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导模法蓝宝石单晶的位错缺陷及其力学性能的研究 被引量:6
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作者 胡克艳 唐慧丽 +3 位作者 王静雅 钱小波 徐军 杨秋红 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第7期1252-1256,共5页
采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm×5 mm×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度。结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在... 采用导模法生长了a向,尺寸为60 mm×5 mm×300 mm的蓝宝石单晶片,采用化学腐蚀-金相显微镜法观测了其(0001)晶面的位错特征,并且采用INSTRON-1195万能试验机测试了抛光样品的弯曲强度。结果显示:当晶体中位错缺陷分布均匀时,在外部弯曲应力下,蓝宝石晶体发生特定晶面的高强解理断裂,位错密度的升高对蓝宝石弯曲强度没有明显损害作用。然而当晶体中出现位错密排结构时,蓝宝石单晶常温弯曲强度迅速下降。 展开更多
关键词 导模法 蓝宝石 位错缺陷 弯曲强度
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化学腐蚀法研究蓝宝石单晶中的位错缺陷 被引量:11
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作者 吕海涛 张维连 +1 位作者 左燕 步云英 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期48-51,共4页
采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104~10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃... 采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104~10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳. 展开更多
关键词 化学腐蚀 蓝宝石单晶 位错缺陷 KOH腐蚀剂 金相显微镜
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不同pH值下ZTS晶体(100)面台阶生长动力学规律和位错缺陷的研究
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作者 程旻 康道远 +2 位作者 宋森 李明伟 张小莉 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第10期2534-2539,共6页
通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台阶推移速率降低;而调低pH值时,台阶的平均推移速率增大,当pH=4.2时,(100)面生长速度最快。计算出不同pH... 通过利用光学显微镜,对不同pH值下ZTS晶体(100)面的台阶推移过程进行了实时观察,发现在同一过饱和度下,调高生长溶液的pH值会导致台阶推移速率降低;而调低pH值时,台阶的平均推移速率增大,当pH=4.2时,(100)面生长速度最快。计算出不同pH值下的台阶动力学系数βl和台阶活化能E的数值。对不同pH值下生长出的ZTS晶体的(100)面进行了位错缺陷观察,发现pH=4.2时,位错密度较低,有利于晶体生长质量的提高。 展开更多
关键词 ZTS晶体 PH值 台阶推移速率 动力学 位错缺陷
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晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布 被引量:1
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作者 尹朋涛 于金英 +6 位作者 杨祥龙 陈秀芳 谢雪健 彭燕 肖龙飞 胡小波 徐现刚 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2021年第4期752-756,共5页
利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶... 利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出三种不同类型的穿透型位错,其中黑点腐蚀坑对应螺位错,小尺寸白点腐蚀坑对应刃位错,大尺寸白点腐蚀坑对应混合型位错。采用晶格畸变测试仪研究了4英寸(101.6 mm)N型4H-SiC晶体不同生长时期的位错密度及分布情况,结果表明随着晶体生长,位错密度呈现逐渐降低的趋势,生长后期晶片的总位错密度降为生长前期晶片总位错密度的近1/3,有利于反馈位错缺陷在SiC晶体生长过程中的延伸和转化特性信息,以指导SiC晶体生长工艺改进。 展开更多
关键词 4H-SIC 晶格畸变检测仪 位错 位错密度 KOH腐蚀 位错缺陷分布
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金刚石中的位错缺陷——天然与合成金刚石中位错的类型和分布特征
