低温砷化镓的外延lift-off和范德华贴附研究

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作者 蓝天 倪国强 《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期163-166,共4页

研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法：腐蚀掉100nm厚的AlAs牺牲层，将外延生长的500nm厚的低温砷化镓（LT-GaAs）从生长衬底上揭下（lift-off），借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上... 研究了低温砷化镓的外延lift-off和基于范德华力在石英新衬底上贴附的实验方法：腐蚀掉100nm厚的AlAs牺牲层，将外延生长的500nm厚的低温砷化镓（LT-GaAs）从生长衬底上揭下（lift-off），借助于范德华力将LT-GaAs外延膜贴附在新衬底上。Lift—off之前在LT-GaAs表面上滴附黑蜡，以增强在lift-off过程中对LT-GaAs的保护，和加快反应气体扩散离开反应区的过程。针对500nm厚的LT-GaAs外延薄膜的揭起和贴附，给出了低温砷化镓的最佳lift-off尺寸和提高范德华力贴附质量的实验技术。此外还给出了利用所得到的lift-off后的LT-GaAs制备的共平面条形结构光导开关的时间特性：上升时间小于1．5ps，FWHM小于2ps。 展开更多

关键词 低温砷化镓 外延lift-off 范德华力贴附 光导开关

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低温生长砷化镓的超快光抽运-太赫兹探测光谱 被引量：2

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作者 樊正富 谭智勇 +5 位作者 万文坚 邢晓 林贤 金钻明 曹俊诚 马国宏 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2017年第8期295-301,共7页

本文采用光抽运-太赫兹探测技术系统研究了低温生长砷化镓(LT-GaAs)中光生载流子的超快动力学过程.光激发LT-GaAs薄层电导率峰值随抽运光强增加而增加,最后达到饱和,其饱和功率为54μJ/cm^2.当载流子浓度增大时,电子间的库仑相互作用将... 本文采用光抽运-太赫兹探测技术系统研究了低温生长砷化镓(LT-GaAs)中光生载流子的超快动力学过程.光激发LT-GaAs薄层电导率峰值随抽运光强增加而增加,最后达到饱和,其饱和功率为54μJ/cm^2.当载流子浓度增大时,电子间的库仑相互作用将部分屏蔽缺陷对电子的俘获概率,从而导致LT-GaAs的快速载流子俘获时间随抽运光强增加而变长.光激发薄层电导率的色散关系可以用Cole-Cole Drude模型很好地拟合,结果表明LT-GaAs内部载流子的散射时间随抽运光强增加和延迟时间(产生光和抽运光)变长而增加,主要来源于电子-电子散射以及电子-杂质缺陷散射共同贡献,其中电子-杂质缺陷散射的强度与光激发薄层载流子浓度密切相关,并可由散射时间分布函数α来描述.通过对光激发载流子动力学、光激发薄层电导率以及迁移率变化的研究,我们提出适当增加缺陷浓度,可以进一步降低载流子迁移率和寿命,为研制和设计优良的THz发射器提供了实验依据. 展开更多

关键词 低温生长砷化镓 超快太赫兹光谱 光电导

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太赫兹片上系统中低温砷化镓薄膜光电导天线的研究（英文） 被引量：2

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作者 张聪 苏波 +3 位作者 张宏飞 武亚雄 何敬锁 张存林 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2019年第10期3308-3312,共5页

