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采用自适应连续时间线性均衡器和判决反馈均衡器算法的一种16 Gbit/s并转串/串转并接口
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作者 文溢 陈建军 +2 位作者 黄俊 姚啸虎 刘衡竹 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第11期3984-3990,共7页
该文在体硅CMOS工艺下设计了一种16 Gbit/s并转串/串转并接口(SerDes)芯片,该SerDes由4个通道(lanes)和2个锁相环(PLLs)组成。在接收器模拟前端(AFE)采用负阻抗结构连续时间线性均衡器(CTLE),得到22.9 dB高频增益,利用5-tap判决反馈均衡... 该文在体硅CMOS工艺下设计了一种16 Gbit/s并转串/串转并接口(SerDes)芯片,该SerDes由4个通道(lanes)和2个锁相环(PLLs)组成。在接收器模拟前端(AFE)采用负阻抗结构连续时间线性均衡器(CTLE),得到22.9 dB高频增益,利用5-tap判决反馈均衡器(DFE)进一步对信号码间干扰(ISI)做补偿,其中tap1做展开预计算处理,得到充足的时序约束条件。采用最小均方根(LMS)算法自适应控制CTLE和DFE的补偿系数来对抗工艺、电源和温度波动带来的影响。测试结果表明,芯片工作在16 Gbit/s时,总功耗为615 mW。发射器输出信号眼高为143 mV,眼宽43.8 ps(0.7UI),接收器抖动容忍指标在各频点均满足PCIe4.0协议要求,工作温度覆盖–55℃~125℃,电源电压覆盖0.9 V±10%,误码率小于1E-12。 展开更多
关键词 串转并/并转串接口 连续时间线性均衡器 判决反馈均衡器 最小均方根算法
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28nm CMOS工艺8-Gbps SerDes单粒子辐射特性研究 被引量：1
2
作者 文溢 陈建军 +2 位作者 梁斌 池雅庆 黄俊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期2653-2658,共6页
本文研究了28 nm体硅CMOS工艺下8-Gbps通用结构高速并转串/串转并接口(Serializer/Deserializer,SerDes)的单粒子辐射特性,该SerDes由电压模发送器(Transmitter,TX)和相位插值(Phase Interpolation,PI)型接收器(Receiver,RX)组成,通过... 本文研究了28 nm体硅CMOS工艺下8-Gbps通用结构高速并转串/串转并接口(Serializer/Deserializer,SerDes)的单粒子辐射特性,该SerDes由电压模发送器(Transmitter,TX)和相位插值(Phase Interpolation,PI)型接收器(Receiver,RX)组成,通过双指数电流源对整个SerDes的TX和RX进行了单粒子效应仿真,仿真结果表明该SerDes的TX和RX均会发生单粒子瞬态(Single-Event Transient,SET),且主要敏感节点包括:D触发器,采样器和时钟相位插值器.进一步采用脉冲激光对整个SerDes进行了扫描测试,测试结果验证了仿真结论.该研究为抗辐射SerDes的研制提供了重要的理论依据. 展开更多
关键词 串转并/并转串接口 单粒子效应 双指数电流源仿真 敏感节点 脉冲激光测试
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