一代树状碳硅烷液晶研究──端基含12个丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：9

1

作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 赵晓光 李光 季怡萍 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2002年第12期2232-2237,共6页

用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状... 用发散法合成周边含 12个丁氧基偶氮苯介晶基元(M5 )端基新的一代树状碳硅烷(D1).并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热(DSC)和广角X射线衍射(WAXD)表征.D1为向列相与M5相同,树状物相态由介晶基元相态决定,D1相行为:K82N13 3I13 2N67K,D1熔点比M5降低 3 0～ 43℃,D1清亮点比M5增加 9～ 11℃,D1介晶相区比M5加宽 3 9～ 5 4℃,观察到 8条黑刷的树状物的高强向错(S =+ 2),D1清亮焓值略低于通常液晶n i相变清亮焓值。 展开更多

关键词 丁氧基偶氮苯介晶基元 树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷 发散法 合成

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端基含4个丁氧基偶氮苯介晶基元光致变色液晶树状物的光化学研究 被引量：6

2

作者 张其震 刘建强 +1 位作者 唐新德 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第18期1822-1828,共7页

研究了新化合物含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代 (D0 )光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反 -顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回... 研究了新化合物含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元的零代 (D0 )光致变色液晶树状物在氯仿和四氢呋喃中的吸收光强、最大吸收波长、摩尔消光系数、量子产率、活化能、异构转换率、反 -顺光异构化反应速率常数、热回复异构化反应速率常数、光回复异构化反应平衡常数及速率常数 .D0的光致变色反应速率常数为 10 -1s-1,而含偶氮基元液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为 10 -8s-1,因此液晶树状物D0的光响应速度比后者快 10 7倍 . 展开更多

关键词 光致变色液晶树状物 光电信息功能材料 光回复异构化 热回复异构化 丁氧基偶氮苯介晶基元 活化能 量子产率 吸收光强

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二代光致变色液晶树枝状碳硅烷的光化学研究——端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：6

3

作者 张其震 刘建强 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期317-323,共7页

研究了新的含 3 6个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷 (D2 )在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强 ,吸收光强 ,摩尔消光系数 ,最大吸收波长 ,量子产率 ,活化能 ,异构转换率 ,光回复异构化反应平衡常数 ,反 -顺光异构化反应... 研究了新的含 3 6个丁氧基偶氮苯介晶基元的二代光致变色液晶树枝状碳硅烷 (D2 )在氯仿、四氢呋喃溶液中的光强 ,吸收光强 ,摩尔消光系数 ,最大吸收波长 ,量子产率 ,活化能 ,异构转换率 ,光回复异构化反应平衡常数 ,反 -顺光异构化反应速率常数 ,光回复异构化正 展开更多

关键词 光致变色液晶树枝状大分子 碳硅烷 光化学 端基 丁氧基偶氮苯介晶基元 反顺光异构化 光回复异构 热回复异构 活化能

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三代碳硅烷光致变色液晶树状物的光化学研究——端基含108个4-丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：1

4

作者 张其震 殷晓颖 王艳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期941-946,i004,共7页

报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常... 报道了新化合物含108个丁氧基偶氮基元端基的三代(D3)碳硅烷光致变色液晶树状物在各溶液中的反-顺光异构化(光致变色)反应速率常数kp,光化学回复异构化正/逆反应速率常数kt和kc,热回复异构化反应速率常数kH,光化学回复异构化反应平衡常数kt/kc,活化能E,异构化转换率及热回复异构化反应中的反-顺异构体组分比.D3的光致变色反应速率常数为10-1s-1,而含偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色反应速率常数为10-8s-1,因此,D3的光响应速度比后者快107倍. 展开更多

关键词 光致变色液晶树状物 丁氧基偶氮苯介晶基元 碳硅烷 化学研究 端基 三代 反应速率常数 反应平衡常数 液晶聚硅氧烷 异构化反应 光异构化 新化合物 光化学 回复 活化能 异构体 转换率 速度比 光响应 溶液

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三代树状碳硅烷液晶研究──端基含丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：14

5

作者 张其震 殷晓颖 +3 位作者 王大庆 李光 季怡萍 赵晓光 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第4期619-624,共6页

用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 (M5 )端基新的三代树状碳硅烷 (D3 )液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射 (WAXD)表征 ,D3... 用发散法合成周边含丁氧基偶氮苯介晶基元 (M5 )端基新的三代树状碳硅烷 (D3 )液晶 ,并用元素分析、核磁共振、激光解吸电离飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射 (WAXD)表征 ,D3为向列相与M5相同 ,树状物相态由介晶基元相态决定 ,D3相行为 :K79N12 6I116N ,D3熔点比M 5降低 3 3℃ ,D3清亮点比M 5增加 2℃ ,D3液晶态温区比M 5加宽 3 5℃ . 展开更多

