期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到3篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
Co在Si(100)表面化学吸附的电子结构和性质 被引量：4
1
作者 危书义 马丽 +2 位作者 杨宗献 戴宪起 张开明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第10期1040-1043,共4页
用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电... 用紧束缚下的Muffin tin轨道线性组合方法研究了单层Co原子在理想的Si(10 0 )表面的化学吸附 .计算了Co原子在不同位置时吸附体系的能量 .结果表明 ,Co原子在C位 (四度位 )时吸附最稳定 ,在Co/Si(10 0 )界面存在Co、Si混合层 .同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究 . 展开更多
关键词 化学吸附 钴 硅 低指数单晶面 金属薄膜
下载PDF
Ag在Si(001)-(2×1)表面化学吸附的第一性原理研究
2
作者 张芳 李伟 危书义 《河南师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2011年第1期94-97,共4页
用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界... 用紧束缚下的Muffin-tin轨道线性组合方法研究了0.5个单层Ag原子在Si(001)-(2×1)表面的化学吸附.计算了Ag原子在不同位置时吸附体系的能量.结果表明,Ag原子在cave位时吸附最稳定,在Ag/Si(001)界面不存在Ag-Si混合层,Ag/Si(001)界面为突变界面.同时对电子转移情况和层投影态密度进行了研究. 展开更多
关键词 化学吸附 银 硅 低指数单晶面 超级原胞
下载PDF
Ag在Si(100)表面化学吸附特性研究
3
作者 高琳 《内蒙古民族大学学报（自然科学版）》 2007年第3期254-258,共5页
本文应用自洽TB-LMTO方法研究银原子在理想Si(100)表面的化学吸附,计算不同位置的吸附能量(Ead),发现相比Si(100)表面其他吸附位置而言被吸附的银原子更趋附于C位置(四重位),在Ag原子和表面Si原子之间形成极性共价健,在Ag-Si(100)界面... 本文应用自洽TB-LMTO方法研究银原子在理想Si(100)表面的化学吸附,计算不同位置的吸附能量(Ead),发现相比Si(100)表面其他吸附位置而言被吸附的银原子更趋附于C位置(四重位),在Ag原子和表面Si原子之间形成极性共价健,在Ag-Si(100)界面不存在Ag和Si的混合层而是形成突变界面,这与实验结果是一致,计算了层投影态密度并与清洁表面比较,对电子转移情况也进行了研究.相对Au/Si(100)而言,Ag和Si相互作用比Au和Si相互作用要弱. 展开更多
关键词 化学吸附 SI AG 低指数单晶面 超级原胞
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部