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硫钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜 被引量：2
1
作者 袁泽亮 侯晓远 王迅 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1998年第2期170-175,共6页
表面钝化是Ⅲ-Ⅴ旅半导体工艺的难题之一，硫钝化技术是目前解决这一难题最有效的方法，文中综述了硫钝化技术在钝化Ⅲ-Ⅴ族半导体生长高质量薄膜所取得的成就。
关键词 表面钝化 硫钝化 ⅲ-ⅴ族半导体 半导体薄膜技术
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NH_3,PH_3热分解对Ⅲ-Ⅴ族半导体MOVPE外延生长的影响
2
作者 李长荣 卢琳 +1 位作者 王福明 张维敬 《北京科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期165-168,共4页
以ＧａＮ和（Ｇａ１－ｘＩｎｘ）Ｐ半导体的金属有机物气相外延生长（ＭＯＶＰＥ）为例分析了Ｖ族气源物质ＮＨ３和ＰＨ３热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响．根据外延生长过程中ＮＨ３和ＰＨ３实际分解状况，建立了气源物质... 以ＧａＮ和（Ｇａ１－ｘＩｎｘ）Ｐ半导体的金属有机物气相外延生长（ＭＯＶＰＥ）为例分析了Ｖ族气源物质ＮＨ３和ＰＨ３热分解对半导体化合物外延生长成分空间的影响．根据外延生长过程中ＮＨ３和ＰＨ３实际分解状况，建立了气源物质不同分解状态下的热力学模型，进而应用Ｔｈｅｒｍｏ－ｃａｌｃ软件计算出与之对应的成分空间．计算结果与实验数据的对比表明：ＧａＮ和（Ｇａ１－ｘＩｎｘ）Ｐ半导体的ＭＯＶＰＥ过程的热力学分析必须根据Ｖ族气源物质ＮＨ３和ＰＨ３的实际热分解状况，进行完全平衡或限定平衡条件下的计算和预测，完全的热力学平衡分析仅适用于特定的温度区段或经特殊气源预处理的工艺过程． 展开更多
关键词 NH3 PH3 热分解 ⅲ-ⅴ族半导体 MOVPE外延生长
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Yb^(3+)和Er^(3+)在Ⅲ-Ⅴ族半导体中的发光特性
3
作者 曹望和 张联苏 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期126-130,共5页
在77K时观察到了离子注入Yb和Er的InP、SI—InP、GaAs和n—GaAs具有尖锐结构的光致发光峰。这些发光峰分别来自于Yb^(3+)(4f^(13))~2F_(5/2)→~2F_(7/2)(近1.0μm)和Er^(3+)(4f^(11))~4I_((13)/2)→~4I_((15)/2)(近1.54μm)的跃迁。注... 在77K时观察到了离子注入Yb和Er的InP、SI—InP、GaAs和n—GaAs具有尖锐结构的光致发光峰。这些发光峰分别来自于Yb^(3+)(4f^(13))~2F_(5/2)→~2F_(7/2)(近1.0μm)和Er^(3+)(4f^(11))~4I_((13)/2)→~4I_((15)/2)(近1.54μm)的跃迁。注入Yb和Er的样品分别在800和750℃退火,获得最佳发光强度。根据光致发光和X射线双晶衍射回摆曲线的分析,InP:Yb样品在850℃退火,获得注入层的最佳晶格结构。本文首次研究了SI—InP中Yb^(3+)和Er^(3+)间的相互作用,并当SI—InP中Yb^(3+)和Er^(3+)的浓度相等时,观察到了Yb^(3+)和Er^(3+)的相互猝灭效应。 展开更多
关键词 稀土离子 ⅲ-ⅴ族半导体 发光
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镜像势对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅲ-Ⅴ族半导体双势垒共振隧穿系统Ⅰ-Ⅴ特性的影响
4
作者 滕小瑛 《内蒙古工业大学学报（自然科学版）》 1999年第1期26-30,共5页
本文围绕镜像势对双势垒共振隧穿系统电流—电压特性的影响作了系统的分析探讨，并在考虑和不考虑像势影响的两种情况下对该特性作了计算比较。结果清楚显示镜像势对具较大介电性能差别的系统之电流—电压曲线会引起明显的峰的漂移。
关键词 镜像势 Ⅱ-Ⅵ族半导体 ⅲ-ⅴ族半导体 DBRT
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Ⅲ-Ⅴ族半导体微重力生长研究进展 被引量：5
5
作者 尹志岗 张兴旺 吴金良 《中国科学：物理学、力学、天文学》 CSCD 北大核心 2020年第4期62-74,共13页
空间微重力环境为理解被地面重力场掩盖的晶体生长现象与规律、探索新的晶体制备工艺提供了独一无二的平台.我国学者在过去的30多年里进行了Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体的空间生长研究,主要进展有:在微重力条件下得到了器件级的半绝缘GaAs,基于... 空间微重力环境为理解被地面重力场掩盖的晶体生长现象与规律、探索新的晶体制备工艺提供了独一无二的平台.我国学者在过去的30多年里进行了Ⅲ-Ⅴ族半导体晶体的空间生长研究,主要进展有:在微重力条件下得到了器件级的半绝缘GaAs,基于其制备的低噪声场效应晶体管和模拟开关集成电路性能明显超过地基器件;通过抑制熔体静压力的作用,实现了GaSb及InSb两种材料的非接触Bridgman生长,并大幅降低了材料的位错密度;深入研究了浮力对流、Marangoni对流及旋转磁场驱动的强制对流对组分微观偏析的影响规律;将垂直梯度凝固法应用于半导体合金生长,获得了组分均匀分布的GaInSb材料.本综述回顾了以上方面的研究进展,并对半导体空间材料科学的未来挑战进行了展望. 展开更多
关键词 微重力 晶体生长 ⅲ-ⅴ族半导体
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光电催化分解水Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极薄膜保护策略 被引量：3
6
作者 张旭强 吕功煊 《化学进展》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2020年第9期1368-1375,共8页
Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(如GaAs、InP、GaP等)具有抗辐射性能高、温度特性好、耐高温等特点。相比于其他材料构建的光电催化体系,由这类半导体构成的光电极具有更高的太阳能吸收效率和光电转换效率。然而,大多数Ⅲ-Ⅴ族半导体在水溶液电解质... Ⅲ-Ⅴ族半导体材料(如GaAs、InP、GaP等)具有抗辐射性能高、温度特性好、耐高温等特点。相比于其他材料构建的光电催化体系,由这类半导体构成的光电极具有更高的太阳能吸收效率和光电转换效率。然而,大多数Ⅲ-Ⅴ族半导体在水溶液电解质中的物理化学性质很不稳定,导致太阳能驱动分解水性能衰减较快。基于此,本文综述了薄膜保护层在改善Ⅲ-Ⅴ族半导体光电极电化学稳定性方面的主要成就和研究现状,分析总结了获得稳定高效的光电反应界面和分解水效率的策略,探讨了导致材料衰减的原因和相应改善措施,最后展望了薄膜保护策略的未来发展前景。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族半导体材料 光电极 水分解 保护层薄膜