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作者 孙成阳(文/图) 陆太进(文/图) +2 位作者 宋中华(文/图) 张健(文/图) 邓怡(文/图) 《中国宝石》 2023年第3期217-221,共5页
金刚石,因其璀璨闪亮的外观,作为宝石深受人们的喜爱。同时,金刚石也是一种被广泛应用的工业材料,在尖端半导体和激光光学材料领域发挥着重要作用。考虑到金刚石晶体中存在的位错会对其电学和光学性能产生造成重大影响,本文对不同类型... 金刚石,因其璀璨闪亮的外观,作为宝石深受人们的喜爱。同时,金刚石也是一种被广泛应用的工业材料,在尖端半导体和激光光学材料领域发挥着重要作用。考虑到金刚石晶体中存在的位错会对其电学和光学性能产生造成重大影响,本文对不同类型金刚石中的位错类型及分布特征进行了系统介绍。 展开更多
关键词 合成金刚石 电学和光学性能 金刚石晶体 激光光学 位错缺陷 半导体
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AlGaN表面坑状缺陷及GaN缓冲层位错缺陷对AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的影响 被引量:3
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作者 席光义 任凡 +6 位作者 郝智彪 汪莱 李洪涛 江洋 赵维 韩彦军 罗毅 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期7238-7243,共6页
利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引... 利用金属有机气相外延(MOVPE)技术生长了具有不同AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷密度的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)样品,并对比研究了两种缺陷对器件栅、漏延迟电流崩塌效应的影响.栅延迟测试表明,AlGaN表面坑状缺陷会引起栅延迟电流崩塌效应和源漏电阻的增加,而且表面坑状缺陷越多,栅延迟电流崩塌程度和源漏电阻的增加越明显.漏延迟测试显示,AlGaN表面坑状缺陷对漏延迟电流崩塌影响不大,而GaN缓冲层位错缺陷主要影响漏延迟电流崩塌.研究结果表明,AlGaN表面坑状缺陷和GaN缓冲层位错缺陷分别是引起AlGaN/GaN HEMT栅、漏延迟电流崩塌的电子陷阱来源之一. 展开更多
关键词 ALGAN/GAN HEMT 电流崩塌 坑状缺陷 位错缺陷
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4H-SiC贯穿型位错及其密度分布的表征方法优化
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作者 章宇 陈诺夫 +3 位作者 张芳 余雯静 胡文瑞 陈吉堃 《半导体技术》 CAS 北大核心 2023年第11期977-984,共8页
目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀,但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同,腐蚀结果也有待优化。研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌,利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片,发现4H-... 目前用来揭示SiC的贯穿型位错缺陷的表征方法主要是湿法碱腐蚀,但现阶段利用KOH腐蚀4H-SiC晶片的腐蚀参数各不相同,腐蚀结果也有待优化。研究了熔融KOH对4H-SiC晶片的腐蚀形貌,利用金相显微镜和扫描电子显微镜(SEM)观测腐蚀晶片,发现4H-SiC晶片在500℃熔融KOH中腐蚀20 min效果为最优。在此基础上研究分析了半绝缘4H-SiC晶片的贯穿型位错的密度和分布。结果表明,半绝缘型SiC晶片中贯穿型位错密度的分布具有一定的规律性,呈现出从晶片中心区域向晶片边缘处增长的特性,而这可能源于在物理气相传输法下SiC单晶生长不同区域产生的热应力不同。 展开更多
关键词 SIC 湿法腐蚀 贯穿型位错 位错密度 位错缺陷分布
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掺杂LiNbO_3晶体的生长缺陷与其体全息存储性能的研究 被引量:3
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作者 刘金伟 刘国庆 +1 位作者 江竹青 陶世荃 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期865-869,共5页
本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂L iNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系。通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑。测量了晶体样... 本文叙述了利用侵蚀法研究掺杂L iNbO3的晶体缺陷,并讨论了晶体缺陷的形成机理以及其与体全息存储性能的关系。通过实验发现了常温下侵蚀铌酸锂晶体的规律,并利用侵蚀法观测到铌酸锂晶体样品表面呈三角锥状的位错侵蚀坑。测量了晶体样品的散射噪声,从中找出了晶体缺陷与存储图像质量关系。并发现掺Zn的Fe:L iNbO3晶体其晶体缺陷减少,晶体体全息存储性能有了明显提高。 展开更多
