术 硅薄膜太阳电池 光电转换效率 美国贝尔实验室 空间飞行器 级连

下载PDF 职称材料

氢在Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能

18

作者 张继平 孙建军 《信息工程学院学报》 1994年第3期26-30,共5页

本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨道交替排列模型描述。结果表明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外... 本文应用格林函数方法计算氢在一组Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体上的化学吸附能（ΔＥ）和衬底向吸附原子的电荷转移（Δｑ）。半导体衬底用一维半无限ｓｐ轨道交替排列模型描述。结果表明，ΔＥ与半导体的禁带宽度和其表面指数密切相关。另外，当半导体表面格点上的原子分别为类－ｓ原子和类－ｐ原子时，ΔＥ也不相同。 展开更多

关键词 化学吸附能 能带 氢 ⅲ-ⅴ族化合物 半导体

下载PDF 职称材料

以Ⅲ—Ⅴ族化合物器件为例介绍文献计量学方法的应用

19

作者 余勉之 《上海半导体》 1992年第2期41-46,共6页

关键词 文献计量学 ⅲ-ⅴ族化合物

下载PDF 职称材料

砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9) 被引量：1

20

作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2016年第2期12-13,共2页

2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强下，达到了当前国际最高电池效率46．5％（5．42mm2）。

关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓 应用 GAINAS 太阳能系统 电池效率

下载PDF 职称材料