以中华矮樱、G isela-5、G isela-7为供试材料,进行组培快繁技术研究,结果表明中华矮樱适宜的初代培养基为M S+6-BA 1.0 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 1.0 m g.L-1+NAA 0.2 m g.L-1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.8 m g.L-...以中华矮樱、G isela-5、G isela-7为供试材料,进行组培快繁技术研究,结果表明中华矮樱适宜的初代培养基为M S+6-BA 1.0 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 1.0 m g.L-1+NAA 0.2 m g.L-1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.8 m g.L-1;G isela-5号适宜的初代培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA 0.2 m g.-L 1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.5 m g.-L 1;G isela-7适宜的初代培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA0.1 m g.-L 1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.5 m g.L-1。展开更多
文摘以中华矮樱、G isela-5、G isela-7为供试材料,进行组培快繁技术研究,结果表明中华矮樱适宜的初代培养基为M S+6-BA 1.0 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 1.0 m g.L-1+NAA 0.2 m g.L-1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.8 m g.L-1;G isela-5号适宜的初代培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA 0.2 m g.-L 1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.5 m g.-L 1;G isela-7适宜的初代培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA 0.1 m g.L-1,增殖培养基为M S+6-BA 0.8 m g.L-1+NAA0.1 m g.-L 1,生根培养基为1/2M S+NAA 0.5 m g.L-1。
