银纳米线的侧向生长及其抑制研究 被引量：1

1

作者 彭勇宜 徐国钧 +3 位作者 周剑飞 代国章 王云 李宏建 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第6期1656-1661,共6页

采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫... 采用多元醇法,在不同温度,不同PVP滴加速度和加入量的条件下合成了银纳米线。利用XRD,UV-Vis,SEM和TEM对银纳米线及其侧向生长过程进行了观察和分析。UV-Vis表明银纳米线在纵向生长的同时发生了侧向生长。而且表示银纳米线侧向生长的紫外吸收光谱峰在银纳米线合成后期发生了明显的红移,由384nm红移至约388nm处,表明银纳米线合成后期直径迅速增长,银纳米线发生了快速的侧向生长。SEM研究表明银纳米线直径在反应前期(15~23min)只增加了20nm,而在反应后期(23~30min)银纳米线直径增加了近150nm,SEM观察结果与UV-Vis分析结论一致。同时还发现银纳米线直径不仅与晶种大小有关而且与银线外覆盖的银层厚度有关,银源以吸附在银线侧面的小银颗粒为附着点沿其侧面多点沉积导致了银纳米线的侧向生长;降低反应液温度(165℃降至155℃),降低PVP滴加速度(67mL·h^(-1)减小到49mL·h^(-1))以及减少银纳米线合成后期PVP加入量可抑制银纳米线的侧向生长,显著提高银纳米线长径比,银纳米线直径由200nm减小至100nm左右,长度仍保持在100μm以上。 展开更多

关键词 多元醇法 银纳米线 侧向生长 抑制

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Survivin基因在侧向生长型大肠肿瘤的表达

2

作者 张斌 吴晓冬 +4 位作者 李长锋 杨蕾 李丹丹 张莹 张宝刚 《吉林医学》 CAS 2006年第10期1154-1155,1157,共3页

目的:对大肠腺瘤组、LST良性组、大肠腺癌组分别进行Survivin基因表达的研究,为进一步完善大肠肿瘤发生的分子生物机制奠定基础。方法:分别用RT-PCR法和免疫组化SP法对大肠腺瘤、大肠腺癌、LST良性组及正常大肠黏膜组织,检测Sur-vivin... 目的:对大肠腺瘤组、LST良性组、大肠腺癌组分别进行Survivin基因表达的研究,为进一步完善大肠肿瘤发生的分子生物机制奠定基础。方法:分别用RT-PCR法和免疫组化SP法对大肠腺瘤、大肠腺癌、LST良性组及正常大肠黏膜组织,检测Sur-vivin的表达。结果:大肠腺癌组、大肠腺瘤组和LST良性组中Survivin表达显著高于正常大肠黏膜组(P<0.05);大肠腺瘤组和LST良性组Survivin表达低于大肠癌组(P<0.05),而大肠腺瘤组和LST良性组间无差异表达。结论:Survivin的过度表达是大肠上皮癌变过程的早期事件之一。LST与大肠腺瘤有着相同的基因改变,同样是由于多种基因协同作用的结果,同样经过腺瘤-癌顺序学说演变成大肠腺癌。 展开更多

关键词 大肠肿瘤 侧向生长型 SURVIVIN

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利用侧向生长机制在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC

3

作者 李斌 魏汝省 田牧 《电子工艺技术》 2017年第1期41-44,共4页

引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及... 引入了一种采用升华外延法在偏向4H-SiC衬底上生长3C-SiC的方法,提出了3C-SiC薄膜的生长模型,通过控制实现原位立方相3C成核,再沿台阶流方向侧向扩展3C-SiC单晶区域。连续多批次生长1 mm厚高质量3C-SiC样品,证明了该生长工艺的稳定性及重复性,XRD摇摆曲线半高宽(FWHM)34″~48″,表明结晶质量非常好。低温光致发光谱同样显示高结晶质量,残余N浓度(1~2)×1016 cm-3。这种3C-SiC材料的生长理念可以用于均匀3C-SiC薄膜材料制备或者为3C-SiC体块单晶生长提供籽晶。 展开更多

关键词 3C-SiC薄膜 侧向生长 偏向4H-SiC衬底

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GaN异质外延中的侧向生长技术

4

作者 温连健 尚宗峰 吴慈刚 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第7期536-541,553,共7页

以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外... 以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因。侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结。ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污。 展开更多

