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氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究
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作者 夏政辉 李腾坤 +6 位作者 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页
氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用... 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。 展开更多
关键词 氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑
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Al-Cu-Li合金热变形特性与位错密度模型构建
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作者 江余鹏 夏润泽 +2 位作者 杜瑞博 龚莉铭 王佳林 《铝加工》 CAS 2024年第2期32-37,共6页
通过等温压缩试验,研究热轧态Al-Cu-Li合金在温度为390~480℃、应变速率为0.01~1s^(-1)下的流变行为。基于热压缩流动应力数据构建了峰值应力Arrhenius本构模型,其平均相对误差绝对值(AARE)为4.612%。基于该模型数据,采用K-M模型以及Tay... 通过等温压缩试验,研究热轧态Al-Cu-Li合金在温度为390~480℃、应变速率为0.01~1s^(-1)下的流变行为。基于热压缩流动应力数据构建了峰值应力Arrhenius本构模型,其平均相对误差绝对值(AARE)为4.612%。基于该模型数据,采用K-M模型以及Taylor关系式建立了耦合温度、应变速率、峰值应力、峰值应变的位错密度模型。该模型AARE值为5.926%,具有较高精度,为准确描述Al-Cu-Li合金在热变形过程中的位错密度演变提供参考。 展开更多
关键词 AL-CU-LI合金 热变形 本构模型 位错密度模型
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Zr/(Sc+Zr)微合金化对Al-Mg合金在热压缩变形中动态再结晶、位错密度和热加工性能的影响
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作者 邓英 朱鑫文 +4 位作者 赖毅 郭一帆 傅乐 徐国富 黄继武 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2023年第3期668-682,共15页
采用热压缩试验和电子显微分析方法研究Al-6.00Mg、Al-6.00Mg-0.10Zr和Al-6.00Mg-0.25Sc-0.10Zr (质量分数,%)合金的变形行为和显微组织特征。结果表明,在最大加工效率条件(673 K,0.01 s^(-1))下变形时,Al-6.00Mg、Al-6.00Mg-0.10Zr和Al... 采用热压缩试验和电子显微分析方法研究Al-6.00Mg、Al-6.00Mg-0.10Zr和Al-6.00Mg-0.25Sc-0.10Zr (质量分数,%)合金的变形行为和显微组织特征。结果表明,在最大加工效率条件(673 K,0.01 s^(-1))下变形时,Al-6.00Mg、Al-6.00Mg-0.10Zr和Al-6.00Mg-0.25Sc-0.10Zr合金的位错密度分别为2.68×10^(16)、8.93×10^(16)和6.1×10^(17)m^(-2);其动态再结晶分数分别为19.8%、15.0%和12.7%。中心点平均取向差(KAM)分析表明,通过添加Zr或Sc+Zr,Al-Mg合金晶界附近的位错密度增加。此外,基于动态材料模型(DMM)建立的热加工图表明,添加Zr或Sc+Zr能减小Al-Mg合金的低温不稳定域的范围,但会增大高温和高应变不稳定域的范围。实验结果进一步证明,在变形条件下,仅Al-6.00Mg-0.25Sc-0.10Zr合金在773 K和1 s^(-1)时开裂。 展开更多
关键词 AL-MG合金 SC ZR 热变形 位错密度 动态再结晶
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基于位错密度理论的喷丸强化诱导7050铝合金组织细化数值模拟 被引量:2
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作者 翟傲霜 黄啸 +2 位作者 王欣 许春玲 商宏飞 《中国表面工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第2期114-124,共11页