关键词 铌酸锂晶体 位错缺陷 侵蚀观测法 散射噪声 体全息存储
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锑化铟晶片高温加速贮存性能变化研究
9
作者 吴玮 董晨 +5 位作者 赵超 董涛 折伟林 黄婷 彭志强 李乾 《红外》 CAS 2023年第8期13-19,共7页
锑化铟晶片在存放以及使用过程中的性能稳定性是影响制备的探测器性能的重要因素之一。为了探究锑化铟晶片在长时间放置情况下的性能变化情况,对锑化铟晶片进行高温加速贮存试验,并在试验过程中对晶片几何参数、表面粗糙度、电学参数、... 锑化铟晶片在存放以及使用过程中的性能稳定性是影响制备的探测器性能的重要因素之一。为了探究锑化铟晶片在长时间放置情况下的性能变化情况,对锑化铟晶片进行高温加速贮存试验,并在试验过程中对晶片几何参数、表面粗糙度、电学参数、位错缺陷等几个重要性能参数进行跟踪检测。结果表明,在高温加速试验条件下,除晶片外形发生轻微变化以外,其他性能基本不发生变化,晶片能够长期保存。 展开更多
关键词 锑化铟 红外探测器 高温加速贮存试验 几何参数 位错缺陷
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光电基础材料缺陷的研究
10
作者 武壮文 于洪国 +1 位作者 王继荣 张海涛 《广播电视信息》 2006年第11期76-77,共2页
本文讨论了如何在光电基础材料(水平砷化镓单晶)生长过程中进行缺陷(位错密度)控制,通过控制熔区的长度,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖。采取以上措施可以在一定程度上降... 本文讨论了如何在光电基础材料(水平砷化镓单晶)生长过程中进行缺陷(位错密度)控制,通过控制熔区的长度,使单晶的生长过程更趋稳定,和控制生长界面的形状以及界面处的温度梯度,减少了位错的产生和增殖。采取以上措施可以在一定程度上降低位错密度。 展开更多
关键词 光电基础材料(水平砷化镓) 缺陷(位错密度) 熔区 温度梯度
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亚稳态304不锈钢应力腐蚀影响因素探讨 被引量:10
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作者 张新生 许淳淳 胡钢 《电化学》 CAS CSCD 2003年第3期320-326,共7页
30 4不锈钢通过低温拉伸制得含有不同马氏体相变量的试样 ,由于冷加工将不可避免地导致位错密度大幅度增加 ,利用铁素体测量仪和透射电镜 (TEM )检测并分析 30 4不锈钢位错形态 .上述试样在 4 2 %MgCl2 沸腾溶液中用慢应变速率法 (SSRT... 30 4不锈钢通过低温拉伸制得含有不同马氏体相变量的试样 ,由于冷加工将不可避免地导致位错密度大幅度增加 ,利用铁素体测量仪和透射电镜 (TEM )检测并分析 30 4不锈钢位错形态 .上述试样在 4 2 %MgCl2 沸腾溶液中用慢应变速率法 (SSRT) ,结合金相显微镜 ,扫描电子显微镜等表面分析手段 ,探讨了微观组织变化对 30 4不锈钢应力腐蚀的影响 .结果表明 :由于马氏体相和位错缺陷的交互作用 ,影响了 30 4不锈钢在沸腾MgCl2 溶液中应力腐蚀敏感性 ,且在不同变形量范围内 。 展开更多
关键词 亚稳态304不锈钢 应力腐蚀 影响因素 马氏体相 位错缺陷 腐蚀破裂
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AYSZ涂层的制备及显微结构与性能研究 被引量:1
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作者 唐宏志 孙寅章 +2 位作者 王树林 曹德明 郑学斌 《材料科学与工艺》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期32-37,共6页
采用振动研磨方法对喷涂前驱体(6%Al2O3-7%YSZ混合粉体)进行研磨处理,并通过XRD和TEM对研磨后的混合粉体进行表征.利用大气等离子喷涂技术,分别对研磨过的前驱体和7%YSZ粉体进行喷涂,制备了新型AYSZ涂层和常规YSZ涂层,采用SEM,XRD和EDS... 采用振动研磨方法对喷涂前驱体(6%Al2O3-7%YSZ混合粉体)进行研磨处理,并通过XRD和TEM对研磨后的混合粉体进行表征.利用大气等离子喷涂技术,分别对研磨过的前驱体和7%YSZ粉体进行喷涂,制备了新型AYSZ涂层和常规YSZ涂层,采用SEM,XRD和EDS等测试方法,研究了这两种涂层的显微组织及相组成.研究结果表明:前驱体颗粒经过振动研磨后,产生大量的应变和位错等缺陷,使材料处于亚稳、高能活性状态.在等离子高温的诱导下,储存在材料内部的能量得以释放,使得AYSZ涂层的柱状晶粒尺寸减小至纳米级.相比于YSZ涂层,AYSZ涂层含有较多的c-ZrO2,提高了涂层的孔隙率、弹性模量和硬度等性能. 展开更多
关键词 振动研磨 等离子喷涂 位错缺陷 能量释放 热障涂层
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InGaP/GaAs/InGaAs倒装结构三结太阳电池的辐照损伤仿真分析 被引量:2
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作者 王彪 方美华 +4 位作者 陆宏波 周宏涛 陈建飞 梁筝 魏志勇 《航天器环境工程》 北大核心 2022年第6期562-568,共7页