关键词 氮化物 异质外延 掩膜 位错 侧向生长(ELOG)技术

原文传递

氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究

5

作者 夏政辉 李腾坤 +6 位作者 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第3期480-486,共7页

氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用... 氮化镓单晶具有高击穿电压、直接带隙、高饱和电子漂移速率、良好的化学稳定性等特性,在光电子器件和大功率电子器件中有广泛的应用。然而异质外延氮化镓会产生高位错密度,限制了氮化镓基器件的性能发挥。本研究以HVPE-GaN为籽晶,采用氨热法生长了氮化镓单晶,利用扫描电子显微镜(SEM),光学显微镜和湿法腐蚀研究了氨热法氮化镓单晶籽晶区至侧向生长区的位错演变。研究结果表明,侧向生长区的氮化镓单晶位错密度明显低于籽晶区,侧向生长超过25μm后,位错密度降低2个数量级。 展开更多

关键词 氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑

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侧向外延法生长的高质量GaN及其外延缺陷的观察(英文) 被引量：1

6

作者 杨志坚 胡晓东 +12 位作者 章蓓 陆敏 陆羽 潘尧波 张振声 任谦 徐军 李忠辉 陈志忠 秦志新 于彤军 童玉珍 张国义 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期72-76,共5页

在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生... 在有条状SiO2 图形的GaN“模板”上,侧向外延方法生长了高质量的GaN。荧光显微镜的结果表明在SiO2 掩膜区有成核过程发生。原因可能是SiO2 的质量不高,为GaN的生长提供了一些成核中心。在GaN层的厚度达到 4. 5μm后,侧向的融合开始发生。侧向生长的速度与垂直生长速度几乎相同。在所有的SiO2 掩膜上方都形成了空洞。样品在 240℃熔融的KOH中腐蚀 13min。在SiO2 掩膜区生长的GaN,其腐蚀坑密度(相当于穿透位错密度 )减少到几乎为零。而在窗口区生长的GaN,腐蚀坑密度仍然很高,达到 108 cm-2量级。同时,我们发现具有不同窗口尺寸的样品在SiO2掩膜区上侧向生长的GaN的晶体质量基本相同,与窗口区的宽度几乎无关。室温光荧光结果表明侧向外延法生长的GaN中的晶格失配应力已被部分释放。 展开更多

关键词 氮化镓 侧向外延生长 金属有机化学气相沉积

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侧向外延生长GaN的结构特性(英文)

7

作者 张荣 顾书林 +5 位作者 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期53-56,共4页

研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表... 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚。 展开更多

关键词 GAN 侧向外延生长 氢化汽相外延

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侧向外延生长GaN的结构特性(英文)

8

作者 张荣 顾书林 +5 位作者 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第S1期53-56,共4页

研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表... 研究了在刻有图形的GaN“衬底”上用HVPE方法侧向外延生长 (ELO)GaN的结构特性。在SiO2 衬底上侧向外延生长GaN已经实现 ,并得到了平面的ELOGaN薄膜。采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELOGaN材料的结构和表面形貌。原子力显微镜图像表明 :在ELO范围中的4 μm2 面积上不存在明显的阶状形貌。透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低。在接合的界面上没观察到有空隙存在。但观测到晶格的弯曲高达 3 3°,这被归因为由GaN层下的“籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚。 展开更多

关键词 GAN 侧向外延生长 氢化汽相外延

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双硅源选择外延及侧向过外延的生长特性

9

作者 缪国庆 刘明登 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1992年第1期71-74,共4页

本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶... 本文研究了利用双硅源进行ELO生长SOI结构的工艺条件,b值变化对多晶成核及侧向生长速率的影响,观察了ELO膜的表面形貌与温度、压力的关系,探讨了ELO膜空洞产生的原因及消除方法,获得了二氧化硅条宽为20μm的光亮、平整、连续的ELO单晶薄膜。 展开更多

关键词 硅 外延 侧向过生长 SOI结构

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MOCVD侧向外延生长GaN的研究

10

作者 朱丽虹 李晓莹 刘宝林 《微细加工技术》 2008年第6期48-52,共5页

在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表... 在低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)系统中利用侧向外延生长(epitaxial lateral overgrowth,ELO)技术进行了二次外延GaN的研究。SEM观察结果表明,翼区和窗口区宽度比值不同的图形衬底,侧向和纵向的生长速率不同;其AFM表面形貌图像表明,长平的ELO-GaN表面平整,位错密度较低。ELO-GaN的光致发光(PL)谱的带边峰比传统方法生长的GaN的带边峰红移了14.0 meV,表明ELO-GaN的应力得到部分释放,晶体质量提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高,A1(TO)模的出现说明其晶轴取向相对于(0001)方向发生微小的偏移。 展开更多

