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用低压反应离子镀的方法制备Ge_(1-x)C_x单层非均匀增透膜的研究 被引量:3
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作者 王彤彤 高劲松 +5 位作者 王笑夷 宋琦 陈红 郑宣明 申振峰 单兆会 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期302-304,共3页
用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05-0.4nm/s之间的变化,其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明,镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构,并实... 用低压反应离子镀(RLVIP)的方法在Ge基底上制备了Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜。随着沉积速率在0.05-0.4nm/s之间的变化,其折射率在2.31~3.42之间可变。实验结果表明,镀制的Ge1-xCx单层非均匀增透保护薄膜均为无定形结构,并实现了从2000-8000nm的宽波段增透。当沉积速率为0.1nm/s时,单面平均透过率从68.6%提高到了80.9%,比单面未镀膜时提高了17.9%。通过对薄膜的稳定性和牢固度进行测试表明,制备的Ge1-xCx单层非均匀增透薄膜具有良好的性能。 展开更多
关键词 Ge1-xCx 低压反应离子镀(RLVIP) 增透膜 非均匀膜
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制备WO_3电致变色薄膜的低压反应离子镀工艺研究 被引量:3
2
作者 任豪 罗宇强 +1 位作者 李筱琳 毕君 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期289-292,共4页
在电子束蒸发镀膜的基础上 ,引入低压反应离子镀工艺制备WO3 电致变色薄膜 ,研究不同氧分压对WO3 薄膜电致变色特性的影响 ,实验结果表明制备时选择工作气体氩气分压为 2× 10 -2 Pa,氧分压为 4× 10 -2 Pa时 ,薄膜具有最好的... 在电子束蒸发镀膜的基础上 ,引入低压反应离子镀工艺制备WO3 电致变色薄膜 ,研究不同氧分压对WO3 薄膜电致变色特性的影响 ,实验结果表明制备时选择工作气体氩气分压为 2× 10 -2 Pa,氧分压为 4× 10 -2 Pa时 ,薄膜具有最好的电致变色特性和最大的变色范围。进而采用低压反应离子镀工艺成功地实现在塑料基板上制备WO3 薄膜 ,并对其电致变色特性进行了研究。同时对比了采用普通电子束蒸发镀膜制备的WO3 薄膜的电致变色特性。 展开更多
关键词 低压反应离子镀 电致变色 WO3薄膜 电子束蒸发 塑料基板 镀膜 氧分压 变色范围 氩气 实验结果
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低压反应离子镀方法制备ITO透明导电膜 被引量:2
3
作者 徐颖 高劲松 +2 位作者 王笑夷 陈红 冯君刚 《光学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期669-671,共3页
溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率... 溅射镀膜方法是制备ITO透明导电膜最常用也是实验研究最多的方法。实验使用一种不同于溅射方法的另一种制备工艺—低压反应离子镀方法—制备ITO透明导电膜。实验对不同沉积速率和不同氧气流量对ITO透明导电膜的方块电阻以及光学透过率的影响进行了详细地分析,并综合比较得到了当沉积速率为0.5nm/s,氧气流量为24cm3/min时,在波长为550nm处,方块电阻为20Ω,λ=550nm透过率为90.8%的优质ITO透明导电膜。 展开更多
关键词 低压反应离子镀 ITO透明导电膜 透过率 方块电阻
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低压反应离子镀的物理过程 被引量:2
4
作者 司磊 曾明 龙兴武 《真空》 CAS 北大核心 2003年第4期23-25,共3页
通过观察和分析 ,指出低压反应离子镀中材料经过了蒸发、电离、飞行、加速和沉积五个阶段 ,定性解释了对能谱和质谱的测量结果 ,比较全面、细致地描绘了低压反应离子镀的物理图像。
关键词 低压反应离子镀 物理过程 能谱 质谱 真空镀膜工艺
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低压反应离子镀等离子源的研制 被引量:1
5
作者 司磊 王纪武 龙兴武 《真空》 CAS 北大核心 2000年第2期26-29,共4页
自行研制了一台用于低压反应离子镀的以硼化镧 ( La B6)材料作阴极发射体的等离子源。介绍了该设备的工作原理 ,给出了设计参数的选择依据和具体结构形式 ,测量了放电电流与阴极加热功率、偏置电压、气体流量、励磁线圈电流的关系。
关键词 低压反应离子镀 离子 硼化镧 光学薄膜制备
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低压反应离子镀制备Ge_(1-x)C_x薄膜的硬度研究 被引量:1
6
作者 王彤彤 高劲松 +6 位作者 王笑夷 宋琦 陈红 郑宣明 申振峰 单兆会 凌伟 《光学仪器》 2006年第4期79-82,共4页
应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在G e基底上沉积了G e1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s^0.9nm/s之间变化,G e1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa^11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,G e1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa。XRD测试结果表... 应用低压反应离子镀的薄膜制备方法在G e基底上沉积了G e1-xCx薄膜,随着沉积速度在0.1nm/s^0.9nm/s之间变化,G e1-xCx薄膜的硬度在2.12 GPa^11.066 GPa之间可变,当沉积速率为0.9nm/s时,G e1-xCx薄膜最大硬度为11.066 GPa。XRD测试结果表明,沉积的G e1-xCx薄膜均为无定形结构。对薄膜稳定性和牢固度的测试表明,制备的G e1-xCx薄膜在具有较高的硬度的同时,也有良好的性能。 展开更多
