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非晶硅薄膜的低温快速晶化及其结构分析 被引量：21
1
作者 林揆训 林璇英 +3 位作者 梁厚蕴 池凌飞 余楚迎 黄创君 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期863-866,共4页
在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶... 在镀铝的廉价玻璃衬底上高速沉积的非晶硅薄膜在不同的温度下退火 10min .退火温度为 5 0 0℃时 ,薄膜表面形成了硅铝的混合相 ,非晶硅薄膜开始呈现了晶化现象 ;退火温度为 5 5 0℃时 ,大部分 (约 80 % )的非晶硅晶化为多晶硅 ,平均晶粒尺寸为 5 0 0nm ;退火温度为 6 0 0℃时 ,几乎所有的非晶硅都转化为多晶硅 ,其平均晶粒尺寸约为1 5 μm . 展开更多
关键词 固相晶化 多晶硅薄膜 非晶硅薄膜 低温快速晶化 结构分析
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