关键词 三代树状碳硅烷液晶 丁氧基偶氮苯 介晶基元 合成

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二代树状碳硅烷液晶研究Ⅰ.端基含36个丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：7

6

作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 季怡萍 赵晓光 李光 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期416-421,共6页

用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液... 用发散法合成周边含 36个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的二代树状碳硅烷液晶 (D2 ) ,并用元素分析 ,氢谱 ,激光质谱 ,红外 ,紫外 ,偏光显微镜 ,DSC和WAXD法表征 .D2为向列相 ,与M 5相同 ,二代树状物相态由介晶基元相态决定 .D2液晶态相行为是K85N10 7I10 3N69K ,其熔点比M 5降低 2 7～ 41℃ ,清亮点比M 5降低 17～ 18℃ ,液晶态温区比M 5加宽 10～ 2 3℃ .二代碳硅烷 (D2 )与一代碳硅烷 (D1)相比熔点增加 2～ 3℃ ,清亮点降低 2 6～ 2 9℃ ,液晶态温区减少 2 9～ 31℃ .在二代树状物中观察到S 展开更多

关键词 丁氧基偶氮苯 介晶基元 树状化合物 液晶 向列相 高强向错 碳硅烷 发散法 合成

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一代树状碳硅烷液晶的光化学研究——端基含12个4-丁氧基偶氮苯介晶基元 被引量：10

7

作者 张其震 刘建强 +1 位作者 殷晓颖 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1108-1113,共6页

研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的一代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量子产率、反-顺光异构化、光回复异构、反/顺异构组分比、热回复异构及活化能.D1和M5... 研究了新的含12个丁氧基偶氮苯介晶基元的一代树状碳硅烷液晶D1及偶氮苯介晶基元化合物M5在氯仿、四氢呋喃、N,N-二甲基甲酰胺、乙醇和苯等溶剂中的量子产率、反-顺光异构化、光回复异构、反/顺异构组分比、热回复异构及活化能.D1和M5的光致变色速率常数为10^(-1)s^(-1),而含同一偶氮基元的光致变色液晶聚硅氧烷的光致变色速率常数为10^(-8)s^(-1),因此,液晶树状物D1的光响应速度比后者快10~7倍. 展开更多

关键词 树状碳硅烷 液晶 光化学研究 端基 4-丁氧基偶氮苯 介晶基元 树枝状化合物 量子产率 反-顺光异构体 光回复异构 热回复异构 活化能

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端基含4个丁氧基苯介晶基元光致变色液晶树状物的合成、结构及液晶性研究 被引量：5

8

作者 张其震 刘建强 +1 位作者 李爱香 张静智 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第3期312-316,共5页

合成了周边含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的零代光致变色液晶树状物 (D0 ) ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射法 (WAXD)表征 .D0显示向列... 合成了周边含 4个丁氧基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基新的零代光致变色液晶树状物 (D0 ) ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸飞行时间质谱、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和广角X射线衍射法 (WAXD)表征 .D0显示向列相 ,与M 5相同 ,树状物相态由介晶基元相态所决定 ,D0的相行为 :K13 8N14 7I14 5N118K .对零代 (D0 )、一代 (D1)、二代 (D2 )和三代 (D3 )液晶树状物的清亮焓、清亮熵。 展开更多

关键词 端基 丁氧基偶氮苯介晶基元 光致变色液晶树状物 向列相 相变焓 相变熵 合成 结构 液晶性

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二代树状碳硅烷液晶研究——端基含36个己氧基偶氮苯介晶基元 被引量：8

9

作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 赵晓光 李光 季怡萍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1704-1707,共4页

用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征。D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K... 用发散法合成周边含36个己氧基偶氮苯介晶基元(M3)端基的新的二代树状碳硅烷液晶(D2),并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外-可见光谱、偏光显微镜,DSC和WAXD法进行表征。D2为向列相,与M3相同.D2液晶态相行为是K90N105I1l3N75K,D2熔点比M3降低26～33℃,D2清亮点比M3降低3～15℃,D2液晶态温区比M3加宽11～30℃。D2和一代树状物D1的相态由介晶基元相态决定。D2熔点比D1降低2～3℃。D2清亮点比D1降低11～21℃,D2液晶态温区比D1减少8～19℃。 展开更多