太赫兹时域光谱技术是一种在太赫兹频段内,广泛应用的光谱测量技术。这种技术可以用于许多物质的频谱分析,对于研究化学、半导体与生物分子等领域有着无可比拟的作用。然而用该系统进行样品探测时,受回波的影响频谱分辨率较低;受太赫兹... 太赫兹时域光谱技术是一种在太赫兹频段内,广泛应用的光谱测量技术。这种技术可以用于许多物质的频谱分析,对于研究化学、半导体与生物分子等领域有着无可比拟的作用。然而用该系统进行样品探测时,受回波的影响频谱分辨率较低;受太赫兹波光斑大小以及待测样品与电磁波相互作用距离长短的影响,样品消耗量较多,并且整个系统的占用空间较大,这些局限性都限制了太赫兹时域光谱系统的进一步发展。为了突破太赫兹时域光谱系统的局限性,设计了一种将太赫兹泵浦区、探测区和传输波导集成到一个硅片上的太赫兹片上系统,该系统不仅能够解决上述系统的局限性,还能够省去样品测量前的光路准直环节,使样品的测量过程更加简便,同时集成化的系统也很大程度上提高了太赫兹波传输的稳定性。在太赫兹片上系统中,泵浦区和探测区的光电导天线是由低温砷化镓和金属电极制成,由于受到太赫兹片上系统的高度集成化和低温砷化镓晶体生长条件的限制,如何制备出低温砷化镓半导体薄膜衬底,并将其转移与键合,是太赫兹片上系统研制过程中的关键环节。首先利用分子束外延(MBE)技术制备出由半绝缘砷化镓、砷化镓缓冲层、砷化铝牺牲层和低温砷化镓层构成的外延片,然后利用盐酸溶液与砷化铝和低温砷化镓反应速度差别较大的原理,将200nm厚的AlAs牺牲层腐蚀掉,从而得到2μm厚的低温砷化镓薄膜。为了更加高效并且完整地得到低温砷化镓薄膜,研究了盐酸溶液在不同温度和不同浓度下与AlAs牺牲层的选择性腐蚀速率的关系。给出了低温砷化镓薄膜制备过程中盐酸的最佳体积比浓度和最佳温度,即在73℃下13.57%的盐酸溶液中进行砷化铝牺牲层的腐蚀。相比于已有工艺,这种腐蚀方法对实验设备的要求较低并且具有较高的安全性。最后,将单层低温砷化镓薄膜转移键合至硅片上,并制成光电导天线的结构。利用飞秒激光脉冲进行激发探测到太赫兹信号。由此说明,低温砷化镓薄膜的获取、转移与键合工艺能够满足芯片级太赫兹系统的制作要求,这为太赫兹片上系统的进一步研制打下了坚实的基础。 展开更多

关键词 太赫兹 低温砷化镓 薄膜 腐蚀 光电导天线

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砷化镓中某些缺陷低温光致发光光谱的解释

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作者 邹重基 邹元燨 《应用科学学报》 CAS 1987年第2期108-112,共5页

本文对某些缺陷的低温光致发光光谱的解释提出了一种经验方法.将该法应用于文献中报道的非掺、LEC半绝缘砷化镓的低温光致发光光谱,得到了一些有用的结果.然后,对某些有关缺陷的本性提出了一些看法.

关键词 发射带 LEC 半绝缘 低温光致发光光谱 位错密度 晶体生长 能级 砷化镓 砷化物

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掺磷的砷化镓发光二极管用作35K以上温区的通用温度计

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作者 J.D.N.Cheeke C.Neron +1 位作者 A.Brunelle 刘雅珍 《低温与特气》 CAS 1984年第2期68-70,共3页

从1972年起，硅二极管被用作低温敏感元件，并可从市场上买到。它们在低温下的优点是具有高爰敏度，在30K以上，V(T)几乎成线性关系。其主要缺点是对磁场敏感，当于30K时，V(T)呈非线性关系，且价格昂贵。1966年为了进行低温测量，引进... 从1972年起，硅二极管被用作低温敏感元件，并可从市场上买到。它们在低温下的优点是具有高爰敏度，在30K以上，V(T)几乎成线性关系。其主要缺点是对磁场敏感，当于30K时，V(T)呈非线性关系，且价格昂贵。1966年为了进行低温测量，引进了砷化镓二极管，但被在低温下有较高灵敏度和有高温线性特性的硅二极管代替了。 展开更多

