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PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应研究 被引量：4
1
作者 高博 刘刚 +4 位作者 王立新 韩郑生 余学峰 任迪远 孙静 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期848-853,共6页
为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明... 为研究PMOSFET的低剂量率辐射损伤增强效应,本文对4007电路中PMOSFET在不同剂量率、不同偏置条件下的辐射响应特性及高剂量率辐照后不同温度下的退火效应进行了讨论。实验结果表明:相比高剂量率,低剂量率辐照时PMOSFET阈值电压漂移更明显,此种PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应;高剂量率辐照后进行室温退火时,由于界面陷阱电荷的影响,PMOSFET阈值电压继续负向漂移,退火温度越高,阈值电压回漂越明显;辐照时,零偏置条件下器件阈值电压的漂移较负偏置时的大,认为是最劣偏置。 展开更多
关键词 PMOSFET 退火效应 低剂量率辐射损伤增强效应
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不同类型双极晶体管的低剂量率辐射损伤增强效应损伤机制 被引量：4
2
作者 王先明 刘楚湘 魏蔚 《新疆师范大学学报（自然科学版）》 2005年第4期32-35,共4页
文章研究了双极晶体管不同温度的低剂量率辐射损伤增强效应,发现NPN晶体管与PNP晶体管的低剂量率辐射损伤机制是不相同的.最后文章讨论了其中可能的内在机制。
关键词 双极晶体管 ELDRS 低剂量率辐射损伤增强效应
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双极器件低剂量率辐射损伤增强效应物理机制研究 被引量：3
3
作者 何宝平 姚志斌 +4 位作者 刘敏波 黄绍艳 王祖军 肖志刚 盛江坤 《现代应用物理》 2013年第2期-,共6页
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在... 采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和半带电压的影响.研究结果表明,相对于高剂量率辐照,低剂量率在Si/SiO2界面附近俘获更多的空穴,导致产生更大的半带电压漂移;空间电荷场效应是由高、低剂量率辐射损伤差异造成的;浅能级陷阱俘获的空穴主要支配着氧化层电荷的传输特征,被深能级陷阱俘获的空穴是永久性的,是引起器件半带电压漂移的主要原因. 展开更多
关键词 半带电压漂移 低剂量率辐射损伤增强 MOS电容 总剂量
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p型金属氧化物半导体场效应晶体管低剂量率辐射损伤增强效应模型研究 被引量：2
4
作者 高博 余学峰 +4 位作者 任迪远 崔江维 兰博 李明 王义元 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期812-818,共7页
对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退... 对一种非加固4007电路中p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)在不同剂量率条件下的电离辐射损伤效应及高剂量率辐照后的退火效应进行了研究.通过测量不同剂量率条件下PMOSFET的亚阈I-V特性曲线,得到阈值电压漂移量随累积剂量、退火时间的变化关系.实验发现,此种型号的PMOSFET具有低剂量率辐射损伤增强效应.通过描述H+在氧化层中的输运过程,解释了界面态的形成原因,初步探讨了非加固4007电路中PMOSFET低剂量率辐射损伤增强效应模型. 展开更多
关键词 p型金属氧化物半导体场效应晶体管 60Coγ射线 电离辐射损伤 低剂量率辐射损伤增强效应
