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电化学两步处理对精磨YG6硬质合金性能及金刚石涂层的影响
1
作者
张湘辉
汪灵
+4 位作者
龙剑平
常嗣和
朱必武
陈伟
冯艳华
《工具技术》
2011年第8期43-48,共6页
采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电...
采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电动轮廓仪、洛氏硬度计等进行了表征。结果表明:直、交电化学腐蚀都可以有效地去除YG6硬质合金基体表面因开刃精磨而形成的结构复杂的WC"表皮"。但交流电化学对精磨基体的腐蚀效率较低,处理后基体表面性能较差,不利于金刚石薄膜的形核与生长。而直流电化学两步法可以通过电化学腐蚀时间、酸蚀时间来有效调控基体表面微观结构、Co含量与机械性能,在直流1 A电化学腐蚀5min,王水再腐蚀90s后的精磨硬质合金基体上获得了较高品质、膜基附着性能的金刚石涂层,适合作为精磨基体前处理技术。
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关键词
电化学
两步腐蚀法
金刚石薄膜涂层
直流弧光放电等离子体化学气相沉积
精磨硬质WC-6%wt-
CO合金
下载PDF
职称材料
多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
2
作者
徐杰
贾伟
+5 位作者
董海亮
贾志刚
李天保
余春燕
张竹霞
许并社
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第9期1405-1413,共9页
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密...
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10^(10 )cm^(-2),深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。
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关键词
氮化镓(GaN)
多孔阵列结构
电化学
腐蚀
紫外辅助电化学
腐蚀
两步腐蚀法
光电性能
原文传递
题名
电化学两步处理对精磨YG6硬质合金性能及金刚石涂层的影响
1
作者
张湘辉
汪灵
龙剑平
常嗣和
朱必武
陈伟
冯艳华
机构
成都理工大学材料与化学化工学院
成都理工大学金刚石薄膜实验室
成都理工大学
出处
《工具技术》
2011年第8期43-48,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(50974025
40572030)
+3 种基金
四川省科技厅重点科技攻关项目(05GG021-001)
四川省教育厅自然科学重点科研项目(2003A142)
四川省教育厅自然科学项目(07ZB009)
成都理工大学研究基金资助项目(2005GY02)
文摘
采用电化学两步腐蚀法进行表面预处理研究,探讨了电化学腐蚀中电流类型、腐蚀时间等参数对精磨YG6硬质合金基体的影响;在此基体上,采用直流弧光放电等离子体CVD法制备了金刚石薄膜,并采用SEM、激光拉曼光谱仪、原子吸收分光光度计、电动轮廓仪、洛氏硬度计等进行了表征。结果表明:直、交电化学腐蚀都可以有效地去除YG6硬质合金基体表面因开刃精磨而形成的结构复杂的WC"表皮"。但交流电化学对精磨基体的腐蚀效率较低,处理后基体表面性能较差,不利于金刚石薄膜的形核与生长。而直流电化学两步法可以通过电化学腐蚀时间、酸蚀时间来有效调控基体表面微观结构、Co含量与机械性能,在直流1 A电化学腐蚀5min,王水再腐蚀90s后的精磨硬质合金基体上获得了较高品质、膜基附着性能的金刚石涂层,适合作为精磨基体前处理技术。
关键词
电化学
两步腐蚀法
金刚石薄膜涂层
直流弧光放电等离子体化学气相沉积
精磨硬质WC-6%wt-
CO合金
Keywords
two-step electro-polishing pretreaunent method
diamond coatings
fine grinding cemented carbide
DC arc discharge plasma chemical vapor deposition
分类号
TG174.36 [金属学及工艺—金属表面处理]
下载PDF
职称材料
题名
多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
2
作者
徐杰
贾伟
董海亮
贾志刚
李天保
余春燕
张竹霞
许并社
机构
太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室
山西浙大新材料与化工研究院
陕西科技大学材料原子和分子科学研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023年第9期1405-1413,共9页
基金
国家自然科学基金(61604104,21972103,61904120)
山西省自然科学基金(201901D111109)
+1 种基金
山西省重点研发计划项目(201903D111009)
山西浙大新材料与化工研究院项目(2021SX-AT002)。
文摘
以硝酸钠溶液作为腐蚀液,通过电化学和紫外辅助电化学相结合的两步法腐蚀GaN薄膜,制备出了多孔阵列结构。采用扫描电子显微镜(SEM)表征了多孔阵列结构的形貌,结果表明多孔GaN阵列结构排列整齐,孔径分布均匀,其平均孔径为24.1 nm,孔隙密度为3.86×10^(10 )cm^(-2),深度为2μm。利用X射线衍射仪(XRD)和Raman光谱仪表征了多孔GaN阵列的晶体结构,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的晶体质量更好,且具有较低的残余应力。使用光致发光(PL)光谱和紫外-可见光(UV-Vis)吸收光谱表征了GaN的光学性能,与平面GaN薄膜相比,多孔GaN阵列结构的光致发光强度和光吸收能力有较大提升。通过电化学工作站对多孔GaN阵列结构的光电性能进行测试,在1.23 V偏压下,多孔GaN阵列结构的光电流是GaN平面结构的约3.36倍,最大光电转化效率ηmax是平面GaN薄膜的约3.5倍。该研究为多孔GaN阵列结构的应用提供了一定的实验数据和理论指导。
关键词
氮化镓(GaN)
多孔阵列结构
电化学
腐蚀
紫外辅助电化学
腐蚀
两步腐蚀法
光电性能
Keywords
gallium nitride(GaN)
porous array structure
electrochemical etching
UV-assisted electrochemical etching
two-step etching method
photoelectric property
分类号
O734 [理学—晶体学]
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电化学两步处理对精磨YG6硬质合金性能及金刚石涂层的影响
张湘辉
汪灵
龙剑平
常嗣和
朱必武
陈伟
冯艳华
《工具技术》
2011
0
下载PDF
职称材料
2
多孔GaN阵列结构的制备及其光电性能
徐杰
贾伟
董海亮
贾志刚
李天保
余春燕
张竹霞
许并社
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2023
0
原文传递
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