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热效应在电流驱动反铁磁/铁磁交换偏置场翻转中的显著作用
1
作者 何宇 陈伟斌 +9 位作者 洪宾 黄文涛 张昆 陈磊 冯学强 李博 刘菓 孙笑寒 赵萌 张悦 《物理学报》 SCIE EI CSCD 北大核心 2024年第2期269-277,共9页
电流驱动的面内交换偏置场翻转具有无需外磁场辅助、抗磁场干扰以及强磁各向异性等优势,受到广泛关注.然而,在纳米级厚度薄膜系统中,反铁磁/铁磁异质结的阻塞温度较低,同时电流脉冲会产生大量的焦耳热,理论上电流热效应对于交换偏置场... 电流驱动的面内交换偏置场翻转具有无需外磁场辅助、抗磁场干扰以及强磁各向异性等优势,受到广泛关注.然而,在纳米级厚度薄膜系统中,反铁磁/铁磁异质结的阻塞温度较低,同时电流脉冲会产生大量的焦耳热,理论上电流热效应对于交换偏置场翻转有着显著作用,但是其作用机制缺乏相关研究和验证.我们制备了一系列反铁磁IrMn厚度不同的Pt/IrMn/Py异质结,系统性地研究了热效应在电流翻转交换偏置场中的作用机制.结果表明,在毫秒级电流脉冲下,焦耳热能够使得器件升温至阻塞温度以上,解除反铁磁/铁磁界面的交换耦合,同时电流产生的奥斯特场和自旋轨道矩能够翻转铁磁磁矩,在降温过程中完成交换偏置场的翻转.并且,在翻转过程中,反铁磁/铁磁异质结的各向异性磁阻曲线呈现与温度相关的两步磁化翻转现象,分析表明该现象起源于交换偏置耦合与铁磁直接交换作用之间的竞争关系.本文的研究结果厘清了热效应在电流驱动交换偏置场翻转过程中的重要作用,有助于推动基于电控交换偏置场的自旋电子器件发展. 展开更多
关键词 交换偏置场 反铁磁/铁磁 热效应 自旋轨道矩
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电流焦耳热调控反转型垂直(Co/Pt)n/Co/IrMn纳米多层膜结构的交换偏置效应研究 被引量：1
2
作者 丰家峰 魏红祥 +3 位作者 于国强 黄辉 郭经红 韩秀峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第1期331-337,共7页
交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数.在外加磁场辅助下,本文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法.通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)_(n)/Co/IrMn(简称垂直多层膜结构,n+1是Co层周期数)... 交换偏置效应影响磁敏传感器中的关键性能参数.在外加磁场辅助下,本文提出一种电流产生的焦耳热调控交换偏置效应的研究方法.通过该方法,系统调控了反转型垂直纳米多层膜结构(Co/Pt)_(n)/Co/IrMn(简称垂直多层膜结构,n+1是Co层周期数)的面内交换偏置效应,不仅连续改变了交换偏置场Heb大小,而且实现了Heb的翻转.在垂直多层膜结构中,如果固定外加磁场H_(p)(脉冲电流I_(DC))后连续改变I_(DC)(H_(p))的大小可以连续调控Heb的数值;如果固定H_(p)(I_(DC))后同时改变I_(DC)(H_(p))的大小和方向,则在较大I_(DC)时可实现H_(eb)的翻转.结果表明,该方法可以用来原位调控磁敏传感器的线性磁场范围和灵敏度等关键性能参数,对磁敏传感器的优化研究具有重要的借鉴意义. 展开更多
关键词 磁敏传感器 交换偏置效应 电流焦耳热 垂直纳米多层膜结构
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自由层磁性交换偏置效应调控隧穿磁电阻磁传感单元性能
3
作者 丰家峰 陈星 +6 位作者 魏红祥 陈鹏 兰贵彬 刘要稳 郭经红 黄辉 韩秀峰 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第19期234-239,共6页