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双极运算放大器低剂量率辐照损伤增强效应的变温加速辐照方法 被引量：13
5
作者 陆妩 任迪远 +3 位作者 郑玉展 王义元 郭旗 余学峰 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期769-775,共7页
介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒... 介绍了一种变温辐照加速评估双极电路低剂量率辐照损伤增强效应的新实验方法,并对各种实验现象的潜在机理进行了分析。结果显示,阶跃降低辐照温度的变温辐照法,不仅能较好地模拟双极运放电路实际空间低剂量率的辐照损伤,且比美军标的恒高温辐照法的总剂量评估范围明显增大,还可作为快速鉴别器件是否具有低剂量率辐照损伤增强效应的有效实验方法。 展开更多
关键词 双极运算放大器 60Coγ辐照 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法
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低剂量率辐照损伤增强效应的高温辐照加速试验机理研究 被引量：4
6
作者 姚志斌 陈伟 +6 位作者 何宝平 马武英 盛江坤 刘敏波 王祖军 金军山 张帅 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期1144-1152,共9页
本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度... 本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应(ELDRS)的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷阱浓度、能级,含H缺陷浓度及界面陷阱钝化能对最佳辐照温度的影响。结果表明,最佳辐照温度是辐射感生产物产生与退火相互竞争的结果,且辐射感生产物的退火行为是决定最佳辐照温度的主要因素,因此氧化物陷阱的热激发能及界面陷阱的钝化能对最佳辐照温度的影响最为明显,是不同器件最佳辐照温度差异性的主要原因。 展开更多
关键词 低剂量率辐照损伤增强效应 数值仿真 总剂量效应 高温辐照 加速试验
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典型模拟电路低剂量率辐照损伤增强效应的研究与评估 被引量：4
7
作者 李小龙 陆妩 +8 位作者 王信 郭旗 何承发 孙静 于新 刘默寒 贾金成 姚帅 魏昕宇 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期196-203,共8页
采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤... 采用变剂量率和变温两种辐照方法,对4款典型模拟电路的低剂量率辐照损伤特性及变化规律进行了研究与评估,分析了两种辐照方法下其辐照敏感参数的变化,比较了不同辐照方式下器件的退化程度,讨论了这两种实验室加速评估低剂量率辐照损伤方法的机理.结果显示,变剂量率辐照可以较快地预测实际低剂量率下的辐照损伤趋势,且在较低的总剂量下能够给出不太保守的估计,但其预测的总剂量受到器件退化速度的影响;变温辐照加速评估方法能够保守地估计其低剂量率下的辐照损伤,其评估范围不仅可达1000 Gy(Si),且可将评估时间缩短为12 h左右.研究结果表明,双极电路的低剂量率辐照损伤增强效应与感生的界面态密度和氢化的氧空位缺陷有关,辐照时剂量率和温度的改变会促进界面态的生长,抑制界面态的钝化作用,从而激发器件的辐照损伤潜能. 展开更多
关键词 双极模拟电路 低剂量率辐照损伤增强效应 加速评估方法
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双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤 被引量：10
8
作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期333-337,共5页