关键词 低压金属有机化学气相沉积 氮化镓 侧向外延生长 原子力显微镜 扫描电子显微镜 拉曼散射谱

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京西北蔚县-广灵半地堑盆地南缘断裂带的断层生长研究 被引量：10

11

作者 王林 田勤俭 +1 位作者 李德文 张效亮 《地震地质》 EI CSCD 北大核心 2011年第4期828-838,共11页

通过高分辨率遥感影像解译、高分辨率DEM三维分析、野外地质地貌调查以及探槽开挖等方法,对蔚县-广灵盆地南缘断裂带上多处断层生长发育的现象进行了分析和研究。结果发现,断层的生长发育主要发生在几何结构不规则的区段,亦即断层的生... 通过高分辨率遥感影像解译、高分辨率DEM三维分析、野外地质地貌调查以及探槽开挖等方法,对蔚县-广灵盆地南缘断裂带上多处断层生长发育的现象进行了分析和研究。结果发现,断层的生长发育主要发生在几何结构不规则的区段,亦即断层的生长是由其几何结构不规则性决定的。这种不规则性主要包括几何形态的不平滑性或不连续性。断层的生长发育具有一种"截弯取直"的趋势和效应,消除几何结构的不规则性,使断层变得更加平滑和连续,结果是降低了滑动面的粗糙程度,更加有利于盆地内半地堑地块沿滑动面进行下滑运动。此外,断层的生长发育受不规则形态的空间尺度的影响,"截弯取直"的程度随着不规则形态空间尺度增大而降低。 展开更多

关键词 正断层 断层生长发育 断层侧向生长 断层面粗糙度 截弯取直

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内镜黏膜下剥离术对结直肠侧向发育型肿瘤疗效观察 被引量：1

12

作者 李二峰 张文斌 +6 位作者 樊宇芳 庞静 张丽彬 陈海华 王峰 郭斌 陈星 《中国药物与临床》 CAS 2020年第22期3796-3798,共3页

结直肠侧向发育型肿瘤(laterally spreading tumors,LST)为一类直径>10 mm的浅表平坦隆起型病变,沿肠腔侧向生长而非垂直生长;具有较高的恶变潜能,容易发生黏膜下浸润,与结直肠癌关系密切[1]。LST根据表面形态分为颗粒型和非颗粒型;... 结直肠侧向发育型肿瘤(laterally spreading tumors,LST)为一类直径>10 mm的浅表平坦隆起型病变,沿肠腔侧向生长而非垂直生长;具有较高的恶变潜能,容易发生黏膜下浸润,与结直肠癌关系密切[1]。LST根据表面形态分为颗粒型和非颗粒型;颗粒型分为颗粒均一型和结节混合型,非颗粒型分为扁平隆起型和假凹陷型。 展开更多

关键词 内镜黏膜下剥离术 凹陷型 隆起型 结直肠侧向发育型肿瘤 颗粒型 结直肠癌 黏膜下 侧向生长

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Cu原子簇触发形核下的深过冷Ag-Ge合金组织演变研究

13

作者 孙玉峰 刘晓芳 +1 位作者 王育人 魏炳忱 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期732-735,共4页

采用玻璃包覆的方法获得具有较大过冷度的亚共晶、共晶以及过共晶Ag-Ge合金熔体,并通过高能离子束轰击Cu箔产生Cu原子团簇溅射到过冷合金熔体中来触发非均质形核过程。凝固后合金显微组织的分析结果表明:在深过冷合金熔体中引入Cu原子团... 采用玻璃包覆的方法获得具有较大过冷度的亚共晶、共晶以及过共晶Ag-Ge合金熔体,并通过高能离子束轰击Cu箔产生Cu原子团簇溅射到过冷合金熔体中来触发非均质形核过程。凝固后合金显微组织的分析结果表明:在深过冷合金熔体中引入Cu原子团簇,它对亚共晶、共晶以及过共晶Ag-Ge合金的显微组织演变有着不同的影响效果,分析了显微组织的演变规律与形成机制。 展开更多