关键词 碳硅烷 树状化合物 液晶 向列相 碳硅烷 端基 已氧基偶氮苯 介晶单元

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端基含12个己氧基偶氮苯介晶基元的树状碳硅烷液晶的合成 被引量：3

10

作者 张其震 刘建强 +4 位作者 殷晓颖 张静智 李光 赵晓光 季怡萍 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1887-1891,共5页

用发散法合成了周边含 1 2个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3 )端基的树状碳硅烷 ( D1 ) ,并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外 -可见光谱、偏光显微镜、DSC和 WAXD对产物进行表征 .结果表明 ,D1为向列相 ,与 M3相同 ,树状物相态... 用发散法合成了周边含 1 2个己氧基偶氮苯介晶基元 ( M3 )端基的树状碳硅烷 ( D1 ) ,并用元素分析、氢谱、激光质谱、红外光谱、紫外 -可见光谱、偏光显微镜、DSC和 WAXD对产物进行表征 .结果表明 ,D1为向列相 ,与 M3相同 ,树状物相态由介晶基元相态决定 ,D1的液晶态相行为 :K92 N1 2 6I1 2 4N78K,D1熔点比 M3降低了 2 4～ 3 0℃ ,D1清亮点比 M3提高了 6～ 8℃ ,D1液晶态温区比 M3加宽 3 0～ 3 8℃ ,在树状物中观察到 S=+2的高强向错 . 展开更多

关键词 端基 己氧基偶氮苯介晶基元 树状化合物 碳硅烷 液晶 合成 向列相

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基于季戊四醇的二代硅碳烷液晶树状物——端基含36个丁氧基偶氮苯基团 被引量：7

11

作者 唐新德 张其震 +1 位作者 范星河 周其凤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期1664-1666,1669,共4页

以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-丁氧基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-C4)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个丁氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-C4。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元... 以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-丁氧基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-C4)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个丁氧基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-C4。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素分析(EA)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热法(DSC)进行了表征。PCSi-2G-C4与M-C4同为向列相,说明树状物相态由介晶基元相态决定。PCSi-2G-C4的熔点比M-C4降低13℃,清亮点比M-C4降低15℃。 展开更多

关键词 硅碳烷液晶树状物 季戊四醇 丁氧基偶氮苯 介晶基元

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一代树状碳硅烷液晶研究——端基含12个4-硝基偶氮苯介晶基元 被引量：6

12

作者 张其震 盛昕 +3 位作者 殷晓颖 季怡萍 李光 赵晓光 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第9期1478-1483,共6页

用发散法合成了以四碳硅烷为核心 ,周边含 12个 4 硝基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基的新的一代树状碳硅烷 (D1)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸离子化飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热... 用发散法合成了以四碳硅烷为核心 ,周边含 12个 4 硝基偶氮苯介晶基元 (M 5 )端基的新的一代树状碳硅烷 (D1)液晶 ,并用元素分析、核磁共振、基质辅助激光解吸离子化飞行时间质谱 (MALDI TOF MS)、红外、紫外、偏光显微镜、差示扫描量热 (DSC)和X射线衍射法 (WAXD)表征 .介晶基元化合物 (M 5 )显示向列相 ,树状物D1显示胆甾相和SE 相 .D1的液晶相相行为是K70Ch188I185Ch5 8SE48K . 展开更多

关键词 树枝状化合物 碳硅烷 液晶 端基 4-硝基偶氮苯 介晶基元 胆甾相 合成

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端基含36个己氧基偶氮苯基元的二代碳硅烷光致变色液晶树状高分子的光化学研究 被引量：5

13

作者 张其震 刘建强 +1 位作者 唐新德 张静智 《高分子学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第4期544-548,共5页

研究了含36个己氧基偶氮苯介晶基元的二代(G2)光致变色液晶树枝状高分子在氯仿和四氢呋喃溶液中的最大吸收波长,摩尔消光系数,反顺光异构化反应速率常数,光化学回复异构化正逆反应速率常数及其平衡常数,G2和G1的光致变色反应速率常数kp... 研究了含36个己氧基偶氮苯介晶基元的二代(G2)光致变色液晶树枝状高分子在氯仿和四氢呋喃溶液中的最大吸收波长,摩尔消光系数,反顺光异构化反应速率常数,光化学回复异构化正逆反应速率常数及其平衡常数,G2和G1的光致变色反应速率常数kp为10-1s-1,而含偶氮基元光致变色液晶聚硅氧烷的kp为10-8s-1,因此液晶树状高分子的光响应速率比后者快107倍. 展开更多

