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SIT制造中的低温二次外延工艺
1
作者 陈显萼 姚海伦 《半导体杂志》 1994年第3期6-11,共6页
ＳＩＴ之类的隐埋栅结型场效应管，在制作工艺中，为了达到把“栅”隐埋起来的目的，必须采用二次外延工艺．本文讨论了二次外延工艺的特点及采用硅烷外延实现二次外延的质量控制。
关键词 SIT 二次外延 隐埋栅 结型 场效应器件
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缺陷表面氮化镓二次外延的分子动力学研究
2
作者 文于华 贺致远 +3 位作者 田芃 金佳鸿 张梅 汤莉莉 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 2018年第5期534-538,共5页
采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明... 采用分子动力学方法研究含有表面缺陷的氮化镓材料的二次外延生长过程,探讨生长温度,表面缺陷数量和缺陷结构等对二次生长材料质量的影响.发现当在生长表面随机引入3.125%占比的空位缺陷且生长温度在1 373 K以上时,对材料质量的影响不明显;当随机引入12.5%占比的空位缺陷时,可以改善二次生长材料的质量;当在生长表面上引入12.5%占比的2个六边形结构空位缺陷时,缺陷区域出现大量原子的岛状生长,同时原子排列变得无序,二次生长的材料生长质量明显劣化. 展开更多
关键词 氮化镓 分子动力学 二次外延 缺陷
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大功率808 nm分布反馈激光器阵列研制
3
作者 孙春明 朱振 +4 位作者 任夫洋 陈康 苏建 夏伟 徐现刚 《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第1期72-76,共5页
为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相... 为了提高808 nm大功率半导体激光器阵列的波长稳定性,提出了带有二阶布拉格光栅的大功率宽条型808 nm分布反馈激光器阵列。相比于传统的一阶布拉格光栅,其可以显著抑制简并纵模的产生,提高器件的波长锁定范围。借助于金属有机化学气相沉积、全息光刻、干法刻蚀以及湿法腐蚀等工艺,完成了器件的制备,并且在准连续条件(200 A、200μs、20 Hz)下,对所制备的激光器阵列进行了不同温度下的性能测试。测试结果表明:器件峰值输出功率可达到190 W,光电转换效率超过55%,光谱半高宽为0.6 nm,温漂系数为0.06 nm/K,波长锁定范围达到125℃(-35~90℃)。另外,对其进行了老化考评,结果显示,老化2 000 h后峰值功率衰减小于4%。 展开更多
关键词 温漂系数 二次外延 全息光刻 二阶光栅 激光器阵列
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外延缺陷对分布反馈半导体激光器可靠性的影响
4
作者 张坤伟 焦梦丽 +1 位作者 曹晨涛 赵润 《中国标准化》 2021年第13期188-191,共4页
通过对分布反馈半导体激光器(DFB-LD)外延片缺陷密度、芯片反向电压以及芯片可靠性三者关联关系的分析,推断出芯片反向电压与芯片可靠性的相关性。设计并通过试验证实反向电压绝对值低的芯片可靠性差,而反向电压满足一定判定标准的芯片... 通过对分布反馈半导体激光器(DFB-LD)外延片缺陷密度、芯片反向电压以及芯片可靠性三者关联关系的分析,推断出芯片反向电压与芯片可靠性的相关性。设计并通过试验证实反向电压绝对值低的芯片可靠性差,而反向电压满足一定判定标准的芯片早期失效率低且长期可靠性良好。本文证明反向电压测试可以用于DFB激光器芯片的测试标准,作为DFB激光器芯片可靠性的有效筛选手段。 展开更多
关键词 分布反馈半导体激光器 反向电压 二次外延生长 外延缺陷密度 失效率
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大功率量子级联激光器的光学与热学协同优化设计
5
作者 杨若珂 张东亮 +5 位作者 郑显通 田旺 柳渊 鹿利单 祝连庆 王伟平 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第9期1350-1359,共10页
针对大功率量子级联激光器存在热积累严重的问题,本文基于MBE与MOCVD结合的二次外延生长InP基量子级联激光器结构的工艺方法,设计优化中波单管4W连续光输出的大功率量子级联激光器光学与散热性能。通过COMSOL软件对器件结构进行建模,设... 针对大功率量子级联激光器存在热积累严重的问题,本文基于MBE与MOCVD结合的二次外延生长InP基量子级联激光器结构的工艺方法,设计优化中波单管4W连续光输出的大功率量子级联激光器光学与散热性能。通过COMSOL软件对器件结构进行建模,设计器件光学和热学结构模型,分析不同结构参数对器件性能的影响,得到最优结构参数:在In053Ga047As层厚度为50nm,波导下包层InP为1μm,上包层InP为2μm,封装金层厚度为3μm时,器件光学和热学综合性能最优,其中波导光限制因子为074,核心区温度为378 K。本文研究相关结论可为后续大功率中波量子级联激光器结构与工艺设计提供指导。 展开更多
关键词 量子级联激光器 二次外延 波导结构 热学结构 协同优化
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大功率分布反馈半导体激光器研究进展 被引量：5
6
作者 李杨 冯源 +6 位作者 李洋 张昕 岳光礼 王志伟 谢检来 王霞 郝永芹 《微纳电子技术》 北大核心 2018年第6期388-396,407,共10页
介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理，分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况，从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外... 介绍了分布反馈半导体激光器（DFB-LD）的工作原理，分析了不同的光栅阶数及耦合机制对DFB-LD激光输出特性的影响。重点评述了大功率DFB-LD研究发展状况，从结构特性及技术手段等方面详细分析了不同技术方案的优势与不足：大功率二次外延DFB-LD对光栅和有效光场耦合较好，但二次外延对技术控制精度要求极高且会引入缺陷；表面金属光栅边发射DFl3-LD避免了二次外延，但制作金属光栅时会出现欧姆接触电阻大和阈值特性劣化等问题；大功率表面光栅面发射DFB-LD虽然在获得高功率高质量光束方面有很大优势，且避免了二次外延，但存在光栅的表面耦合系数较低等技术难题。最后总结分析大功率DFB-LD技术发展趋势，对其广阔的应用前景进行展望。 展开更多
关键词 半导体激光器 高功率 波长稳定性 分布反馈 光栅 二次外延
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