关键词 砷化镓 发光二极管 温度计 通用 温区 掺磷 硅二极管 1972年 非线性关系 1966年 敏感元件 低温测量 线性特性 高灵敏度

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LT-GaAs缺陷态对载流子的捕获特性 被引量：3

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作者 刘智刚 黄亚萍 +2 位作者 文锦辉 廖睿 林位株 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期119-121,122,共4页

采用宽频带飞秒脉冲泵浦 -探测方法测量了LT_GaAs中不同能态的光生载流子的超快捕获特性 ,发现随着载流子的过超能量增大 ,载流子的散射速率加快 ,而缺陷态对载流子的捕获速率 ,则与光生载流子的过超能量无关 ,表明LT_GaAs缺陷态捕获电... 采用宽频带飞秒脉冲泵浦 -探测方法测量了LT_GaAs中不同能态的光生载流子的超快捕获特性 ,发现随着载流子的过超能量增大 ,载流子的散射速率加快 ,而缺陷态对载流子的捕获速率 ,则与光生载流子的过超能量无关 ,表明LT_GaAs缺陷态捕获电子主要为点缺陷深能级多声子无辐射捕获过程。 展开更多

关键词 lt-gaas 缺陷态 非平衡载流子 捕获特性 飞秒脉冲 缺陷捕获 捕获速率 低温生长砷化镓 半导体

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低温生长GaAs非平衡载流子的超快动力学特性 被引量：8

7

作者 文锦辉 陈颖宇 +2 位作者 黄淳 张海潮 林位株 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期195-200,共6页

采用飞秒激光光谱技术研究了ＬＴ－ＧａＡｓ受激载流子的超快弛豫特性，讨论了载流子散射、载流子－声子互作用和缺陷捕获对载流子弛豫特性的贡献，测定载流子的捕获时间约为５００ｆｓ。

关键词 饱和吸收光谱 砷化镓 低温 载流子 超快动力学

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低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波 被引量：13

8

作者 李铁元 娄采云(指导) +3 位作者 王黎 黄缙 赵国忠 石小溪 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期978-982,共5页

宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景,光电导天线是产生宽频THz波的重要手段。分析了低温生长和高温退火对光电导天线材料载流子寿命和电阻率的影响。在生长温度为230 ℃和250 ℃,退火温度为475 ℃的低温生长砷化... 宽频太赫兹(THz)技术在国防、科研等领域有着广阔的应用前景,光电导天线是产生宽频THz波的重要手段。分析了低温生长和高温退火对光电导天线材料载流子寿命和电阻率的影响。在生长温度为230 ℃和250 ℃,退火温度为475 ℃的低温生长砷化镓(LTG-GaAs)上制备了领结(BowTie)和偶极子(Dipole)两种电极结构的小孔径光电导天线。实验给出,在250℃生长的LTG-GaAs上制备的光电导天线产生的太赫兹波辐射强度和频谱宽度较好,谱宽达到了3.6 THz,Bow Tie天线的辐射强度优于Dipole天线。两种形状的光电导天线皆可在10 V的偏置电压下产生太赫兹波辐射。 展开更多

关键词 光谱学 太赫兹波 时域光谱测量 低温生长砷化镓 光电导天线

原文传递

低温生长砷化镓光电导天线产生太赫兹波的辐射特性 被引量：8

9

作者 石小溪 赵国忠 +2 位作者 张存林 崔利杰 曾一平 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期396-400,共5页

研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换(FFT)得到相应的频域光谱。结... 研究了低温生长砷化镓光电导天线(LT-GaAs PCA)产生太赫兹(THz)波的辐射特性。利用太赫兹时域光谱(TDS)技术测量了光电导发射极在飞秒激光作用下辐射的太赫兹脉冲,得到了时域发射光谱,并通过快速傅里叶变换(FFT)得到相应的频域光谱。结果表明,低温砷化镓光电导天线产生的太赫兹波信号比飞秒激光激发半导体表面产生的太赫兹波信号具有更高的强度和信噪比;太赫兹波信号与光电导天线的偏置电压成线性关系;随着抽运激光功率的增强,太赫兹波信号增大并出现饱和。 展开更多