关键词 光致变色液晶树状高分子 反-顺光异构化 光化学回复异构化 碳硅烷 液晶聚硅氧烷 树状高分子 光致变色 介晶基元 偶氮苯 化学研究

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新型偶氮苯类树状液晶的合成及表征 被引量：4

14

作者 贺小华 张晔 颜德岳 《功能高分子学报》 CAS CSCD 2004年第4期570-574,共5页

采用酯化反应合成端基含8个甲氧基偶氮苯介晶基元的新型树状液晶分子,并用元素分析、核磁共 振(NMR)、红外光谱(IR)、差示扫描量热(DSC)和偏光显微镜(POM)表征树状液晶分子的结构与液晶性。 结果表明:树枝状液晶分子在76℃表现出近晶态... 采用酯化反应合成端基含8个甲氧基偶氮苯介晶基元的新型树状液晶分子,并用元素分析、核磁共 振(NMR)、红外光谱(IR)、差示扫描量热(DSC)和偏光显微镜(POM)表征树状液晶分子的结构与液晶性。 结果表明:树枝状液晶分子在76℃表现出近晶态(S)向向列态(N)转变;在137℃表现出向列态向各相同性态 转变;通过偏光显微镜观察到近晶态典型的焦锥织构,向列态典型的丝状织构。 展开更多

关键词 偶氮苯 液晶分子 介晶基元 性态 表征 树枝状 甲氧基 新型 合成 并用

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基于季戊四醇的二代硅碳烷液晶树状物研究——端基含36个4-硝基偶氮苯基团 被引量：1

15

作者 唐新德 张其震 +1 位作者 范星河 周其凤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第7期1036-1038,1042,共4页

以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-硝基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-NO2)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个硝基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-NO2。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素... 以基于季戊四醇的二代硅碳烷树状氯化物PCSi-2G-Cl为脚手架、4-硝基-4’-羟己氧基偶氮苯(M-NO2)为介晶基元,合成了以季戊四醇为核、端基含36个硝基偶氮苯的新型硅碳烷液晶树状物PCSi-2G-NO2。利用红外光谱(IR)、核磁共振(1H NMR)、元素分析(EA)、偏光显微镜(POM)和差示扫描量热法(DSC)进行了表征,PCSi-2G-NO2显示近晶相,其液晶相行为是K57SE76SA111I110SA75SE56K。而对应的介晶基元M-NO2则为向列相,树状物与修饰单元在熔点、清亮点和液晶态温度区间等方面也存在较大差异。 展开更多

关键词 硅碳烷液晶树状物 季戊四醇 4-硝基偶氮苯 二代树状物 介晶基元

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对甲氧基偶氮苯衍生物的核磁共振表征

16

作者 景凤英 吴亦洁 +3 位作者 张建国 王国杰 李敏 陈欣芳 《分析测试学报》 CAS CSCD 1999年第6期5-8,共4页

用一维１ Ｈ ＮＭＲ、１３Ｃ ＮＭＲ 方法研究了对甲氧基偶氮苯衍生物的结构， 并通过二维１ Ｈ－ １ Ｈ 同核相关谱（ＣＯＳＹ） 、１３ Ｃ－ １ Ｈ 异核相关谱（ ＨＥＴＣＯＲ） 及１３Ｃ－ １ Ｈ 异核远程相关谱进一步地确定了该类... 用一维１ Ｈ ＮＭＲ、１３Ｃ ＮＭＲ 方法研究了对甲氧基偶氮苯衍生物的结构， 并通过二维１ Ｈ－ １ Ｈ 同核相关谱（ＣＯＳＹ） 、１３ Ｃ－ １ Ｈ 异核相关谱（ ＨＥＴＣＯＲ） 及１３Ｃ－ １ Ｈ 异核远程相关谱进一步地确定了该类衍生物的１ Ｈ 谱和１３ Ｃ 谱中各谱峰的归属， 为研究侧链液晶聚合物结构提供了有价值的数据。 展开更多

