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题名基于二维汉明码结构的闪存纠错存储系统
被引量：2
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作者
余辉龙
张健
李清
覃翠
赵静
花涛
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机构
南京工程学院
中北大学
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出处
《微电子学与计算机》
CSCD
北大核心
2018年第3期1-3,共3页
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基金
国家自然科学基金(61501222)
山西省自然科学基金(2015011060)
南京工程学院校级科研基金(YKJ201322)
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文摘
针对闪存存储单元会出现多位错误,提出了NAND型闪存存储器的二维汉明码算法,从行和列二维结构上对任意2Jbit字长的存储数据,用统一的公式化算法进行汉明编码,通过计算纠错偶对能够纠错多位数据误码的情况,译码时先纠错,再校验,保证存储系统数据的完整性,解决了MLC结构闪存的纠错问题.在此基础上分析了不能纠错的图样模式.该算法核心结构上只有异或操作,易于实现,适用于NAND型闪存存储器.实验表明,闪存系统中有效数据二维结构为1 024×128时,采用二维汉明码结构,编码效率为11%,实际编码效率为12.6%.其编码速度和译码速度均达到了102Gbps,适用于高速存储系统.
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关键词
二维汉明码
纠错编码
NAND闪存
纠错偶对
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Keywords
two-dimensional hamming code
error correcting code
NAND flash
error-correcting-pairs
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分类号
TP333.5
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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