关键词 光谱学 太赫兹波 时域光谱测量 低温生长砷化镓 光电导天线

原文传递

低温GaAs外延层上生长InAs量子点的研究 被引量：3

10

作者 王晓东 汪辉 +2 位作者 王海龙 牛智川 封松林 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期177-180,共4页

利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :... 利用退火技术 ,实现了在低温 Ga As外延层上 In As量子点的生长 .透射电镜 (TEM)研究表明 ,低温 Ga As外延层上生长的 In As量子点比通常生长的 In As量子点明显变小 ,且密度变大 ,认为是由于低温 Ga As中的点缺陷以及 As沉淀引起的 :点缺陷释放了部分弹性能 ,使得量子点变小 ,而 As沉淀可能是量子点密度变大的原因 .在光致发光谱 (PL )上 ,退火低温外延层上生长的量子点的发光峰能量较高 。 展开更多

关键词 外延生长 砷化镓 砷化锢 砷沉淀 低温 量子点

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InP/GaAs低温键合的新方法 被引量：5

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作者 谢生 陈松岩 +2 位作者 何国荣 周海文 吴孙桃 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期416-418,共3页

通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通... 通过对 InP/GaAs 异质键合实验方法的研究,提出了包括表面活化处理、真空预键合和退火热处理的三步法,在350℃低温下实现了InP/GaAs异质材料的键合。界面电流 电压(I V)特性的研究表明,350℃样品的界面过渡层极薄,电子主要以隧穿方式通过界面,而450℃的扩散使得过渡层增厚,界面电流 电压特性可视为双肖特基二极管的反向串联。同时,对键合样品也进行了拉力测试,实验结果表明 450℃样品的键合强度优于350℃样品。最后,对InP/GaAs异质材料的键合机理进行了探讨。 展开更多

关键词 低温键合 磷化铟 砷化镓 I-V特性 键合强度

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低温下分子束外延生长GaAs的光致发光研究 被引量：1

12

作者 江德生 吕振东 +3 位作者 崔丽秋 周向前 孙宝权 徐仲英 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期7-10,共4页

研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－Ｇ... 研究了低温下分子束外延生长ＧａＡｓ（ＬＴＧ－ＧａＡｓ）样品的稳态和瞬态发光．从２００℃生长的样品中可测到很弱但清晰可辨的稳态发光峰，峰的能量位置相对于体ＧａＡｓ激子峰有一定蓝移．此外，发现在体ＧａＡｓ上生长ＬＴＧ－ＧａＡｓ薄膜可大大减小体ＧａＡｓ衬底材料中本征发光的衰减时间，但对（ｅ，Ａ°）发光影响不大．用上转换方法对退火和未退火ＬＴＧ－ＧａＡｓ样品瞬态发光进行了测量，获得了关于ＬＴＧ－ＧａＡｓ中复合中心和陷阱中心的信息． 展开更多

关键词 光致发光 砷化镓 分子束外延 瞬态测量 低温

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中子辐照GaAs快速退火行为的低温光荧光研究 被引量：2