关键词 核磁共振 介晶基团 偶氮苯 对甲氧基偶氮苯

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偶氮苯侧链液晶聚合物膜快速不饱和光致取向研究

17

作者 刘剑 王明乐 +3 位作者 高刘德 董明灵 田晶晶 李园园 《西南科技大学学报》 CAS 2011年第2期1-4,9,共5页

用薄膜透射率变化研究了偶氮液晶聚合物膜不同功率光照条件下的取向速度及取向稳定性,并用锥光干涉图确定了相应介晶基元的取向方向。实验结果表明介晶基元的取向速度和取向度随光照时间和光照功率增加而增加,超过一定功率阈值时,取向... 用薄膜透射率变化研究了偶氮液晶聚合物膜不同功率光照条件下的取向速度及取向稳定性,并用锥光干涉图确定了相应介晶基元的取向方向。实验结果表明介晶基元的取向速度和取向度随光照时间和光照功率增加而增加,超过一定功率阈值时,取向变得不稳定,光照时间增加而薄膜的取向度(透射率)反而降低。介晶基元的取向方向结果表明在阈值功率以上强度光照时,介晶基元发生了面内和面外两种取向。面外取向的介晶基元不稳定,在停止光照后容易发生解取向,聚合物膜的透射率降低。而面内取向的介晶基元则能稳定维持其取向状态,不会发生解取向。采用不饱和取向的方法可缩短取向时间95%,薄膜取向度提高1.3倍。4 ms的一次曝光足以使聚合物膜产生可读出、稳定的面内取向,取向的结果能保持2年不发生变化。 展开更多

关键词 偶氮苯 介晶基元 聚合物 光致取向特性

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基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物研究 被引量：3

18

作者 唐新德 张其震 +3 位作者 李爱香 范星河 陈小芳 周其凤 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第2期138-142,共5页

用发散法合成了季戊四醇-四烯丙基醚为核、周边含硝基偶氮苯介晶基元(M-NO2)端基的新型三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-NO2,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)进行表征... 用发散法合成了季戊四醇-四烯丙基醚为核、周边含硝基偶氮苯介晶基元(M-NO2)端基的新型三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-NO2,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)和X射线衍射(XRD)进行表征.PCSi-3G-NO2显示胆甾相和近晶SE相,其液晶相行为是K57SE115I100Ch80SE53K.而对应的介晶基元M-NO2显示向列相,二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面差别较大. 展开更多

关键词 介晶基元 液晶 偶氮苯 胆甾相 发散法 向列相 相行为 季戊四醇 烯丙基醚 硝基

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一代碳硅烷树枝状大分子钯配合物的液晶性 被引量：5

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作者 张其震 殷晓颖 +1 位作者 李爱香 王艳 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第10期934-940,i003,共8页

合成了新的周边含12个4-硝基偶氮苯端基一代碳硅烷树枝状大分子的钯(II)配合物(G1Pd),并用元素分析、核磁共振氢谱、碳谱、红外、紫外-可见光谱、能量色散X射线分析(EDXRA)、偏光显微镜、差示扫描量热法和广角X射线衍射法对其结构和液... 合成了新的周边含12个4-硝基偶氮苯端基一代碳硅烷树枝状大分子的钯(II)配合物(G1Pd),并用元素分析、核磁共振氢谱、碳谱、红外、紫外-可见光谱、能量色散X射线分析(EDXRA)、偏光显微镜、差示扫描量热法和广角X射线衍射法对其结构和液晶性质进行了表征.配合物G1Pd的相行为是K122ch189I166ch90K.给出一种具有新的结构特点的液晶性树枝状大分子,它兼有配位金属和介晶基元.在液晶和液晶高分子界观察到首例胆甾相的高强向错和首例树枝状大分子配合物的高强向错现象. 展开更多

关键词 树枝状大分子 碳硅烷 钯配合物 一代 钯(Ⅱ)配合物 4-硝基偶氮苯 紫外-可见光谱 差示扫描量热法 核磁共振氢谱 X射线衍射法 高强向错 X射线分析 偏光显微镜 液晶高分子 元素分析 能量色散 液晶性质 结构特点 介晶基元 相行为

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基于季戊四醇的三代硅碳烷液晶树状物的合成与表征(英文)

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作者 唐新德 张其震 +2 位作者 范星河 陈小芳 周其凤 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期164-168,共5页

合成了外围含4-丁氧基偶氮苯介晶基元的三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-C4。以4-[4-(6-羟基己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯介晶基团对端基官能团为Si-Cl的三代硅碳烷树状物PCSi-3G-Cl脚手架进行功能化,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(... 合成了外围含4-丁氧基偶氮苯介晶基元的三代硅碳烷液晶树状物PCSi-3G-C4。以4-[4-(6-羟基己氧基)苯基]丁氧基偶氮苯介晶基团对端基官能团为Si-Cl的三代硅碳烷树状物PCSi-3G-Cl脚手架进行功能化,并利用元素分析、红外光谱(IR)、核磁共振(NMR)、偏光显微镜(POM)、差示扫描量热法(DSC)对其结构与液晶性进行表征。结果表明,与对应的液晶基元相似PCSi-3G-C4显示向列相,但二者在熔点、清亮点和液晶态温区等方面存在一定差异。 展开更多

关键词 季戊四醇 硅碳烷液晶树状物 介晶基元 丁氧基偶氮苯 向列相

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