为了保证倒装结构三结电池在空间辐射环境中使用的可靠性,揭示倒装工艺引入位错缺陷对电池辐射衰减的影响,文章基于泊松方程和载流子传输方程建立了倒装结构InGaP/GaAs/InGaAs三结太阳电池的物理模型,在地面等效实验验证的基础上,研究... 为了保证倒装结构三结电池在空间辐射环境中使用的可靠性,揭示倒装工艺引入位错缺陷对电池辐射衰减的影响,文章基于泊松方程和载流子传输方程建立了倒装结构InGaP/GaAs/InGaAs三结太阳电池的物理模型,在地面等效实验验证的基础上,研究辐射以及电池内部位错缺陷对电池输出的影响。首先通过模型研究了微观载流子复合与电池电学性能之间的关联,发现当1 MeV电子入射注量达到10^(14) cm^(-2)时,该电池中少数载流子复合由辐射复合起主要作用转变为由非辐射复合起主要作用。此外,文中还给出了InGaAs底电池的非辐射少数载流子寿命以及电池电学参数与穿透位错密度(TDD)的函数关系,发现随着TDD的增加,辐照对少子寿命和电池性能的影响均减弱。 展开更多
关键词 倒装结构三结太阳电池 性能衰减 位错缺陷 少数载流子寿命
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纳米多晶铜单点金刚石切削亚表层损伤机理 被引量:3
14
作者 王全龙 张超锋 +1 位作者 武美萍 陈家轩 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第23期2790-2797,2808,共9页
基于Poisson-Voronoi和Monte Carlo方法构建了多晶铜分子动力学模型,研究了纳米切削中多晶铜材料去除、切削力变化及晶界与位错间的相互转化机制。研究结果表明:晶界的阻碍作用使得切屑流向发生了改变,并在已加工表面形成凹槽和毛刺;切... 基于Poisson-Voronoi和Monte Carlo方法构建了多晶铜分子动力学模型,研究了纳米切削中多晶铜材料去除、切削力变化及晶界与位错间的相互转化机制。研究结果表明:晶界的阻碍作用使得切屑流向发生了改变,并在已加工表面形成凹槽和毛刺;切削过程中晶界前方材料变形能的逐渐积聚及晶界的最终断裂,造成了切削力发生由最大峰值到最小谷值的大幅波动;晶界附近的材料去除经历了材料变形积聚、位错穿越晶界、晶界转变为位错及晶界最终断裂等过程。通过详细分析多晶铜纳米切削中位错与晶界间的演化过程,揭示了晶界与位错间的相互转化机制,丰富了多晶铜亚表层损伤机理的内涵。 展开更多
关键词 多晶铜 纳米切削 晶界 亚表层损伤 位错缺陷演化
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Mechanical properties of irradiated multi-phase polycrystalline BCC materials 被引量:4
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作者 Dingkun Song Xiazi Xiao +2 位作者 Jianming Xue Haijian Chu Huiling Duan 《Acta Mechanica Sinica》 SCIE EI CAS CSCD 2015年第2期191-204,共14页
Structure materials under severe irradiations in nuclear environments are known to degrade because of irradiation hardening and loss of ductility,resulting from irradiation-induced defects such as vacancies,interstiti... Structure materials under severe irradiations in nuclear environments are known to degrade because of irradiation hardening and loss of ductility,resulting from irradiation-induced defects such as vacancies,interstitials and dislocation loops,etc.In this paper,we develop an elastic-viscoplastic model for irradiated multi-phase polycrystalline BCC materials in which the mechanical behaviors of individual grains and polycrystalline aggregates are both explored.At the microscopic grain scale,we use the internal variable model and propose a new tensorial damage descriptor to represent the geometry character of the defect loop,which facilitates the analysis of the defect loop evolutions and dislocation-defect interactions.At the macroscopic polycrystal scale,the self-consistent scheme is extended to consider the multiphase problem and used to bridge the individual grain behavior to