13

作者 刘健 王佩璇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期50-55,共6页

用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及嬗变掺杂进行了研究．结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子嬗变掺杂效应，嬗变掺杂使近导带施主增加从而使与ＣＡｓ有关的跃迁峰向低能移动．辐照剂量较低时，嬗变原子... 用低温（１０Ｋ）光荧光（ＰＬ）的方法对中子辐照砷化镓中的缺陷及嬗变掺杂进行了研究．结果表明：低温ＰＬ实验可观察到中子嬗变掺杂效应，嬗变掺杂使近导带施主增加从而使与ＣＡｓ有关的跃迁峰向低能移动．辐照剂量较低时，嬗变原子Ｇｅ占居Ｇａ位；当辐照剂量较大时，部分嬗变原子Ｇｅ占居Ａｓ位．在高剂量（１０１７ｎ／ｃｍ２）辐照情况下，经８００℃（２０秒）退火，仍有反位缺陷ＧａＡｓ（ＥＶ＋２００ｍｅＶ）和复合缺陷ＩＧａ－ＶＡｓ存在，在低剂量（１０１４ｎ／ｃｍ２～１０１６ｎ／ｃｍ２）辐照情况下，经此退火过程，未观察到这两种缺陷的ＰＬ峰． 展开更多

关键词 中子辐照 光荧光 低温 砷化镓 抗辐照器件 退火

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低温和高压条件对GaAs/AlAs弱耦合超晶格电场畴形成的影响 被引量：1

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作者 刘振兴 孙宝权 江德生 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1998年第3期23-27,共5页

在低温条件下用静水压法研究了掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格材料的电场畴形成及级联共振隧穿过程。对于第一电流类平台区域，我们观察到了两种级联共振隧穿过程。当Ｐ＜０．１６ＧＰａ时，高场畴为Γ－Γ级联共振隧穿过程；而当... 在低温条件下用静水压法研究了掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ超晶格材料的电场畴形成及级联共振隧穿过程。对于第一电流类平台区域，我们观察到了两种级联共振隧穿过程。当Ｐ＜０．１６ＧＰａ时，高场畴为Γ－Γ级联共振隧穿过程；而当Ｐ＞０．１６ＧＰａ时，高场畴则为Γ－Ｘ级联共振隧穿过程。对温度－电阻的研究过程中发现了Ｒ－Ｔ的曲线变化亦与级联共振隧穿的产生有一定的关联。 展开更多

关键词 电场畴 级联共振隧穿 超晶格 砷化镓 低温

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天线几何结构对低温GaAs光电导THz发射的影响

15

作者 崔利杰 曾一平 +5 位作者 王保强 朱战平 石小溪 黄振 李淼 赵国忠 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期52-54,共3页

研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何... 研究了用飞秒激光激发低温生长的GaAs(LT-GaAs)大孔径光电导天线产生太赫兹(THz)波的辐射特性。通过设计七种大孔径天线结构,来研究天线的几何结构对THz发射性能的影响。实验发现七种天线的有效频谱宽度都达到了3THz,而且七种不同几何形状天线的THz发射谱与频率谱并没有太显著的差别。 展开更多

关键词 太赫兹 低温砷化镓薄膜 光电导材料 时域光谱测试

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超快泵探针对GaAs中X射线诱导的瞬态光学反射率变化的探测（英文）

16

作者 王博 白永林 +5 位作者 徐鹏 缑永胜 朱炳利 白晓红 刘百玉 秦军君 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第10期3130-3133,共4页

理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大大减小了载流子寿命,使超热电子的弛豫时间小于1×10-12s,载流子的复合时间小于2×10-12s,折射... 理论估算并实验验证了在X射线脉冲激发下低温砷化镓的光学折射率调制特性。泵浦-探针实验表明,低温砷化镓中存在的高密度复合缺陷大大减小了载流子寿命,使超热电子的弛豫时间小于1×10-12s,载流子的复合时间小于2×10-12s,折射率的扰动时间约为2×10-12s。通过理论分析,给出了自由载流子和俄歇效应对该弛豫过程的定量估算,与实验结果吻合较好。该研究表明低温生长砷化镓是一种有效的可用于单次瞬态皮秒时间分辨X射线探测的材料。 展开更多

关键词 低温生长砷化镓 X射线探测器 折射率扰动 皮秒时间分辨

原文传递

中国的量子化霍尔电阻标准 被引量：1

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作者 张钟华 贺青 +1 位作者 李正坤 刘勇 《中国计量》 2005年第4期49-51,共3页