综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率... 综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤，即在低剂量率下辐射时，这些器件在很低的总剂量水平下即告失效，失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极－基极结上覆盖了厚氧化物，低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒。 展开更多
关键词 线性 集成电路 低剂量率 辐射 增强损伤
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锑基异质结晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应
9
作者 杨桂霞 庞元龙 +2 位作者 王晓东 徐家云 蒋洞微 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期124-130,共7页
锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10^(-1) Gy·s^(-1)和1.50×... 锑化物异质结晶体管是新型的高速低功率电子器件,航天上具有良好的应用前景,但是对其耐辐照能力的研究并不深入。本文利用低频噪声和霍尔效应首次研究了分子束外延生长的锑基异质结晶体管在1.95×10^(-1) Gy·s^(-1)和1.50×10^(-2) Gy·s^(-1)低剂量率下的γ辐照效应。结果显示,在300 Gy(Si)~1500 Gy(Si)总吸收剂量范围内,表征缺陷浓度的噪声功率谱密度较之辐照前变小,辐照前后噪声功率谱密度差值随着吸收剂量的增大而缓慢增大,噪声功率谱密度、载流子迁移率和载流子浓度在不同的吸收剂量率之间没有明显差异。上述结果表明γ辐照下锑基异质结晶体管未表现出明显低剂量率损伤增强效应,虽然存在微弱的总剂量效应,但是总体而言γ辐射使得锑基异质结晶体管性能变得更为优良,其载流子迁移率较之辐照前增大了1.35%~6.48%,载流子浓度较之辐照前增大了1.43%~6.88%。 展开更多
关键词 分子束外延 1/f噪声 总剂量效应 低剂量率损伤增强效应 异质结双极晶体管
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空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估技术研究 被引量：2
10
作者 何宝平 王桂珍 +2 位作者 龚建成 周辉 郭红霞 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期275-278,共4页
　介绍了LC4007RHA和LC4007RHB两种器件空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估情况,研究结果表明:在MIL STD883C测试方法1019.4的基础上,60Co辐照加25℃室温退火,可以提供对空间氧化物陷阱电荷效应相对于1019.4不太保守的估计;另外,就美军标... 　介绍了LC4007RHA和LC4007RHB两种器件空间低剂量率辐射诱导电荷效应评估情况,研究结果表明:在MIL STD883C测试方法1019.4的基础上,60Co辐照加25℃室温退火,可以提供对空间氧化物陷阱电荷效应相对于1019.4不太保守的估计;另外,就美军标1019.4测试方法中利用100℃168h高温加速"反弹"实验来检验空间环境中与界面态相关的失效可能出现的现象进行了讨论。 展开更多
关键词 辐射诱导 评估技术 MOS器件 低剂量率 电荷效应 反弹现象 空间环境
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低剂量辐射对X线工作者晶状体损伤效应探讨 被引量：2
11
作者 张彦坤 李玉静 +3 位作者 张聪瑶 翟静洁 张晓娜 王新举 《中国医药导刊》 2016年第9期869-870,共2页