7050铝合金喷丸过程中微观组织演变机理及纳米化结构与工艺参数的关系还没有得到广泛研究。基于位错密度理论对喷丸强化诱导7050铝合金表层晶粒细化进行研究。利用有限元方法模拟7050铝合金受单个和多个喷丸冲击过程,建立将喷丸强化的... 7050铝合金喷丸过程中微观组织演变机理及纳米化结构与工艺参数的关系还没有得到广泛研究。基于位错密度理论对喷丸强化诱导7050铝合金表层晶粒细化进行研究。利用有限元方法模拟7050铝合金受单个和多个喷丸冲击过程,建立将喷丸强化的有限元模型与累积塑性应变引起的位错密度演化模型相结合的混合数值模型,并利用遗传算法得到混合模型的数值参数,用以预测喷丸强化层的位错密度和晶粒尺寸梯度分布,为研究喷丸强化7050铝合金的组织结构强化机理提供依据。建立喷丸尺寸、速度和覆盖率等工艺参数与强化层内晶粒细化结构的物理联系和数量关系。结果表明,从单个喷丸冲击到大量随机喷丸冲击过程都会在强化层内产生显著的晶粒细化;强化层内位错密度增加、晶粒细化的程度以及强化影响深度随着喷丸覆盖率、速度、尺寸的增加而增加;较高的喷丸覆盖率和强度可生成纳米级晶粒结构表面层。综合运用JC本构有限元模拟、四阶五级RKF算法解方程、遗传算法优化调参、概率约束方法控制随机喷丸以及VUMAT子程序定义本构关系,实现7050铝合金喷丸强化微宏观联系的定量研究,可为设计7050铝合金喷丸工艺参数获得所需纳米结构提供理论依据。 展开更多
关键词 喷丸强化 位错密度 晶粒细化 有限元 遗传算法
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退火工艺对HgCdTe材料位错密度及电学性能影响的研究
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作者 邢晓帅 折伟林 +5 位作者 杨海燕 郝斐 胡易林 牛佳佳 王鑫 赵东生 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2023年第4期566-569,共4页
实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降... 实验分别采用高低温退火和循环变温退火方式对液相外延生长的HgCdTe材料进行饱和汞压热处理,研究了两种热处理工艺对碲镉汞材料位错密度及电学性能的影响。结果表明:相较于高低温退火,经循环变温退火后HgCdTe材料的位错密度有了明显的降低,并且材料的迁移率有了显著的提升。研究发现循环变温退火是一种较好提升HgCdTe材料性能的热处理方法。 展开更多
关键词 碲镉汞 热处理 位错密度 电学性能 载流子迁移率
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考虑位错密度的铝合金动态压缩晶体塑性有限元分析
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作者 赵英杰 胡广 +3 位作者 赵聃 张团卫 马胜国 王志华 《太原理工大学学报》 CAS 北大核心 2023年第1期162-169,共8页
采用实验与晶体塑性有限元(CPFEM)相结合的方法,对7075-T6铝合金在动态压缩实验中的宏观力学响应及其微观结构的演化进行了分析。通过分离式霍普金森压杆(SHPB)对7075-T6铝合金进行了应变率为2 000 s-1的动态压缩实验,并使用电子背散射... 采用实验与晶体塑性有限元(CPFEM)相结合的方法,对7075-T6铝合金在动态压缩实验中的宏观力学响应及其微观结构的演化进行了分析。通过分离式霍普金森压杆(SHPB)对7075-T6铝合金进行了应变率为2 000 s-1的动态压缩实验,并使用电子背散射衍射技术(EBSD)对实验前后试件的微观结构进行了表征。修改了传统晶体塑性有限元模型中的强化模型和流动准则,引入位错密度作为内部状态变量,并探究了摩擦系数以及位错增殖系数和位错湮灭系数对试件宏观力学性能的影响。结果表明:位错增殖系数增大会导致材料的硬化行为加剧且极限强度提高,位错湮灭系数增大则会导致材料的极限强度下降,且弱化其硬化行为。通过实验与模拟的结果对比可以看出,晶体塑性有限元模型可以较为准确地预测动态压缩过程中试样内部织构的变化趋势,表现为生成了较多的Brass{110}<112>织构和Goss{110}<001>织构。 展开更多
关键词 晶体塑性 位错密度 织构 动态压缩 铝合金
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基于位错密度的钛合金电辅助压缩仿真与实验验证
7
作者 周宇杰 刘斌 +1 位作者 武川 曲周德 《精密成形工程》 北大核心 2023年第1期51-60,共10页