原文传递
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态 被引量：1
7
作者 郑安生 钱嘉裕 +1 位作者 韩庆斌 邓志杰 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期378-382,共5页
介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 单晶生长 位错 发展动态
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Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制 被引量：1
8
作者 尹文艳 杨合情 +2 位作者 宋玉哲 万秀琴 任荣贞 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2006年第3期116-123,共8页
论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均... 论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包括高温有机液相合成法、有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法等。其中高温有机液相合成法较易制备尺寸均一、稳定的半导体纳米晶,有机溶剂热法、水热法和溶胶-凝胶法设备简单、反应条件温和,具有广阔的应用前景。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族半导体 纳米材料 合成 尺寸控制
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(7)
9
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第12期18-18,55,共2页
2014年，天津三安光电公司报道，他们成功研发了晶格应变三结叠层GaInP／GaInAs／Ge高倍聚光电池，并进行了规模生产，聚光电池效率达到40％～41％。在青海神光格尔木建立了50MW高倍聚光光伏电站，在青海日芯建立了60MW高倍聚光光伏电站。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 砷化镓 应用 GAINAS 光伏电站 GAINP 晶格应变
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)
10
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第7期20-21,共2页
1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系... 1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢？这与它们材料的特性，以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1）GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料，具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构，不同的只是Ga和As原子交替占位。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAAS 立方晶系 闪锌矿
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Ⅲ-Ⅴ族太阳电池的发展和应用系列讲座(5) 砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(5)
11
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第10期15-16,20,共3页
聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开... 聚光可利用相对便宜的光学系统，成百上千倍地提高照射到电池表面的太阳光强，相应增加电池的输出功率，降低光伏发电系统的成本。而且，聚光还可提高电池的效率。因为在理想情况下，在一定光强范围，电池的短路电流与光强呈正比，而开路电压随光强呈对数式增长。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 砷化镓 应用 光伏发电系统 光学系统 输出功率 短路电流
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(3)
12
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第8期13-14,共2页
在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复... 在上世纪60年代，人们由GaAs材料的优良性质预见到，GaAs太阳电池能获得高的转换效率。但是初期用研制Si太阳电池的扩散p-n结方法来研制GaAs太阳电池并未获得成功。原因是GaAs材料的表面复活速率大，大部分光生载流子被表面复合中心复活，不能形成光生电流。 展开更多
关键词 GAAS太阳电池 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 砷化镓 应用 光生载流子 转换效率 P-N结 复合中心
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砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)
13
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第11期14-15,共2页
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带... 1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.93In0.07 N0.023As0.977）,既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大. 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 少子扩散长度