优化样品结构参数、磁场退火热处理、串并联桥式设计、施加电流热效应以及额外偏置磁场等是调控隧穿磁电阻(tunnel magnetoresistance,TMR)磁传感性能的常用方法.借助这些方法可以提高TMR磁传感的灵敏度、抗噪声指数、线性度和线性磁场... 优化样品结构参数、磁场退火热处理、串并联桥式设计、施加电流热效应以及额外偏置磁场等是调控隧穿磁电阻(tunnel magnetoresistance,TMR)磁传感性能的常用方法.借助这些方法可以提高TMR磁传感的灵敏度、抗噪声指数、线性度和线性磁场范围等关键性能参数.其中,通过改变TMR磁传感单元的钉扎层、自由层以及势垒层材料和厚度等样品结构参数能够改变交换偏置场,进而提升TMR磁传感性能参数.本文基于微磁学仿真和实验测量发现,通过改变自由层CoFeB/Ru/NiFe/IrMn中的交换耦合作用,可以调制TMR自由层的交换偏置场大小和提升TMR磁传感单元的性能.当逐步增强IrMn钉扎效果时,TMR磁传感单元的线性磁场范围随之增大,但是磁场灵敏度降低;在±0.5倍自由层(主要是CoFeB层)磁矩变化范围内所有TMR磁传感单元的线性度最佳. 展开更多
关键词 交换偏置效应 磁性隧道结 隧穿磁电阻线性传感单元 磁传感器件
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铁磁性FeMnC插入层对FeMn/Co交换偏置的影响
4
作者 王艳文 魏红祥 路庆凤 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期60-62,共3页
我们用磁控溅射方法制备了FeMn/FeMnC/Co薄膜,研究了FeMn-FeMnC-Co体系的交换偏置现象,并探讨了铁磁薄膜FeMn/Co的交换偏置场相对于插入层FeMnC厚度的变化,发现随插入层FeMnC厚度的增加,交换偏置场Heb、矫顽力及剩磁比均减小.
关键词 交换偏置效应 交换偏置场 矫顽力
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磁性材料的交换偏置效应浅谈 被引量：1
5
作者 周圣强 刘先松 《阜阳师范学院学报（自然科学版）》 2010年第4期46-48,60,共4页
交换偏置效应的根源在于铁磁反铁磁界面处交换各向异性能的存在,该效应导致磁滞回线偏置,已应用于信息存储技术及永磁体磁性增强。文章介绍了磁性材料的交换偏置研究进展情况、交换偏置效应的应用、交换偏置计算模型、交换偏置材料制备... 交换偏置效应的根源在于铁磁反铁磁界面处交换各向异性能的存在,该效应导致磁滞回线偏置,已应用于信息存储技术及永磁体磁性增强。文章介绍了磁性材料的交换偏置研究进展情况、交换偏置效应的应用、交换偏置计算模型、交换偏置材料制备手段等方面,展望了在新理论、新实验技术的推动下交换偏置研究的前景。针对òscar Iglesias等提出的计算交换各向异性能的公式,提出了通过自洽场理论来得到更为准确的结果。 展开更多
关键词 交换偏置 界面耦合 核壳结构 磁性薄膜 交换偏置模型
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CoFeB/IrMn/Fe交换偏置三层膜中CoFeB层的磁特性
6
作者 张慧 朱晓艳 李振冲 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 2021年第6期6-11,共6页
采用磁控溅射镀膜方法制备了非晶CoFeB单层膜及CoFeB/Ir Mn/Fe三层膜。利用XRD进行了物相分析和结构表征,确定了Ir Mn和Fe的生长取向以及二者的外延关系。研究单层CoFeB薄膜翻转场和剩磁比与外磁场的关系,发现其具有微弱的单轴磁各向异... 采用磁控溅射镀膜方法制备了非晶CoFeB单层膜及CoFeB/Ir Mn/Fe三层膜。利用XRD进行了物相分析和结构表征,确定了Ir Mn和Fe的生长取向以及二者的外延关系。研究单层CoFeB薄膜翻转场和剩磁比与外磁场的关系,发现其具有微弱的单轴磁各向异性。研究表明三层膜结构中的CoFeB薄膜具有不同类型的磁滞回线,包括带有偏置的矩形和两步台阶状的磁滞回线及没有偏置的两步台阶状的磁滞回线。用90°畴壁成核与位移模型可以很好地拟合三层膜结构中CoFeB层与Fe层的磁化翻转场与外加磁场的角度关系,发现CoFeB层磁各向异性的转变源于界面的交换耦合作用。 展开更多
关键词 CoFeB/IrMn/Fe交换偏置三层膜结构 CoFeB层 磁滞回线 交换偏置 磁化翻转 磁各向异性
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铁磁/反铁磁双层膜中交换偏置 被引量：23