关键词 玻璃包覆 深过冷 显微组织 侧向生长

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4H-SiC同质外延基面位错的转化 被引量：2

14

作者 杨龙 赵丽霞 吴会旺 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第3期250-254,共5页

采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外... 采用化学气相沉积法在4°偏角4H-SiC衬底上进行同质外延生长,并使用500℃熔融KOH对SiC衬底及外延片进行腐蚀。采用同步加速X射线衍射仪和光学显微镜对外延前后基面位错(BPD)形貌进行系统表征,分析了基面位错向刃位错转化的过程。外延生长过程中同时存在台阶流生长和侧向生长(即垂直于台阶方向)两种模式,当侧向生长模式占主导时,能够有效地抑制基面位错向外延层的延伸;当台阶流生长模式占主导时,基面位错延伸至外延层。结果表明,随着碳硅比增加,外延层基面位错密度能够降低至0.05 cm-2,这是由于侧向生长增强导致的。通过优化碳硅比,能够制备出高质量的4H-SiC同质外延片,其基面位错密度和表面缺陷密度分别为0.09和0.12 cm-2。 展开更多

关键词 4H-SIC 同质外延片 基面位错(BPD) 刃位错 侧向生长 碳硅比

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Si衬底上侧向外延生长GaN的研究 被引量：3

15

作者 曹峻松 郑畅达 +3 位作者 全知觉 方芳 汤英文 王立 《半导体光电》 CAS 北大核心 2015年第4期569-573,共5页

采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜;当掩模条平行于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN... 采用条形Al掩模在Si(111)衬底上进行了GaN薄膜侧向外延的研究。结果显示,当掩模条垂直于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN无法通过侧向生长合并得到表面平整的薄膜;当掩模条平行于Si衬底[11-2]方向,也即GaN[10-10]方向时,GaN侧向外延速度较快,有利于合并得到平整的薄膜。同时,研究表明,升高温度和降低生长气压都有利于侧向生长。通过优化生长工艺,在条形Al掩模Si(111)衬底上得到了连续完整的GaN薄膜。原子力显微镜测试显示,窗口区域生长的GaN薄膜位错密度约为1×109/cm2,而侧向生长的GaN薄膜位错密度降低到了5×107/cm2以下。 展开更多

关键词 侧向外延过生长 氮化镓 硅 MOCVD

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柱状与孔状图形衬底对MOVPE生长GaN体材料及LED器件的影响 被引量：7

16

作者 江洋 罗毅 +4 位作者 汪莱 李洪涛 席光义 赵维 韩彦军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第5期3468-3473,共6页

在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断... 在柱状图形蓝宝石衬底(PSS-p)和孔状图形蓝宝石衬底(PSS-h)上外延了GaN体材料和LED结构并进行了详细对比和分析.X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)测试结果表明,PSS-h上体材料的晶体质量和表面形貌都优于PSS-p上体材料的特性,通过断面扫面电子显微镜(SEM)照片看出PSS-h上GaN的侧向生长是导致这种差异的原因.另外,基于PSS-p和PSS-h上外延的LED材料制作而成的器件结果表明,其20mA下光功率水平相比普通蓝宝石衬底(CSS)分别提高了46%和33%.通过变温光荧光谱(PL)分析发现,样品的内量子效率十分接近.因此,可以推断PSS-h上侧向外延中存留的空气隙则会影响光提取效率的提高. 展开更多

关键词 蓝宝石图形衬底 氮化镓 发光二极管 侧向生长

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GaN基蓝光半导体激光器的发展 被引量：8

17

作者 陈良惠 叶晓军 种明 《物理》 CAS 北大核心 2003年第5期302-308,共7页

文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述 .阐明了GaN激光器的一些技术路线 ,如GaN同质生长衬底的发展 ,侧向外延生长技术的采用... 文章介绍了下一代光存储用半导体激光器———GaN蓝光激光器的发展状况 .对衬底材料的发展现状、外延片的生长技术以及激光器的制作工艺都作了论述 .阐明了GaN激光器的一些技术路线 ,如GaN同质生长衬底的发展 ,侧向外延生长技术的采用以及湿法腐蚀腔面等 .另外还介绍了GaN半导体激光器数字多功能光盘 (DVD) 展开更多

关键词 GaN基蓝光半导体激光器 氮化镓 光存储 衬底材料 制作工艺 侧向外延生长 数字多功能光盘

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