目的 以新型高强韧Ti-6Cr-5Mo-5V-4Al(Ti6554)近β钛合金为对象,探讨脉冲电流对材料变形行为和温度变化的影响规律,揭示Ti6554钛合金在不同电流密度下的位错密度演化规律。方法 对材料进行不同电流密度、占空比、应变速率条件下的电辅... 目的 以新型高强韧Ti-6Cr-5Mo-5V-4Al(Ti6554)近β钛合金为对象,探讨脉冲电流对材料变形行为和温度变化的影响规律,揭示Ti6554钛合金在不同电流密度下的位错密度演化规律。方法 对材料进行不同电流密度、占空比、应变速率条件下的电辅助压缩实验,建立考虑位错密度的修正电塑性本构模型,基于ABAQUS进行UMAT子程序开发,建立电-热-力三场耦合有限元模型,模拟Ti6554钛合金电辅助压缩变形过程,并进行实验验证。结果 随着电流密度和占空比增大流动应力减小,随着应变速率增大流动应力也增大;电辅助压缩实验结果与模拟结果相比的平均误差为6.31%,验证了模型的有效性;通过子程序状态变量输出位错密度的变化发现,电流密度为15.92、23.88、27.87、31.88、39.81 A/mm^(2)的位错密度分别下降了15.34%、55.63%、68.23%、83.84%、89.13%,表明位错密度随电流密度的增大而降低。结论 建立了基于位错密度的电塑性本构模型和电-热-力多场耦合的有限元模型,能够模拟Ti6554钛合金的电压缩变形行为,并且表征了位错增殖、位错湮灭及动态回复,获得了其位错密度的演化规律。 展开更多
关键词 Ti6554钛合金 位错密度 电辅助压缩 电塑性本构 动态回复
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微纳米压入测试过程中高熵合金弹性变形对几何必须位错密度的影响
8
作者 周建军 陈杰 王艺 《矿冶工程》 CAS 北大核心 2023年第4期139-143,共5页
通过微纳米压入法对CoCrFeNiMn高熵合金进行压入测试,得到不同工况下几何必须位错密度与实时压入深度倒数1/h的关系,并探究了弹性因子(Δe)对几何必须位错密度的影响。结果表明,考虑弹性变形影响的几何必须位错密度(ρGe)与1/h呈现出非... 通过微纳米压入法对CoCrFeNiMn高熵合金进行压入测试,得到不同工况下几何必须位错密度与实时压入深度倒数1/h的关系,并探究了弹性因子(Δe)对几何必须位错密度的影响。结果表明,考虑弹性变形影响的几何必须位错密度(ρGe)与1/h呈现出非线性关系;忽略弹性变形影响的几何必须位错密度(ρG)与1/h呈现出线性关系;对比ρG/ρGe随压入深度的变化,发现存在尺度效应:压入深度小于500 nm时,ρG/ρGe比值为3~4,说明弹性因子在浅压痕处对几何必须位错密度影响明显;压入深度达3000 nm时,ρG/ρGe比值接近1;随着压入深度增加,位错滑移逐渐占据主导地位。 展开更多
关键词 高熵合金 微纳米压入 几何必须位错 弹性因子 弹性变形 位错密度
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位错密度演化模型的研究进展
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作者 雷明雨 温斌 《燕山大学学报》 CAS 北大核心 2023年第1期1-19,共19页
作为材料微观结构状态的一个内部变量,位错密度与材料组织结构演化和力学性能密切相关。金属材料在塑性变形过程中,其位错密度会发生演化。因此,位错密度演化模型的建立是材料组织结构和力学性能研究领域的一个重要课题。本文简要介绍... 作为材料微观结构状态的一个内部变量,位错密度与材料组织结构演化和力学性能密切相关。金属材料在塑性变形过程中,其位错密度会发生演化。因此,位错密度演化模型的建立是材料组织结构和力学性能研究领域的一个重要课题。本文简要介绍了位错密度的演化规律及其物理机制,综述了当前位错密度演化模型的研究进展,总结了位错密度演化数值计算方法的研究现状,介绍了位错密度对组织结构演化和力学性能的影响规律,探讨了位错密度演化研究的发展趋势。 展开更多
关键词 塑性变形 位错密度演化模型 数值计算方法 微观组织结构 力学性能
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40Cr冷滚打成形中位错密度变化研究 被引量:19
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作者 王晓强 崔凤奎 +1 位作者 燕根鹏 李玉玺 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第16期2248-2252,2256,共6页
为揭示40Cr在高速冷滚打中的成形机理,将40Cr宏观应力变化和位错密度变化机理相结合,得到了40Cr位错密度变化曲线;基于位错密度变化的微观组织演变模型,建立了40Cr位错密度变化模型,并验证了该模型的正确性;利用XRD实验得到40Cr在不同... 为揭示40Cr在高速冷滚打中的成形机理,将40Cr宏观应力变化和位错密度变化机理相结合,得到了40Cr位错密度变化曲线;基于位错密度变化的微观组织演变模型,建立了40Cr位错密度变化模型,并验证了该模型的正确性;利用XRD实验得到40Cr在不同变形条件下的XRD图谱,结合Dunn公式求得40Cr在不同变形条件下各个晶面及晶面整体位错密度变化。通过模型验证和试验分析,进一步从微观角度解释了40Cr在冷滚打成形过程中的变化规律。 展开更多