7
作者 周仕明 李合印 +1 位作者 袁淑娟 王磊 《物理学进展》 CSCD 北大核心 2003年第1期62-81,共20页
铁磁 /反铁磁交换偏置在巨磁电阻器件中具有重要的应用 ,引起了物理学及材料学等领域内广大科学家的浓厚兴趣。本文首先阐述了交换偏置的基本性质 ;然后简述了交换偏置的实验研究方法 ;最后 ,着重介绍了几种主要的理论模型。
关键词 交换偏置 铁磁 反铁磁
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激光加热退火处理对NiMn基磁性薄膜交换偏置场的影响 被引量：3
8
作者 潘旋 周广宏 +1 位作者 蒋素琴 朱雨富 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期105-108,共4页
通过激光加热对Ni81Fe19(15 nm)/Ni45Mn55(x nm)磁性双层膜进行快速退火处理,系统研究了激光辐照参数对交换偏置场(Hex)大小的影响。结果表明,激光的能量密度强烈影响双层膜交换偏置效应,并存在一个能量密度的阈值(约为150mJ/cm2),此时... 通过激光加热对Ni81Fe19(15 nm)/Ni45Mn55(x nm)磁性双层膜进行快速退火处理,系统研究了激光辐照参数对交换偏置场(Hex)大小的影响。结果表明,激光的能量密度强烈影响双层膜交换偏置效应,并存在一个能量密度的阈值(约为150mJ/cm2),此时磁性双层膜能够产生较明显的交换偏置现象。磁性双层膜的Hex随着能量密度的进一步增加逐渐变大,但随后减小直至完全消失。当NiMn层厚度为25nm时,经激光加热退火处理后双层膜的Hex最大值约为26.2kA/m,略大于常规退火后的Hex值(22.3kA/m)。 展开更多
关键词 NiMn 磁性薄膜 交换偏置场 激光加热退火
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金属离子掺杂对CuO基纳米复合材料的交换偏置调控 被引量：2
9
作者 刘奎立 周思华 陈松岭 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第13期369-374,共6页
为了研究反铁磁基体中掺杂的金属离子对交换偏置效应的影响,本文采用非均相沉淀法制备了纳米复合材料.X射线衍射图(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)照片清晰表明Cu O纳米复合样品具有统一的颗粒尺寸,约为80 nm.通过体系中掺杂磁性金属... 为了研究反铁磁基体中掺杂的金属离子对交换偏置效应的影响,本文采用非均相沉淀法制备了纳米复合材料.X射线衍射图(XRD)和场发射扫描电子显微镜(SEM)照片清晰表明Cu O纳米复合样品具有统一的颗粒尺寸,约为80 nm.通过体系中掺杂磁性金属离子Ni和Fe,实现了亚铁磁MFe2O4(M=Cu,Ni)晶粒镶嵌在反铁磁(AFM)Cu O基体中.在Cu O基体中加入少量的Ni能改变两相交界面的磁无序从而生成类自旋玻璃相,相应提高对铁磁相磁矩的钉扎作用.同时,场冷过程中反铁磁相内形成磁畴,冻结在原始状态或磁场方向上,畴壁也起到钉扎铁磁自旋的作用,进而提高交换偏置效应.随后加入的Ni会生成各向异性能较大的Ni O,也能够提高交换偏置场.在带场冷却下,所有样品均发生垂直交换偏置,也证明了样品在场冷过程中形成了自旋玻璃相,正是由于亚铁磁与自旋玻璃相界面上的磁交换耦合,才导致回线在整个测量范围内发生了向上偏移.零场冷却和场冷却(ZFC/FC)情况下磁化强度与温度变化曲线(M-T)说明在这些复合材料中的交换偏置效应是由于存在亚铁磁颗粒和类自旋玻璃相界面处的交换耦合作用.研究发现随着持续掺杂Ni离子,交换偏置场先缓慢增加后又急剧增加,生成各向异性能高的反铁磁相Ni O和反铁磁相内的畴态组织是这一结果的原因. 展开更多
关键词 掺杂 交换偏置 亚铁磁 反铁磁
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外场取向对铁磁/反铁磁双层膜交换偏置的影响 被引量：2
10
作者 郭子政 王宙斐 +2 位作者 旷卫民 李海 胡旭波 《磁性材料及器件》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期14-18,共5页
