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研磨方式对单晶蓝宝石亚表面损伤层深度的影响 被引量：20
1
作者 王建彬 朱永伟 +2 位作者 王加顺 徐俊 左敦稳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第5期1099-1104,1120,共7页
研磨过程中产生的亚表面损伤层深度是影响单晶蓝宝石抛光质量的关键因素。本文开展了游离磨料和固结磨料两种研磨方式研磨单晶蓝宝石的实验研究,采用三维形貌仪观察了加工前后的工件表面质量,运用差动腐蚀法比较了研磨方式对研磨后工件... 研磨过程中产生的亚表面损伤层深度是影响单晶蓝宝石抛光质量的关键因素。本文开展了游离磨料和固结磨料两种研磨方式研磨单晶蓝宝石的实验研究,采用三维形貌仪观察了加工前后的工件表面质量,运用差动腐蚀法比较了研磨方式对研磨后工件亚表面损伤层深度的影响。结果表明,金刚石磨料粒径分别为W 50和W 14的游离磨料研磨加工蓝宝石晶片的亚表面损伤层深度分别为48.85μm和7.02μm,而相同粒径固结磨料加工的亚表面损伤层深度分别为5.47μm和3.25μm。固结磨料研磨后的工件表面粗糙度也优于相同粒径的游离磨料加工的工件。固结磨料研磨方式对于蓝宝石单晶表面研磨质量的改善和亚表面损伤层深度的降低具有显著的效果。 展开更多
关键词 单晶蓝宝石 固结磨料 游离磨料 亚表面损伤层深度 表面粗糙度
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X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度 被引量：7
2
作者 曹福年 卜俊鹏 +5 位作者 吴让元 郑红军 惠峰 白玉珂 刘明焦 何宏家 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第8期635-638,共4页
本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种... 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论． 展开更多
关键词 SI-砷化镓 抛光晶片 亚表面损伤层 定量检测
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超低亚表面损伤层GaAs抛光晶片的工艺 被引量：3
3
作者 卜俊鹏 郑红军 +2 位作者 赵冀 朱蓉辉 尹玉华 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期445-448,共4页
在不同弹性抛光布、不同氧化浓度、不同 p H值的抛光液等条件下进行了化学机械抛光试验 ,并用 TEM测量了晶片亚表面损伤层厚度 .研究发现抛光布的弹性及抛光液的氧化和化学去除能力决定了 Ga As抛光晶片的亚表面损伤层深度 。
关键词 GAAS 抛光 亚表面损伤层 砷化镓 半导体
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GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析 被引量：2
4
作者 郑红军 卜俊鹏 +4 位作者 何宏家 吴让元 曹福年 白玉珂 惠峰 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期111-115,共5页
采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶... 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。 展开更多
关键词 砷化镓 抛光 亚表面损伤层
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磨粒尺寸对FAP研抛工件亚表面损伤层深度的影响 被引量：1
5
作者 戴子华 朱永伟 +3 位作者 王加顺 肖仁杰 朱琳 李军 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第11期2970-2977,共8页
建模分析了固结磨料研抛过程中结构因素与工艺参数对磨粒切入工件深度的影响;采用BOE分步腐蚀法测量了不同磨料粒径FAP研抛后K9玻璃、熔石英玻璃亚表面损伤层深度;建立了亚表面损伤层深度与磨粒粒径之间的相关关系。结果表明:固结磨料... 建模分析了固结磨料研抛过程中结构因素与工艺参数对磨粒切入工件深度的影响;采用BOE分步腐蚀法测量了不同磨料粒径FAP研抛后K9玻璃、熔石英玻璃亚表面损伤层深度;建立了亚表面损伤层深度与磨粒粒径之间的相关关系。结果表明:固结磨料研抛条件下,工件亚表面裂纹层深度与工件特性、研抛垫特性及磨粒尺寸相关;基于平均切深的亚表面损伤层模型与实验结果有较好的吻合度。为固结磨料研抛垫的设计与工艺参数的制订提供了理论依据。 展开更多
关键词 亚表面损伤层深度 固结磨料研抛 磨粒粒径 切入深度
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具有亚表面损伤层基底表面的激光减反膜设计
6
作者 刘华松 刘杰 +3 位作者 王利栓 姜玉刚 冷健 季一勤 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2013年第10期2737-2741,共5页