目的:分析研究低剂量辐射对X线工作者晶状体损伤效应。方法:对2012年和2015年医用X线工作者的晶状体给予调查(研究组),而且检测以及统计个人受照累积剂量、工龄以及晶状体混浊部位,同时和接触照X线的人员(对照组)进行对比。结果:研究组... 目的:分析研究低剂量辐射对X线工作者晶状体损伤效应。方法:对2012年和2015年医用X线工作者的晶状体给予调查(研究组),而且检测以及统计个人受照累积剂量、工龄以及晶状体混浊部位,同时和接触照X线的人员(对照组)进行对比。结果:研究组晶状体混浊随着工龄增长而增高,与对照组之间的差异具有统计学意义(P<0.05);随着累积剂量的增高,而晶状体的混浊率成递增趋势;晶状体混浊的部位全部以皮质混浊为主,差异具有统计学意义(P<0.05)。结论:低剂量辐射致晶状体的混浊随着工龄增长以及累积剂量增加而增长,受损部分主要为后皮质,因此,应增强放射防护。 展开更多
关键词 低剂量辐射 X线工作者 晶状体 损伤效应
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低剂量率辐射生物效应的研究进展 被引量：8
12
作者 王济东 王俊杰 《国外医学（放射医学核医学分册）》 2005年第4期186-189,共4页
辐射的剂量率能显著影响放射治疗的生物效应,降低剂量率就降低了生物效应。然而,当剂量率降低到一定阈值以下,DNA损伤不能激活细胞的探测器——共济失调毛细血管扩张症突变(ATM)基因以及ATM基因介导的损伤修复途径,因而出现细胞高的致死... 辐射的剂量率能显著影响放射治疗的生物效应,降低剂量率就降低了生物效应。然而,当剂量率降低到一定阈值以下,DNA损伤不能激活细胞的探测器——共济失调毛细血管扩张症突变(ATM)基因以及ATM基因介导的损伤修复途径,因而出现细胞高的致死性,即“反剂量率效应”。在持续低剂量率照射下,主要有两条修复途径参与双链断裂(DSB)的修复,即非同源末端连接(NHEJ)修复和同源重组(HR)修复。这些修复系统在亚致死性损伤和产生剂量率效应中起重要作用,如果损伤得以完整和精确的修复,细胞的辐射敏感性就会发生改变;如果损伤不能被修复,则会诱导细胞凋亡。p53基因在低剂量率辐射引起的细胞周期阻滞和诱导细胞凋亡过程中起关键作用。 展开更多
关键词 低剂量率辐射 剂量率效应 DNA修复 凋亡 P53基因
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低剂量/低剂量率电离辐射减轻放射性损伤的研究进展 被引量：1
13
作者 赵文迪 田健 周建炜 《河南大学学报（医学版）》 CAS 2021年第5期372-376,共5页
长久以来电离辐射被当作"再微量也有风险"的因素而被人们所担忧。研究显示:当生物组织接受200 mGy以下的低剂量电离辐射时,可诱导正常组织产生适应性保护反应,进而对后续的高剂量电离辐射产生耐受,从而降低其导致的各种损伤... 长久以来电离辐射被当作"再微量也有风险"的因素而被人们所担忧。研究显示:当生物组织接受200 mGy以下的低剂量电离辐射时,可诱导正常组织产生适应性保护反应,进而对后续的高剂量电离辐射产生耐受,从而降低其导致的各种损伤。就低剂量/低剂量率电离辐射对正常组织保护作用的研究现状和生物学机制等方面的研究进展进行综述,为放射性损伤的预防和诊治提供新的科学依据。 展开更多
关键词 电离辐射 低剂量/低剂量率 放射性损伤 预防
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低剂量辐射兴奋效应及其生物临床意义 被引量：9
14
作者 赵智慧 杨彦文 +1 位作者 程亚梅 张京战 《中国辐射卫生》 北大核心 2005年第2期151-153,共3页
关键词 低剂量辐射兴奋效应 临床意义 生物 流行病学研究 传能线密度 电离辐射 中等剂量 机体影响 照射剂量 实验研究 min 剂量率 X射线 大剂量 LET
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低剂量率^(32)Pβ射线与高剂量率^(60)Coγ射线对肿瘤细胞杀伤效应对比研究 被引量：1
15
作者 冯惠茹 田嘉禾 +2 位作者 丁为民 张锦明 陈英茂 《辐射研究与辐射工艺学报》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期181-184,共4页