利用斯通纳-沃尔法斯(Stoner-Wohlfarth,SW)模型详细讨论了铁磁/反铁磁双层膜交换偏置对外场取向角的依赖关系。解析推导出转换场和矫顽力的表达式。用两种办法计算了交换偏置场(he)和磁滞回线的半宽度(HWHL),结果分别用(he)s、(HWHL)s... 利用斯通纳-沃尔法斯(Stoner-Wohlfarth,SW)模型详细讨论了铁磁/反铁磁双层膜交换偏置对外场取向角的依赖关系。解析推导出转换场和矫顽力的表达式。用两种办法计算了交换偏置场(he)和磁滞回线的半宽度(HWHL),结果分别用(he)s、(HWHL)s和(he)c、(HWHL)c表示。计算表明,(he)s、(HWHL)s和(he)c、(HWHL)c有很大区别,而只有(he)s和(HWHL)s显示出明显的阶跃现象。我们的结果还说明,转换角方程的奇点是阶跃现象的根源。另外,能量曲线的局域极小不是阶跃现象产生的必要条件。 展开更多
关键词 铁磁/反铁磁双层膜 斯通纳-沃尔法斯模型 交换偏置 转换场 矫顽力
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非磁性掺杂下的铁磁/反铁磁系统中的交换偏置和矫顽场 被引量：2
11
作者 马梅 王兴福 +1 位作者 蔡蕾 胡经国 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2007年第1期78-82,共5页
采用Monte Carlo方法,分别讨论了在铁磁/反铁磁双层膜和铁磁/反铁磁单层混合膜中,掺入非磁性物质后,掺杂浓度对交换偏置以及矫顽场的影响.计算结果表明:随着掺杂浓度的增大,双层膜和单层膜交换偏置都有先增大后减小的现象,而其矫顽场则... 采用Monte Carlo方法,分别讨论了在铁磁/反铁磁双层膜和铁磁/反铁磁单层混合膜中,掺入非磁性物质后,掺杂浓度对交换偏置以及矫顽场的影响.计算结果表明:随着掺杂浓度的增大,双层膜和单层膜交换偏置都有先增大后减小的现象,而其矫顽场则先减小后增大.在相同掺杂浓度下,对随机掺杂和规则掺杂两种不同掺杂方式的结果比较发现:铁磁/反铁磁双层膜中,规则掺杂下产生的交换偏置和矫顽场都得到了增强;对于单层混合膜,随机掺杂下的交换偏置更强,规则掺杂下的矫顽场更大.研究发现对于双层膜规则掺杂可明显地导致其磁滞回线的不对称性,说明铁磁/反铁磁系统中磁滞回线的不对称性与界面自旋微结构密切相关. 展开更多
关键词 MONTE CARLO方法 铁磁/反铁磁系统 交换偏置和矫顽场
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织构和界面粗糙度对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响 被引量：1
12
作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 姜宏伟 赖武彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第2期160-161,168,共3页
采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜 (分别以Ta、Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层 )。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大 ,而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两... 采用磁控溅射方法制备NiFe/FeMn双层膜 (分别以Ta、Cu作为缓冲层 ,Ta作为保护层 )。实验发现 ,以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场比以Cu为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场大 ,而矫顽力却很小。我们从织构、界面粗糙度两方面对其中的原因进行了分析。以Ta为缓冲层的NiFe/FeMn双层膜有好的织构且NiFe/FeMn界面较平滑 ,这引起了较强的交换偏置场和较低的矫顽力。 展开更多
关键词 NiFe/FeMn 交换偏置场 织构 界面粗糙度 双层膜
