期刊导航
期刊开放获取
重庆大学
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
低能强流离子束装置计算机控制系统
被引量：
2
1
作者
马瑞刚
李康宁
+5 位作者
崔宝群
姜冲
李立强
马鹰俊
唐兵
李爱玲
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期461-464,共4页
为实现低能强流离子束装置自动化,提高抗干扰能力和稳定度,研究开发了低能强流离子束装置计算机控制系统。该控制系统采用西门子S7-300PLC,下位机使用STEP7 V5组态软件进行编程,控制界面用Lab Windows/CVI 6.0编制,控制位于3个不同电位...
为实现低能强流离子束装置自动化,提高抗干扰能力和稳定度,研究开发了低能强流离子束装置计算机控制系统。该控制系统采用西门子S7-300PLC,下位机使用STEP7 V5组态软件进行编程,控制界面用Lab Windows/CVI 6.0编制,控制位于3个不同电位的离子束系统。文章描述了控制系统的总体结构、硬件选取和软件实现的功能,讨论了系统在调试过程中抑制干扰的方法。
展开更多
关键词
低能
强流
离子
束
系统
计算机控制
连锁保护
下载PDF
职称材料
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
2
作者
宋书林
陈诺夫
+3 位作者
周剑平
李艳丽
杨少延
刘志凯
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期258-261,共4页
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力...
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。
展开更多
关键词
镓、钆、砷薄膜
低能离子束系统
砷化镓衬底
下载PDF
职称材料
题名
低能强流离子束装置计算机控制系统
被引量：
2
1
作者
马瑞刚
李康宁
崔宝群
姜冲
李立强
马鹰俊
唐兵
李爱玲
机构
中国原子能科学研究院核物理研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期461-464,共4页
文摘
为实现低能强流离子束装置自动化,提高抗干扰能力和稳定度,研究开发了低能强流离子束装置计算机控制系统。该控制系统采用西门子S7-300PLC,下位机使用STEP7 V5组态软件进行编程,控制界面用Lab Windows/CVI 6.0编制,控制位于3个不同电位的离子束系统。文章描述了控制系统的总体结构、硬件选取和软件实现的功能,讨论了系统在调试过程中抑制干扰的方法。
关键词
低能
强流
离子
束
系统
计算机控制
连锁保护
Keywords
low-energy ion beam system
computer control
chain protection
分类号
TL503.6 [核科学技术—核技术及应用]
下载PDF
职称材料
题名
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
2
作者
宋书林
陈诺夫
周剑平
李艳丽
杨少延
刘志凯
机构
中国科学院半导体所半导体材料科学重点实验室
中国科学院力学研究所国家微重力实验室
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004年第2期258-261,共4页
基金
国家自然科学基金 60 1760 0 1
国家重大基础研究计划项目 G2 0 0 0 0 3 65和 G2 0 0 2 CB3 1190 5共同资助
文摘
室温条件下 ,用离子束外延设备制备 ( Ga,Gd,As)样品 ,X射线衍射 ( XRD)结果表明除了 Ga As衬底峰 ,没有发现其他新相的衍射峰。俄歇电子能谱 ( AES)分析了样品中元素随深度的变化 ,不同样品中元素的分布有着不同的特点。并运用原子力显微镜 ( AFM)研究了样品表面的形貌特点 ,表明样品表面的粗糙度与 Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关。运用交变梯度磁强计 ( AGM)对薄膜进行磁性分析 ,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性 ,但金属钆本身具有室温铁磁性 ,因而需要进一步分析。
关键词
镓、钆、砷薄膜
低能离子束系统
砷化镓衬底
Keywords
(Ga, Gd, As) film
low energy ion beam system
GaAs substrate
分类号
TN304.7 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
低能强流离子束装置计算机控制系统
马瑞刚
李康宁
崔宝群
姜冲
李立强
马鹰俊
唐兵
李爱玲
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
2
下载PDF
职称材料
2
低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
宋书林
陈诺夫
周剑平
李艳丽
杨少延
刘志凯
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2004
0
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