关键词 冷滚打 位错密度 微观变化模型 XRD实验
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等通道转角挤压过程中纯铜位错密度变化和力学性能 被引量:11
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作者 丁雨田 刘博 +3 位作者 郭廷彪 胡勇 李海龙 赵珺媛 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期2057-2064,共8页
利用等通道转角法(Equal channel angular pressing)对纯铜进行挤压变形,研究变形过程中纯铜组织演变,分析位错密度及其相应力学性能变化规律,探讨层错能对组织演变的影响机理。结果表明:退火后纯铜在ECAP变形过程中由小角度晶界逐渐转... 利用等通道转角法(Equal channel angular pressing)对纯铜进行挤压变形,研究变形过程中纯铜组织演变,分析位错密度及其相应力学性能变化规律,探讨层错能对组织演变的影响机理。结果表明:退火后纯铜在ECAP变形过程中由小角度晶界逐渐转变为大角度晶界,晶粒尺寸细化到5~10μm;随着挤压道次的增加,纯铜中位错密度显著增大,1道次时位错密度为0.16×1014 m-2,6道次后位错密度达到最大值,为0.41×1014 m-2,之后位错重组和湮灭使得位错密度在一定程度上减小;材料强度明显提高,塑性减小,退火后纯铜的抗拉强度为220 MPa,伸长率为53.5%,8道次后纯铜的抗拉强度为444 MPa,伸长率下降到22.1%;纯铜拉伸断口韧窝数量逐渐增多、变浅且分布均匀,断裂方式整体表现为塑性断裂。通过对组织演化和力学性能分析得出,纯铜作为中等层错能材料,同时具有低层错能和高层错能金属的一些变形特征。 展开更多
关键词 纯铜 等通道转角挤压 位错密度 力学性能 层错能
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XRD法计算4H-SiC外延单晶中的位错密度 被引量:12
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作者 贾仁需 张玉明 +1 位作者 张义门 郭辉 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期1995-1997,共3页
对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响,得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。... 对用X射线衍射法计算4H-SiC外延中的位错密度方法进行了理论和实验研究。材料中的位错密度大于106cm-2会给材料位错密度的测试会带来一定的困难。首先从理论上分析了位错密度对X射线衍射结果的影响,得出位错密度和峰宽FWHM展宽的关系。然后对4H-SiC样品进行了X射线三轴晶ω-2θ测试,采用不同晶面衍射峰,计算出样品的位错密度。分析了外延中位错产生的原因,并提出了相应的解决办法。 展开更多
关键词 4H-SIC 同质外延生长 X射线衍射 位错密度
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Laasraoui-Jonas位错密度模型结合元胞自动机模拟AZ31镁合金动态再结晶 被引量:22
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作者 刘筱 朱必武 李落星 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第4期898-904,共7页
通过Gleeble 3500热压缩试验机对AZ31镁合金进行热压缩实验,得到温度为300、350、400、450和500℃,应变速率为0.03、0.3、和3 s 1的流变应力曲线。对流变应力曲线进行图形变换求解出不同应变速率下的回复参数r,求得的回复参数的自然对数... 通过Gleeble 3500热压缩试验机对AZ31镁合金进行热压缩实验,得到温度为300、350、400、450和500℃,应变速率为0.03、0.3、和3 s 1的流变应力曲线。对流变应力曲线进行图形变换求解出不同应变速率下的回复参数r,求得的回复参数的自然对数lnr与温度的倒数1/T成线性相关。结果表明:可以采用修正的Laasraoui-Jonas(L-J)位错密度模型计算AZ31镁合金动态再结晶过程中的位错密度演变;修正的L-J位错密度模型结合元胞自动机(CA)能精确地模拟位错密度动态再结晶过程。 展开更多