国际计量委员会推荐,1990年1月1日起在世界范围内,启用量子化霍尔电阻标准代替电阻实物基准。中国计量科学研究院经过十几年的努力,在2003年建成了量子化霍尔电阻标准装置,并于2004年通过了鉴定。课题组自主研制了能满足实际量值传递工... 国际计量委员会推荐,1990年1月1日起在世界范围内,启用量子化霍尔电阻标准代替电阻实物基准。中国计量科学研究院经过十几年的努力,在2003年建成了量子化霍尔电阻标准装置,并于2004年通过了鉴定。课题组自主研制了能满足实际量值传递工作要求的量子化霍尔器件,并建成了高精度的低温电流比较仪,以把量子化霍尔电阻量值传递到日常检定工作中使用的十进制电阻。课题成果中有多项独创性的成就。目前所建量子化霍尔电阻标准的不确定度达到10-10量级,跃居国际领先水平。 展开更多

关键词 量子化霍尔电阻 不确定度 低温电流比较仪 砷化镓 砷化物 霍尔器件 标准电阻 电阻测量仪器 国际计量委员会 中华人民共和国

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平面型Gunn器件低温SiO_2淀积

18

作者 陈定钦 徐建成 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第4期352-354,共3页

采用“夹层结构”的方法，在制作平面型Ｇｕｎｎ畴雪崩器件的ｎ型ＧａＡｓ外延材料上，低温（４２０～４５０℃）淀积ＳｉＯ２；并叙述了原理、工艺条件及其重要结果。

关键词 半导体器件 砷化镓 处延生长 低温淀积

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MBE低温生长GaAs在器件应用上的回顾与新进展

19

作者 郑戈 汪辉 《信息技术》 2008年第10期95-98,共4页

在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的GaAs(LTG-GaAs)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用... 在分子束外延的过程中,使用低温衬底(200-300摄氏度)生长的GaAs(LTG-GaAs)在化学配比,结构和性能上与普通衬底温度(600摄氏度)相比都有着不同的特点,这些差异可以被用来进行各种应用。将就其光电器件、非合金化欧姆接触以及量子点应用进行一些回顾,并说明该材料的一些特殊性能。 展开更多

关键词 低温生长砷化镓 器件应用 光电器件 非合金化欧姆接触 量子点

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流体静压力下窄势垒GaAs/AlAs超晶格的低温纵向输运 被引量：2

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作者 武建青 刘振兴 +1 位作者 江德生 孙宝权 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期303-308,共6页

我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同．当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态子能级降至ＥΓ１子能级和ＥΓ２子能级中间或更低能量位置时，未... 我们研究了７７Ｋ温度下掺杂弱耦合ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ窄垒超晶格在流体静压力下的垂直输运，发现其输运性质与宽垒超晶格有很大不同．当在压力下ＡｌＡｓ垒层中的Ｘ基态子能级降至ＥΓ１子能级和ＥΓ２子能级中间或更低能量位置时，未观察到Γ－Γ共振隧穿到Γ－Ｘ共振隧穿的转变，Ｉ－Ｖ曲线上的平台并未随压力增大而收缩，反而稍有变宽．同时，平台电流随压力增大而增加，直到与ＥΓ１－ＥΓ１共振峰电流相当．我们认为，由于垒层很薄，Γ电子隧穿通过垒层的几率很高，ＥΓ１－ＥΓ１共振峰显著高于ＥΓ１－Ｅｘ１共振峰，因此，高场畴区内的输运机制在压力下仍由Γ－Γ级联共振隧穿控制．但由于Ｘ子能级随压力升高而降低，导致隧穿通过Γ－Ｘ垒的几率增加，非共振背景电流增大．由于电流连续性条件的要求，高场区的电场强度增强，导致在高压力下平台宽度随压力稍微变宽． 展开更多

关键词 砷化镓 砷化铝 超晶格 低温纵向输送

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