polycrystal properties.Based on the proposed model,we found that the work-hardening coefficient decreases with the increase of irradiation-induced defect loops,and the orientation/loading dependence of mechanical properties is mainly attributed to the different Schmid factors.At the polycrystalline scale,numerical results for pure Fe match well with the irradiation experiment data.The model is further extended to predict the hardening effect of dispersoids in oxide-dispersed strengthened steels by the considering the Orowan bowing.The influences of grain size and irradiation are found to compete to dominate the strengthening behaviors of materials. 展开更多
关键词 多晶材料 CC材料 机械性能 多相 辐照 粘塑性模型 位错缺陷 力学行为
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Bauschinger and size effects in thin-film plasticity due to defect-energy of geometrical necessary dislocations 被引量:1
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作者 Zhan-Li Liu · Zhuo Zhuang · Xiao-Ming Liu · Xue-Chuan Zhao · Yuan Gao Department of Engineering Mechanics, School of Aerospace, Tsinghua University, 100084 Beijing, China 《Acta Mechanica Sinica》 SCIE EI CAS CSCD 2011年第2期266-276,共11页
The Bauschinger and size effects in the thinfilm plasticity theory arising from the defect-energy of geometrically necessary dislocations (GNDs) are analytically investigated in this paper. Firstly, this defect-energy... The Bauschinger and size effects in the thinfilm plasticity theory arising from the defect-energy of geometrically necessary dislocations (GNDs) are analytically investigated in this paper. Firstly, this defect-energy is deduced based on the elastic interactions of coupling dislocations (or pile-ups) moving on the closed neighboring slip plane. This energy is a quadratic function of the GNDs density, and includes an elastic interaction coefficient and an energetic length scale L. By incorporating it into the work- conjugate strain gradient plasticity theory of Gurtin, an energetic stress associated with this defect energy is obtained, which just plays the role of back stress in the kinematic hardening model. Then this back-stress hardening model is used to investigate the Bauschinger and size effects in the tension problem of single crystal Al films with passivation layers. The tension stress in the film shows a reverse dependence on the film thickness h. By comparing it with discrete-dislocation simulation results, the length scale L is determined, which is just several slip plane spacing, and accords well with our physical interpretation for the defect- energy. The Bauschinger effect after unloading is analyzed by combining this back-stress hardening model with a friction model. The effects of film thickness and pre-strain on the reversed plastic strain after unloading are quantified and qualitatively compared with experiment results. 展开更多