关键词 AZ31镁合金 L-J位错密度模型 动态再结晶
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采用ZnCdTe衬底的MBE Hg_(1-x)Cd_xTe位错密度研究 被引量:4
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作者 巫艳 于梅芳 +3 位作者 陈路 乔怡敏 杨建荣 何力 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期23-27,共5页
报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬... 报道了用MBE的方法 ,在ZnCdTe衬底上制备Hg1-xCdxTe薄膜的位错密度的研究结果 .研究发现Hg1-xCdxTe材料的位错密度与ZnCdTe衬底的表面晶体损伤、Hg1-xCdxTe生长条件以及材料组分密切相关 .通过衬底制备以及生长条件的优化 ,在ZnCdTe衬底上生长的长波Hg1-xCdxTe材料EPD平均值达到 4.2× 10 5cm-2 ,标准差为 3.5× 10 5cm-2 ,接近ZnCdTe衬底的位错极限 .可重复性良好 ,材料位错合格率为 73.7% 。 展开更多
关键词 分子束外延 Hg1-xCdxTe薄膜 位错密度 MBE 汞镉碲薄膜 ZnCdTe 锌镉碲化合物 红外焦平面探测器 生长条件
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基于位错密度理论的Q550D钢动态软化及加工硬化行为 被引量:5
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作者 董洪波 余新平 章威 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期98-102,共5页
针对Q550D超低碳贝氏体钢,通过热压缩实验建立了应变硬化曲线。并通过分析临界应变与峰值应变的关系、稳态流变应力和动态回复应力与峰值应力的关系,建立了位错密度模型。将位错密度模型和元胞自动机法相结合,对Q550D钢热变形行为进行... 针对Q550D超低碳贝氏体钢,通过热压缩实验建立了应变硬化曲线。并通过分析临界应变与峰值应变的关系、稳态流变应力和动态回复应力与峰值应力的关系,建立了位错密度模型。将位错密度模型和元胞自动机法相结合,对Q550D钢热变形行为进行了数值分析。结果表明,在相同的形变量下,应变速率较大时,位错密度高,动态再结晶形核率大,晶粒尺寸小。并且,模拟结果与实验结果吻合,说明计算模型具有较高的精度。 展开更多
关键词 Q550D钢 位错密度 动态软化 硬化率
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C-Mn钢高温变形过程再结晶及位错密度的研究 被引量:5
16
作者 李治华 许云波 +2 位作者 吴迪 赵宪明 王国栋 《钢铁研究》 CAS 2004年第4期35-38,共4页
利用Gleeble 15 0 0热力模拟机 ,通过双道次压缩试验 ,计算了C -Mn钢SS4 0 0的热变形激活能 ,建立了静态再结晶模型。模拟计算了因热力学行为的演变引起的静态、动态再结晶以及位错密度等物理冶金现象的变化。研究结果表明 :动态再结晶... 利用Gleeble 15 0 0热力模拟机 ,通过双道次压缩试验 ,计算了C -Mn钢SS4 0 0的热变形激活能 ,建立了静态再结晶模型。模拟计算了因热力学行为的演变引起的静态、动态再结晶以及位错密度等物理冶金现象的变化。研究结果表明 :动态再结晶易在温度较高、应变速率较低的条件下发生 ;静态再结晶在前几道次发生的比较充分 ;粗轧阶段细化晶粒的效果比精轧阶段明显。 展开更多
关键词 C-MN钢 动态再结晶 静态再结晶 位错密度
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等径角挤扭法制备的SiC_p/Al复合材料界面、晶格畸变和位错密度(英文) 被引量:4
17
作者 钱陈豪 李萍 薛克敏 《Transactions of Nonferrous Metals Society of China》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第6期1744-1751,共8页