光学材料的亚表面损伤层(SSD)是激光光学领域内的研究热点之一。亚表面损伤层的存在将导致其表面薄膜特性发生变化,尤其是在高精度低损耗激光薄膜的设计与制造中亚表面损伤层必须给予考虑。文中研究了亚表面损伤层的物理特性,并借助于... 光学材料的亚表面损伤层(SSD)是激光光学领域内的研究热点之一。亚表面损伤层的存在将导致其表面薄膜特性发生变化,尤其是在高精度低损耗激光薄膜的设计与制造中亚表面损伤层必须给予考虑。文中研究了亚表面损伤层的物理特性,并借助于椭圆偏振仪测量基底表面的椭偏光谱,反演计算出SSD的物理厚度和折射率梯度。通过计算得到了亚表面的深度和梯度对激光减反膜反射率光谱的影响,证明了亚表面深度对反射率的影响具有周期效应。在考虑亚表面损伤层的深度和梯度存在的基础上,对激光减反膜的设计进行了理论修正,数值实验结果证明通过膜系的修正可以实现633 nm处的零反射。 展开更多
关键词 激光减反膜 亚表面损伤层 椭偏光谱 折射率梯度
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低亚表面损伤石英光学基底的加工和检测技术 被引量：14
7
作者 马彬 沈正祥 +5 位作者 张众 贺鹏飞 季一勤 刘华松 刘丹丹 王占山 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第9期2181-2185,共5页
制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了... 制备低亚表面损伤的超光滑光学基底,是获得高损伤阈值薄膜的前提条件。针对石英材料在不同加工工序中引入亚表面损伤层的差异,首先利用共焦显微成像结合光散射的层析扫描技术,对W10和W5牌号SiC磨料研磨后的亚表面缺陷进行了检测,讨论了缺陷尺寸与散射信号强度、磨料粒径与损伤层深度间的对应关系;同时,采用化学腐蚀处理技术对抛光后样品的亚表面形貌进行了刻蚀研究,分析了化学反应生成物和亚表面缺陷对刻蚀速率的影响、不同深度下亚表面缺陷的分布特征,以及均方根粗糙度与刻蚀深度间的联系。根据各道加工工艺的不同采用了相应的亚表面检测技术,由此来确定下一道加工工序,合理的去除深度,最终获得了极低亚表面损伤的超光滑光学基底。 展开更多
关键词 亚表面损伤层 共焦显微成像 光散射 化学腐蚀 刻蚀速率
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β-Ga_(2)O_(3)晶体金刚石线锯切割的表面质量研究 被引量：1
8
作者 李晖 高鹏程 +4 位作者 程红娟 王英民 高飞 张弛 王磊 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2022年第12期2040-2047,2062,共9页
本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001... 本文探究了往复式金刚石线锯的工艺参数对β-Ga_(2)O_(3)单晶沿(001)晶面切片时表面质量的影响,从压痕断裂力学理论角度探究了金刚石线锯切割β-Ga_(2)O_(3)单晶过程中磨粒行为和材料去除机理。实验从各向异性角度分析了切割方向对(001)面β-Ga_(2)O_(3)单晶切割片表面质量的影响,并采用SEM和SJ-210粗糙度测试仪探究了工艺参数对金刚石线锯切割后的晶片表面质量的影响。实验结果表明,增大锯丝速度或减小材料进给速度都能降低亚表面损伤层深度及表面粗糙度,有效改善晶片表面质量。 展开更多
关键词 β-Ga_(2)O_(3)晶片 金刚石线锯 切割方向 亚表面损伤层 表面粗糙度
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芯片背面磨削减薄技术研究 被引量：7
9
作者 王仲康 杨生荣 《电子工业专用设备》 2010年第1期23-27,共5页
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。
关键词 背面减薄 自旋转磨削 亚表面损伤层 总厚度误差 延性域 崩边
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石英玻璃片的化学抛光工艺研究 被引量：2
10
作者 汤英童 杨长城 《光学与光电技术》 2022年第2期159-164,共6页
石英玻璃是紫外光刻、激光核技术等精密光学系统的关键光学元件。石英玻璃在加工过程中易出现表面及亚表面损伤和蚀坑等缺陷问题,化学抛光能有效消除石英玻璃的亚表面损伤。介绍了石英玻璃片的化学抛光工艺原理和过程,利用正交实验法优... 石英玻璃是紫外光刻、激光核技术等精密光学系统的关键光学元件。石英玻璃在加工过程中易出现表面及亚表面损伤和蚀坑等缺陷问题,化学抛光能有效消除石英玻璃的亚表面损伤。介绍了石英玻璃片的化学抛光工艺原理和过程,利用正交实验法优化了石英玻璃化学抛光工艺参数,分析了化学抛光过程中抛光液成分、抛光液温度和抛光时间对石英玻璃片表面粗糙度的影响。实验结果表明,采用氟化氢铵、水和丙三醇配置的化学抛光液,在最优化的工艺参数时,石英玻璃片经过化学抛光,表面粗糙度可降到100 nm左右,可见光透过率最高可达到89%。为石英玻璃光学零件的化学抛光工艺提供了理论依据和技术支持。 展开更多
关键词 石英玻璃 亚表面损伤层 化学抛光 表面粗糙度 工艺
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