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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体集成电路产业发展及其应用
14
作者 邵凯 《中国集成电路》 2003年第44期38-41,共4页
本文对以砷化镓为主的三、五族化合物半导体集成电路产业的现状做出了描述,并对其发展前景做了预测。以砷化镓(GaAs)为代表的三、五族化合物半导体集成电路因其优越的高频、高速性能而长期被用于军事电子装备,作为其高频前端的核心器件。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 集成电路产业 砷化镓 发展趋势 发展前景
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紧束缚方法计算Ⅲ-V族半导体(311)B表面电子结构 被引量：2
15
作者 陈旭方 樊社民 +2 位作者 宋友林 贾瑜 姚乾凯 《河南教育学院学报（自然科学版）》 2001年第3期17-20,共4页
本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导... 本文用紧束缚方法计算了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs(311)B表面的表面电子结构 .半导体材料的体电子结构采用考虑次近邻相互作用的sp3 模型描述 ,表面电子结构通过求解形式散射理论的格林函数方程得到 .我们给出了四种半导体材料的表面投影能带结构和与它们相对应的各个表面态 ,讨论了各个表面态沿表面布里渊区高对称线Г Y S X Г的色散关系 .通过比较给出了Ⅲ V半导体化合物GaP、GaAs、AlAs和InAs等 (311) 展开更多
关键词 紧束缚计算 高弥勒指数表面 表面态和表面共振态 ⅲ-ⅴ族半导体化合物
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砷化镓基系Ⅲ-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(8)
16
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2016年第1期10-11,共2页
4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高... 4 Ⅲ-Ⅴ族化合物电池研发的新动向 4．1含GalnNAs（Sb）晶格匹配的三～五结叠层聚光电池 前文介绍在研发与GaAs晶格匹配的1eV带隙的GaInNAs材料时遇到了困难，这一问题在2011年终于取得了突破。据Solar Junction公司报道，他们制备了高质量的稀N含量GaInNAs（Sb）分子束外延材料，并成功研制了GaInP／GaAs／GaInNAs（Sb）三结叠层电池。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 晶格匹配
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双腔室分子束外延复合体在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体异质结生长中的应用(英文)
17
作者 A.Alexeev D.Baranov +2 位作者 S.Petrov I.Sedova S.Sorokin 《电子工业专用设备》 2010年第10期23-25,共3页
半导体光电子学是当前科技发展最快的一个领域,光电子器件的增长需要加强新材料技术的研究与开发,Ⅲ -Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族纳米结构生长的双腔室分子束外延复合体是目前工艺设备一个最好的例子,可以解决长期以来纳米光子学和纳米电子学的问题。
关键词 分子束外延 ⅲ-ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体 设备与技术
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III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破 被引量：6
18
作者 陈文浚 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下，在空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取得重要技术突破... 从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起，光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下，在空间飞行器能源系统需求的牵引下，这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等，越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低，使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。 展开更多
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 晶体硅太阳电池 光伏技术 硅薄膜太阳电池 光电转换效率 美国贝尔实验室 空间飞行器 级连
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砷化镓基系III-V族化合物半导体太阳电池的发展和应用(9) 被引量：1
19
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2016年第2期12-13,共2页
2014年9月，德国Fraunhofer太阳能系统研究所等单位报道，他们采用SBT研制的四结替层GaInP／GaAs／／GaInPAs／GaInAs聚光电池在324倍AM1．5D光强下，达到了当前国际最高电池效率46．5％（5．42mm2）。
关键词 ⅲ-ⅴ族化合物半导体 太阳电池 GaInP/GaAs 砷化镓 应用 GAINAS 太阳能系统 电池效率
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III-V稀磁半导体研究进展 被引量：4
20
作者 危书义 王天兴 阎玉丽 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2003年第2期50-53,共4页
低温分子束外延技术的应用 ,使高浓度掺杂的III -V族稀磁半导体得以成功制备 ,与现代半导体器件兼容 .本文概要地回顾了磁性半导体的发展历史 ,介绍了目前的实验 。
关键词 稀磁半导体 ⅲ-ⅴ族半导体 低温分子束外延 自旋电子学 铁磁性 室温铁磁
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