在523 K下,利用等径角挤扭变形工艺(ECAP-T)将纯Al和经氧化处理的Si C混合粉末固结成10%Si Cp/Al复合材料。采用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)对所制备的复合材料界面进行观察,并对相应选区电子衍射花样(SAED)进行标定。利用能... 在523 K下,利用等径角挤扭变形工艺(ECAP-T)将纯Al和经氧化处理的Si C混合粉末固结成10%Si Cp/Al复合材料。采用透射电镜(TEM)和高分辨透射电镜(HRTEM)对所制备的复合材料界面进行观察,并对相应选区电子衍射花样(SAED)进行标定。利用能谱仪(EDS)对界面结合处进行元素含量测定,并对试样选区部分进行面分布扫描。采用X射线衍射仪(XRD)对不同变形道次(1,2和4道次)所制备的复合材料进行分析。研究结果表明,ECAP-T变形后,Al和Si C之间的界面相属于一种非晶态Si O2层,并含有少量从基体和增强颗粒扩散进入的元素(Al,Si和C);随着ECAP-T变形道次的增加,复合材料中Al晶粒的晶格应变不断增加,导致晶内位错密度增大,其典型晶面的布拉格衍射角逐渐减小,而晶面间距逐渐增大。 展开更多
关键词 金属基复合材料 大塑性变形 界面 晶格应变 位错密度
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基于位错密度变化的动态再结晶动力学确定方法 被引量:8
18
作者 王健 肖宏 《塑性工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期157-161,共5页
文中将动态再结晶动力学方程看作是塑性应变的函数,给出了动态再结晶体积分数与平均位错密度之间的数学表达式,利用动态再结晶体积分数的增量形式,计算再结晶区域晶粒的位错密度,利用Gleeble热压缩实验得到的流变应力曲线,计算平均位错... 文中将动态再结晶动力学方程看作是塑性应变的函数,给出了动态再结晶体积分数与平均位错密度之间的数学表达式,利用动态再结晶体积分数的增量形式,计算再结晶区域晶粒的位错密度,利用Gleeble热压缩实验得到的流变应力曲线,计算平均位错密度。得到一种有别于定量金相法的,快速估算金属材料动态再结晶动力学的方法,运用该方法于普碳钢热压缩实验中,在不同的变形条件下成功获得了其动态再结晶动力学方程,并将结果和先前有关学者所做的研究结果进行比较得出,本文方法用于模拟金属热变形过程中的微观组织演变,其在实验和计算上,可以花更少的时间,却能够获得准确的动态再结晶动力学模型。 展开更多
关键词 位错密度 动态再结晶 流变应力曲线 热压缩 逆分析
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20CrMnTi钢位错密度的测定及其位错形态研究 被引量:3
19
作者 程万军 黄良驹 刘化民 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 2004年第5期486-488,共3页
为了探讨20CrMnTi钢的冷变形强化过程位错密度的分布与位错形态,采用X射线衍射法及多晶单线付氏分析理论。在实验基础上测量了不同应变量冷变形时20CrMnTi钢的位错密度,分析了应变量与位错密度及加工硬化的关系,利用透射电子显微镜对冷... 为了探讨20CrMnTi钢的冷变形强化过程位错密度的分布与位错形态,采用X射线衍射法及多晶单线付氏分析理论。在实验基础上测量了不同应变量冷变形时20CrMnTi钢的位错密度,分析了应变量与位错密度及加工硬化的关系,利用透射电子显微镜对冷镦粗件的位错形态进行了观察.结果表明,位错密度随变形量的增加而提高,同时,随变形量增加加工硬化效果增强,晶体位错形态为"曲折"形位错线,应变量较大时位错呈胞状结构. 展开更多
关键词 20CRMNTI钢 位错密度 冷变形 加工硬化 冷镦 应变量 镦粗 体位 观察 增加
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20CrMnTi钢的位错密度及晶体结构 被引量:3
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作者 程万军 高占民 黄良驹 《吉林大学学报(工学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期31-34,共4页
采用X射线衍射法及新的线性分析理论,准确地测量了不同应变量时20CrMnTi钢的位错密度,分析了应变量与位错密度的关系。结果表明:位错密度随变形量的增加而提高,退火状态时位错密度较低。透射电镜试验证明了20CrMnTi退火后的组织为铁素... 采用X射线衍射法及新的线性分析理论,准确地测量了不同应变量时20CrMnTi钢的位错密度,分析了应变量与位错密度的关系。结果表明:位错密度随变形量的增加而提高,退火状态时位错密度较低。透射电镜试验证明了20CrMnTi退火后的组织为铁素体和珠光体,晶内位错表态为"曲折"形的位错线,变形后形成胞状结构,同时有孪晶出现。胞状结构的出现大大提高了钢的强度。 展开更多
关键词 20CRMNTI钢 X射线衍射 位错密度 晶体结构 位错形态
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