关键词 包辛格效应 位错缺陷 薄膜厚度 可塑性 能源 几何 应变梯度塑性理论 摩擦应力
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光电功能材料
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《中国光学》 EI CAS 2003年第1期95-95,共1页
TB383 2003010737纳米半导体材料的评价技术=Critical technology of nano semiconductor materials[刊,中]/王占国(中科院半导体研究所.北京(100083))//微纳电子技术.-2002,39(3).-2-5,32介绍了纳米半导体材料表面形貌、位错缺陷的观... TB383 2003010737纳米半导体材料的评价技术=Critical technology of nano semiconductor materials[刊,中]/王占国(中科院半导体研究所.北京(100083))//微纳电子技术.-2002,39(3).-2-5,32介绍了纳米半导体材料表面形貌、位错缺陷的观测手段与方法以及研究量子点的发光行为和光学性质的手段与方法。图2参14(郑锦玉) 展开更多
关键词 纳米半导体材料 手段与方法 量子点结构 电子技术 表面形貌 光学性质 光化学汽相淀积 评价技术 位错缺陷 发光行为
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氮化镓生长速度提高300% 缺陷降低80%
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《半导体信息》 2021年第2期13-15,共3页
根据大陽日酸官网消息,该公司开发了一种新的晶圆制造设备,能够将GaN晶圆生长速度提升3倍,同时将位错缺陷降低80%,高速、高质量生长,一举两得。据“三代半风向”了解,大陽日酸是用一种三齒化物气相生长法来替代传统的HVPE方法,它可以在... 根据大陽日酸官网消息,该公司开发了一种新的晶圆制造设备,能够将GaN晶圆生长速度提升3倍,同时将位错缺陷降低80%,高速、高质量生长,一举两得。据“三代半风向”了解,大陽日酸是用一种三齒化物气相生长法来替代传统的HVPE方法,它可以在高温环境(最高1600°C)下,生长4英寸GaN晶圆,而且石英管不会劣化、生长面积不会缩小,也不会生长阻碍晶体生长的多余多晶。 展开更多
关键词 晶圆制造 氮化镓 位错缺陷 GAN 晶体生长 石英管 高温环境 HVPE
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基于分子动力学模拟的TiAl涂层的阻尼性能研究
19
作者 王贺权 张馨予 《热加工工艺》 北大核心 2020年第8期95-98,共4页
利用Materials Studio软件建立了具有位错缺陷的单晶TiAl涂层模型。采用LAMMPS分子动力学软件在700、800、900 K下对含有位错缺陷的单晶TiAl涂层进行模拟,得到各温度下模型的应力-应变曲线及模型的微观结构变化。通过模型的应力-应变曲... 利用Materials Studio软件建立了具有位错缺陷的单晶TiAl涂层模型。采用LAMMPS分子动力学软件在700、800、900 K下对含有位错缺陷的单晶TiAl涂层进行模拟,得到各温度下模型的应力-应变曲线及模型的微观结构变化。通过模型的应力-应变曲线分析了各温度下模型的阻尼性能。由微观结构变化,进一步探讨了温度对含有位错缺陷涂层阻尼性能的影响。结果表明,800 K下TiAl涂层的阻尼性能最好。 展开更多
关键词 TIAL合金 分子动力学 位错缺陷 阻尼性能
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美国Cree公司生长出无微管100mm4HN型SiC晶片
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作者 邓志杰(摘译) 《现代材料动态》 2009年第7期10-10,共1页
美国Cree公司采用PVT技术首次成功生长出无微管缺陷的100mm4HN型SiC单晶片,(近来,100mm低微管SiC单晶片已量产)进行C轴生长有利于消除微管。批量生产100mm4HN—SiC晶片中微管密度平均值为0.8cm^-2,这就有利于“集中精力”降低IC螺... 美国Cree公司采用PVT技术首次成功生长出无微管缺陷的100mm4HN型SiC单晶片,(近来,100mm低微管SiC单晶片已量产)进行C轴生长有利于消除微管。批量生产100mm4HN—SiC晶片中微管密度平均值为0.8cm^-2,这就有利于“集中精力”降低IC螺位错缺陷的密度, 展开更多
关键词 Cree公司 SIC 单晶片 微管 生长 N型 美国 位错缺陷
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