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铁磁/反铁磁多层膜中纵向和垂直交换偏置 被引量：1
13
作者 刘秋朝 袁淑娟 +2 位作者 王磊 单荣 周仕明 《扬州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 2004年第3期1-4,共4页
对于坡莫合金/CoO和坡莫合金/FeMn多层膜,无论是纵向交换偏置还是垂直交换偏置,其交换偏置场和矫顽力均随温度的升高而减小.研究表明:垂直交换偏置的建立可以产生垂直各向异性,其独特的温度特性使其在光磁混合记录技术方面有潜在的应用... 对于坡莫合金/CoO和坡莫合金/FeMn多层膜,无论是纵向交换偏置还是垂直交换偏置,其交换偏置场和矫顽力均随温度的升高而减小.研究表明:垂直交换偏置的建立可以产生垂直各向异性,其独特的温度特性使其在光磁混合记录技术方面有潜在的应用价值. 展开更多
关键词 铁磁 反铁磁 多层膜 交换偏置
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Mn成分对CoFe/Pt_(50)(Cr_(100-x)Mn_x)_(50)体系交换偏置的影响 被引量：1
14
作者 代波 雷勇 +1 位作者 邵晓萍 倪经 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第1期23-25,共3页
采用直流磁控溅射的方法制备了CoFe/Pt-CrMn交换偏置体系,反铁磁的Pt-CrMn是利用[Pt/CrMn]n多层膜并经过300℃、2h的退火获得。通过调整Mn的成分,系统地研究了体系交换偏置场的变化。获得了钉扎性能良好的L10相反铁磁钉扎材料Pt-CrMn,即... 采用直流磁控溅射的方法制备了CoFe/Pt-CrMn交换偏置体系,反铁磁的Pt-CrMn是利用[Pt/CrMn]n多层膜并经过300℃、2h的退火获得。通过调整Mn的成分,系统地研究了体系交换偏置场的变化。获得了钉扎性能良好的L10相反铁磁钉扎材料Pt-CrMn,即CoFe/Pt50(Cr88Mn12)50钉扎体系,其界面交换耦合能为0.22×10-7J/cm2,截止温度(blocking temperature)为480℃。 展开更多
关键词 交换偏置 钉扎场 反铁磁
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基于NiMn的铁磁/反铁磁系统中交换偏置研究进展 被引量：1
15
作者 潘旋 周广宏 +1 位作者 朱雨富 韦军 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第18期2591-2594,共4页
NiMn合金薄膜作为一种高性能的反铁磁材料在巨磁电阻器件中具有重要的应用前景,引起了物理学及材料学等领域广大科研工作者的浓厚兴趣。综述了NiMn合金薄膜的基本性质,并对NiMn基铁磁/反铁磁双层膜的交换偏置的基本特征进行了分析。
关键词 NiMn合金 交换偏置 磁性薄膜
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自发磁化交换偏置的朗道相变理论 被引量：1
16
作者 侯碧辉 张桂花 刘凤艳 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期252-255,共4页
为了研究具有自发磁化交换偏置不对称性材料的自由能密度F的特征,采用朗道的相变理论,处理自发磁化的交换偏置不对称性.一维情况下对称性的自由能密度F展开成自发磁化强度M(T)的偶次幂级数,而不对称的自由能密度F只要考虑M3(T)项,这样,... 为了研究具有自发磁化交换偏置不对称性材料的自由能密度F的特征,采用朗道的相变理论,处理自发磁化的交换偏置不对称性.一维情况下对称性的自由能密度F展开成自发磁化强度M(T)的偶次幂级数,而不对称的自由能密度F只要考虑M3(T)项,这样,在铁磁一顺磁相变温度Tc附近,得到了具有二级相变特征的不对称的M-T和(F-g0)-M曲线.其中,F的幂级数展开系数的定性关系为:g2=γ(T-Tc);g3随T的减小非线性减小;g4随T的减小而增大. 展开更多
关键词 朗道相变理论 自发磁化 交换偏置