探索和比较低剂量率持续β射线和高剂量率γ射线两种不同的照射方式抑制肿瘤细胞增殖特点及其可能的机制。辐射源采用Pβ射线和Coγ射线;;肿瘤细胞采用人宫颈癌HeLa细胞系;;辐射后生物效应用台3260盼蓝排除法、流式细胞周期检测。低剂量... 探索和比较低剂量率持续β射线和高剂量率γ射线两种不同的照射方式抑制肿瘤细胞增殖特点及其可能的机制。辐射源采用Pβ射线和Coγ射线;;肿瘤细胞采用人宫颈癌HeLa细胞系;;辐射后生物效应用台3260盼蓝排除法、流式细胞周期检测。低剂量率Pβ射线持续照射抑制细胞增殖为渐进性;;允许多数的细胞在倍32增一个或几个细胞周期后死亡;;高剂量率Coγ射线照射对细胞的抑制作用直接、迅速。32Pβ射线对细胞周60期阻滞程度低、时间长;;而Coγ射线则相反。32Pβ低剂量率照射以缓慢持续的抑制肿瘤细胞增殖的特点不60同于Coγ射线照射。持续照射对细胞损伤、修复机制的破坏和对辐射相对敏感的G2期持续阻滞可能是其作60用机制。 展开更多
关键词 低剂量率持续辐射 高剂量率辐射 肿瘤杀伤效应 HELA细胞系
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高剂量率低剂量辐射对人红细胞ATP酶的影响 被引量：3
16
作者 易静 张献清 +2 位作者 穆士杰 安群星 夏爱军 《临床输血与检验》 CAS 2009年第1期25-26,共2页
目的研究低剂量辐射条件下高剂量辐射率对人红细胞ATP酶的影响,探讨高剂量率低剂量辐射在红细胞系统中是否存在兴奋效应。方法抽取10名健康志愿者静脉血,每份血均分成3份,其中2份在剂量率为17Gy/min,总吸收量为1Gy条件下照射,分别检测... 目的研究低剂量辐射条件下高剂量辐射率对人红细胞ATP酶的影响,探讨高剂量率低剂量辐射在红细胞系统中是否存在兴奋效应。方法抽取10名健康志愿者静脉血,每份血均分成3份,其中2份在剂量率为17Gy/min,总吸收量为1Gy条件下照射,分别检测照射前及照射后1、2h后Na+K+-ATP酶与Ca2+Mg2+-ATP酶的活力。结果与未照射红细胞相比,照射后1、2h红细胞膜Na+K+-ATP酶与Ca2+Mg2+-ATP酶的活力均升高(P<0.05)。结论高剂量率低剂量辐射能提高红细胞ATP酶活力,改善红细胞膜的代谢,在红细胞系统中具有兴奋效应。 展开更多
关键词 高剂量率低剂量辐射 红细胞 Na+K+-ATP酶 Ca2+Mg2+-ATP酶 兴奋效应
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持续低剂量率照射对血管损伤的研究进展 被引量：2
17
作者 张颖东 王俊杰 《中国肿瘤》 CAS 2007年第8期613-616,共4页
全文从持续低剂量率放疗的物理学特点、生物学特点以及对血管的损伤等方面对其生物学效应作了初步阐述。与传统的外照射相比近距离照射具有局部剂量高,达到边缘后剂量突然下降;照射范围内剂量分布不均匀,近源处最高;照射时间短,采取一... 全文从持续低剂量率放疗的物理学特点、生物学特点以及对血管的损伤等方面对其生物学效应作了初步阐述。与传统的外照射相比近距离照射具有局部剂量高,达到边缘后剂量突然下降;照射范围内剂量分布不均匀,近源处最高;照射时间短,采取一次连续照射或数次照射完成治疗等特点。持续降低照射剂量率,许多细胞系中细胞的死亡率并不是随剂量率的降低平行下降。而是当剂量率下降到某一个临界值时,继续降低剂量率,细胞的死亡率反而明显的增加,产生所谓的"反剂量率效应(inverse dose rate effect)"。持续低剂量率照射对血管的损伤是照射区域炎症反应;血管内皮细胞以及血管平滑肌细胞增殖抑制、凋亡增加综合作用的结果。 展开更多
关键词 低剂量率照射 剂量率效应 反剂量率 血管损伤
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低剂量 γ 射线照射后骨髓细胞抗自由基损伤的兴奋效应 被引量：3
18
作者 邓文 李毓琦 +4 位作者 余英 林学东 雷厚成 唐爱华 傅文茜 《中国公共卫生学报》 1997年第1期56-58,共3页