关键词 Ge1-xCx 硬度 低压反应离子镀(RLVIP)
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低压反应离子镀氧化钨电致变色薄膜 被引量:6
7
作者 李捍东 曾志国 +1 位作者 高健存 韩丽瑛 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期271-274,共4页
介绍了低压反应离子镀沉积氧化钨电致变色薄膜,并从微观特性。
关键词 电致变色 氧化钨 低压反应离子镀
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用低压反应离子镀技术制备的类金刚石薄膜及其表征 被引量:1
8
作者 单兆会 高劲松 +2 位作者 王彤彤 申振峰 陈红 《红外》 CAS 2011年第8期8-11,共4页
以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构... 以Ar气作为工作气体,CH_4作为反应气体,利用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上成功制备出类金刚石(DLC)薄膜。通过拉曼光谱、Perking Elmer GX型红外光谱仪和Nano Indenter XP型纳米压痕硬度测试计分别表征了类金刚石薄膜的微观结构、光学性能和机械性能。结果表明,类金刚石薄膜(I_D/I_G=0.918)具有较高的sp^3键含量,其硬度值达到28.6GPa,弹性模量为199.5GPa;单层膜系在8~11.5μm波段的峰值透过率为63.6%,平均透过率为62%。 展开更多
关键词 低压反应离子镀 类金刚石薄膜 拉曼光谱 显微硬度
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低压反应离子镀新工艺及其设备 被引量:2
9
《电子工业专用设备》 1997年第2期36-44,54,共10页
采用低压反应离子镀沉积技术,制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的TiO2、SiO2和Al2O3膜,其折射率分别为255、149(550nm)和167(1100nm),比传统的电子束蒸发好得多。用... 采用低压反应离子镀沉积技术,制备光学薄膜质量有着显著的改善。我们利用此技术沉积的TiO2、SiO2和Al2O3膜,其折射率分别为255、149(550nm)和167(1100nm),比传统的电子束蒸发好得多。用此方法,在CR39基片每面沉积4层TiO2/SiO2抗反薄膜,剩余反射率≤05%。 展开更多
关键词 低压反应离子镀 沉积技术 真空镀膜
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ITO材料在减反射膜设计中的应用 被引量:10
10
作者 徐颖 高劲松 +2 位作者 王笑夷 陈红 王彤彤 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1187-1189,共3页
改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的... 改变ITO材料通常作为透明导电膜单独使用的状况,将其作为减反射膜系中的一层,能够在很大程度上增加ITO透明导电膜在可见光部分的透过率.通过使用将ITO材料置于膜系的内层和最外层两类不同的设计思想,可以使ITO透明导电膜达到相当优良的应用效果.使用低压反应离子镀方法制备了设计的两类减反射膜系,实验证明,膜层在可见光部分的透过率显著提高,剩余反射率明显下降,并得到了平均透过率为95.83%,最高透过率达到97.26%,方块电阻为13.2~24.6Ω/□的试验结果. 展开更多
关键词 ITO透明导电膜 低压反应离子镀 方块电阻 减反射膜
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RLVIP技术制备Ge1-xCx薄膜的X射线光电子能谱 被引量:3
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作者 王彤彤 高劲松 +4 位作者 宋琦 王笑夷 陈红 郑宣鸣 申振峰 《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第4期565-569,共5页
应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。... 应用低压反应离子镀(RLVIP)技术在Ge基底上沉积了Ge1-xCx巴薄膜。制备过程中,低压等离子源作为辅助等离子源,Ge作为蒸发材料,CH4作为反应气体,在相同的沉积条件下以不同的沉积速率制备了c含量(x)从0.23到0.78的Ge1-xCx薄膜。X射线衍射测试表明制备的Ge1-xCx薄膜为无定形结构。用X射线光电子能谱研究了不同C含量下Ge1-xCx薄膜中C的化学键合变化。研究结果表明:当x〉0.78时,成键为c-H键;当x为0.53~0.62时,成键为c-c键;当x〈0.47时,成键为Ge-C键。 展开更多
关键词 Ge1-xCx薄膜 低压反应离子镀 X射线光电子能谱 离子辅助沉积
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塑料衬底上制备WO_3电致变色薄膜及其特性研究 被引量:2
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作者 罗宇强 任豪 李筱琳 《光电子技术》 CAS 2004年第2期96-99,109,共5页
采用真空电子束蒸发低压反应离子镀技术制备 WO3 电致变色薄膜 ,对比研究在玻璃衬底和塑料衬底上制备的 WO3 薄膜的物理特性、电化学特性和电致变色特性。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、和电子探针显微分析技术测试了 WO3 薄膜的表面... 采用真空电子束蒸发低压反应离子镀技术制备 WO3 电致变色薄膜 ,对比研究在玻璃衬底和塑料衬底上制备的 WO3 薄膜的物理特性、电化学特性和电致变色特性。采用扫描电子显微镜、X射线衍射、和电子探针显微分析技术测试了 WO3 薄膜的表面形貌、晶体结构和成分比例等。采用分光光度计测试了 WO3 薄膜在原始态、着色态和退色态的透射光谱。 展开更多
关键词 WO3 电致变色 塑料 低压反应离子镀
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