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应力对铁磁/反铁磁双层体系交换偏置场的影响 被引量：1
17
作者 郑琳 云国宏 《内蒙古大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期287-291,共5页
研究在铁磁/反铁磁层体系中,当铁磁层中存在应力时对体系交换偏置场的影响.分别计算了改变应力大小和方向两种情况下,磁滞回线的变化以及偏置场随外磁场角度依赖关系的改变.结果表明:应力场沿着易轴方向时,偏置场随外磁场角度依赖关系... 研究在铁磁/反铁磁层体系中,当铁磁层中存在应力时对体系交换偏置场的影响.分别计算了改变应力大小和方向两种情况下,磁滞回线的变化以及偏置场随外磁场角度依赖关系的改变.结果表明:应力场沿着易轴方向时,偏置场随外磁场角度依赖关系表现为随着应力场的增大,偏置场的最大值变大,其最大值所对应的位置逐渐远离易轴.在外磁场与易轴成一定角度时,交换偏置场向左移动,并且阻碍沿磁场方向的磁化随着应力场的增加;当应力场旋转90°时,偏置场随外磁场角度依赖关系表现为随着应力场的增大,偏置场的最大值减小,其最大值所对应的位置逐渐靠近易轴.在外磁场与易轴成一定角度时,交换偏置场向右移动,并且促进沿磁场方向的磁化随着应力场的增加. 展开更多
关键词 铁磁/反铁磁 应力场 交换偏置场 磁滞回线
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Co/Co_3O_4双层膜中的交换偏置
18
作者 刘惠莲 杨景海 +2 位作者 王雅新 杨丽丽 张永军 《四川师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期623-625,共3页
在磁控溅射系统中利用Co靶和Co3O4靶制备了Co/Co3O4双层膜.振动样品磁强计(VSM)结果显示在测量温度高于Co3O4的奈耳温度时,交换偏置场HE仍然存在,多功能光电子能谱(XPS)分析表明在靠近Co层一侧Co3O4层被还原成一薄层的CoO.当Co3O4层的... 在磁控溅射系统中利用Co靶和Co3O4靶制备了Co/Co3O4双层膜.振动样品磁强计(VSM)结果显示在测量温度高于Co3O4的奈耳温度时,交换偏置场HE仍然存在,多功能光电子能谱(XPS)分析表明在靠近Co层一侧Co3O4层被还原成一薄层的CoO.当Co3O4层的厚度低于3.5 nm时,Co3O4完全被还原成CoO. 展开更多
关键词 交换偏置 Co/Co3O4双层膜 VSM XPS
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Co-NiO/FeNi双层膜的交换偏置效应
19
作者 杨景海 曹宇明 +2 位作者 王雅新 刘惠莲 张永军 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1003-1006,共4页
金属Co片和NiO靶材通过溅射得到Co-NiO薄膜,当Co含量为25.2%时,Co-NiO/FeNi双层膜的偏置场HE最大,是未掺入Co时NiO/FeNi偏置场的3倍.分析表明,金属Co的团簇镶嵌在NiO基质中,该结构可提高铁磁/反铁磁双层膜的偏置效应.
关键词 Co-NiO/FeNi双层膜 交换偏置 团簇
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插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析
20
作者 李明华 于广华 +2 位作者 朱逢吾 曾德长 赖武彦 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第12期1834-1836,共3页
在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层... 在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍。XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场。 展开更多
关键词 NiFe/FeMn 交换偏置场Hex 表面偏聚 Bi插层
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