２和１０ｍＧｙ６０Ｃｏγ射线对５～６周龄Ｗｉｓｔａｒ品系雄性大鼠进行全身照射后４ｈ，动物骨髓细胞中还原型谷胱甘肽（ＧＳＨ）浓度、超氧化物歧化酶（ＳＯＤ）活性显著高于平等对照组。１０ｍＧｙγ射线照射后４ｈ，骨髓细胞中谷... ２和１０ｍＧｙ６０Ｃｏγ射线对５～６周龄Ｗｉｓｔａｒ品系雄性大鼠进行全身照射后４ｈ，动物骨髓细胞中还原型谷胱甘肽（ＧＳＨ）浓度、超氧化物歧化酶（ＳＯＤ）活性显著高于平等对照组。１０ｍＧｙγ射线照射后４ｈ，骨髓细胞中谷胱甘肽过氧化物酶（ＧＳＨＰｘ）活性显著升高。１００ｍＧｙγ射线照射后４ｈ未发现上述效应。２～１００ｍＧｙγ射线照射后动物骨髓细胞中超氧阴离子自由基（Ｏ－２）浓度、过氧化氢酶（ＣＡＴ）活性未见显著变化。在首次１０ｍＧｙγ射线对动物全身照射后４ｈ，再次用相同剂量进行重复照射，骨髓细胞中ＧＳＨ浓度、ＧＳＨＰｘ、ＳＯＤ活性立即恢复到对照水平。由于ＧＳＨ、ＧＳＨＰｘ、ＳＯＤ是细胞中抗自由基损伤的重要物质，本研究结果显示动物首次受低剂量γ射线照射后，骨髓细胞抗自由基损伤系统的防御反应增强即兴奋效应，对相继的第二次照射产生了防卫作用。抗自由基损伤系统的兴奋效应可能与细胞遗传学适应性反应存在着相关性。 展开更多
关键词 低剂量辐射 骨髓细胞 自由基损伤 兴奋效应
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单次高剂量率辐射和持续低剂量率辐射对外周血淋巴细胞培养的对比研究 被引量：1
19
作者 贾晓娟 韩军 +3 位作者 袁勇 陆建荣 王一羽 施常备 《放射免疫学杂志》 CAS 2012年第2期121-124,共4页
目的:通过外周血淋巴细胞培养,对比研究单次高剂量率外放射和持续低剂量率内放射的辐射生物效应。方法:应用直线加速器对外周血淋巴细胞分别进行1、2、4、8、16、32Gy的单次辐射;应用P-32胶体0.01、0.1、0.5、2.7MBq,分别进行持续的外... 目的:通过外周血淋巴细胞培养,对比研究单次高剂量率外放射和持续低剂量率内放射的辐射生物效应。方法:应用直线加速器对外周血淋巴细胞分别进行1、2、4、8、16、32Gy的单次辐射;应用P-32胶体0.01、0.1、0.5、2.7MBq,分别进行持续的外周血淋巴细胞辐射,培养3d后进行制片染色,对比分析研究细胞核的形态大小和染色体形成率。结果:单次1、2、4、8、16、32Gy的外放射后,外周血淋巴细胞染色体形成率分别为4.7%、5.5%、3.6%、1.7%、0.1%、0.02%;P-32胶体0.01、0.1、0.5、2.7MBq,连续3d的内辐射后,染色体形成率分别为3.3%、2.6%、1.7%、0.004%,未辐射对照组淋巴细胞形成率为3.5%。结论:单次小剂量(1、2、4Gy)辐射对外周血淋巴细胞培养可能有促进作用,单次高剂量(8、16、32Gy)辐射有明显抑制作用,高活度的P-32胶体(0.5、2.7MBq)对外周血淋巴细胞生长有明显抑制作用,对比认为,P-32胶体0.5MBq持续3d辐射的生物效应近似单次8Gy的外放射生物效应。 展开更多
关键词 高剂量率 低剂量率 外周血淋巴细胞培养 辐射生物效应
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GaN HEMT功率器件及辐射效应研究进展
20
作者 邱一武 王安晨 +1 位作者 殷亚楠 周昕杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第12期16-27,共12页
阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射... 阐述了氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)在电力电子和卫星通信领域的应用优势,并从材料生长、器件结构和性能提升的角度梳理了近年国内外的发展现状。针对GaN HEMT功率器件在复杂空间环境下面临的辐射损伤问题,重点归纳了γ射线辐射、中子辐射、质子辐射及重离子辐射引起GaN HEMT功率器件电学性能的退化规律,并总结了GaN HEMT功率器件在这些粒子辐射下产生的总剂量效应、位移损伤效应和单粒子效应等内在损伤机制。最后,指出目前GaN HEMT功率器件辐射效应研究存在的不足,并对GaN HEMT功率器件辐射效应未来的研究方向和抗辐射加固思路进行了展望。 展开更多
关键词 氮化镓 高电子迁移率晶体管(HEMT) 空间辐射效应 损伤机制 抗辐射加固
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