高温SOICMOS倒相器瞬态特性的研究 被引量：1

1

作者 冯耀兰 宋安飞 +1 位作者 樊路嘉 张正璠 《电子器件》 CAS 2002年第4期324-326,共3页

本文主要研究高温 SOI CMOS倒相器在 (2 7～ 30 0℃ )宽温区的瞬态特性。研究结果表明 :当采用 N+ PN+和P+ PP+ 结构薄膜 SOI MOSFET组合 ,并且其结构参数满足高温应用的要求 ,则 SOI CMOS倒相器实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )

关键词 高温SOI CMOS倒相器 互补金属-氧化物-半导体倒相器 瞬态特性 宽温区

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宽温区高温体硅CMOS倒相器的优化设计 被引量：5

2

作者 冯耀兰 魏同立 +2 位作者 张海鹏 宋安飞 罗岚 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期258-264,共7页

在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相... 在对体硅 CMOS倒相器直流特性、瞬态特性的高温模型和高温特性深入研究的基础上 ,提出了高温体硅 CMOS倒相器结构参数设计的考虑 ,给出了宽温区 (2 7～ 2 5 0℃ )体硅 CMOS倒相器优化设计的结果。模拟验证表明 ,所设计的体硅 CMOS倒相器在宽温区能满足下列电学参数设计指标 :输出高电平 Vo H>4 .95 V,输出低电平 Vo L<0 .0 5 V,转换电平 V*i (2 7℃ ) =2 .5 V,V*i(2 5 0℃ ) =2 .4 V,上升时间 tr(2 7℃ ) <110 ns,tr(2 5 0℃ ) <180 ns,下降时间 tf(2 7℃ ) <110 ns,tf(2 5 0℃ ) <16 0 ns。 展开更多

关键词 集成电路 体硅 宽温区 互补金属-氧化物-半导体倒相器 优化设计

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碳化硅CMOS倒相器温度特性 被引量：2

3

作者 王平 杨银堂 王旭 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期396-399,共4页

建立了6H SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600K的温度范围内,... 建立了6H SiC材料和器件模型,应用二维器件仿真软件MEDICI对所设计的亚微米6H SiC CMOS倒相器的温度特性进行了研究.研究结果表明,该倒相器在600K的高温下仍可以正常工作,且具有良好的电压转移特性和瞬态特性;在300～600K的温度范围内,倒相器阈值电压由1.218V变化到1.274V,变化幅度较小. 展开更多

关键词 6H-SIC CMOS倒相器 温度特性 电压转移 阈值电压

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基于微带倒相器的新型宽带3dB分支线耦合器 被引量：3

4

作者 王同洋 张旭春 梁端正 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2015年第5期904-906,共3页

设计了一种宽带的微带线3dB分支线耦合器,并给出了理论分析。该模型结构简单,易于实现,通过级联两级分支线耦合器及加入超宽带微带倒相器,增加了带宽。仿真结果表明,在0.7-1.26GHz频带范围内,该耦合器回波损耗大于20dB,隔离度大于19dB,... 设计了一种宽带的微带线3dB分支线耦合器,并给出了理论分析。该模型结构简单,易于实现,通过级联两级分支线耦合器及加入超宽带微带倒相器,增加了带宽。仿真结果表明,在0.7-1.26GHz频带范围内,该耦合器回波损耗大于20dB,隔离度大于19dB,两平分端口幅度不平衡性小于1.23dB,相位不平衡小于,具有良好的性能。实验结果与仿真结果相符。 展开更多

关键词 耦合器 级联 宽带 微带倒相器 奇偶模

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基于速度饱和的CMOS倒相器延迟模型 被引量：1

5

作者 宋任儒 阮刚 +3 位作者 梁擎擎 ReinhardStreiter ThomasOtto ThomasGessner 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第7期711-716,共6页

提出了一个新的小尺寸 CMOS倒相器延迟模型 ,它考虑了速度饱和效应以及非阶梯的输入信号对延迟的影响并给出了倒相器快输入响应与慢输入响应的判据 ,模型计算结果与SPICE BSIM1模型的模拟结果吻合得很好 .

关键词 速度饱和 倒相器 延迟 CMOS

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HEMT DCFL倒相器的模拟分析 被引量：1

6

作者 吴英 陈效建 林金庭 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第2期137-144,共8页

本文对HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性进行了模拟分析.在HEMT单管特性分析中,利用了K.Park的I-V特性分析模型,通过对E/D倒相器的驱动管与负载管工作区域的划分,讨论了电压传输过程中三个不同的工作区;模拟瞬态特性时,分别考虑... 本文对HEMT DCFL倒相器直流传输特性及瞬态特性进行了模拟分析.在HEMT单管特性分析中,利用了K.Park的I-V特性分析模型,通过对E/D倒相器的驱动管与负载管工作区域的划分,讨论了电压传输过程中三个不同的工作区;模拟瞬态特性时,分别考虑了电流充放电过程中驱动管和负载管的不同工作状态,较为正确地算出了延迟时间;模拟结果与实验及理论分析吻合. 展开更多

关键词 HEMT DCFL 倒相器 模拟分析

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基于冷中子谱的紧凑型中子自旋倒相器设计

7

作者 李新喜 王燕 +2 位作者 王云 黄朝强 张莹 《中国光学》 EI CAS 2014年第4期600-607,共8页

为节省极化中子散射谱仪传输光路的空间,实现特定冷中子谱的极化中子高效率自旋翻转,使用在空间上自然衰减的前端多层膜极化器静磁场作为中子自旋倒相器的导向磁场,在空间上形成了紧凑型冷中子自旋倒相器设计模型。介绍了实际模型物理... 为节省极化中子散射谱仪传输光路的空间,实现特定冷中子谱的极化中子高效率自旋翻转,使用在空间上自然衰减的前端多层膜极化器静磁场作为中子自旋倒相器的导向磁场,在空间上形成了紧凑型冷中子自旋倒相器设计模型。介绍了实际模型物理参数的计算方法。对前端极化器静磁场在空间上的自然衰减进行了实验测试,根据测试结果及拟使用冷中子波段,针对设计的紧凑型中子自旋倒相器的相关参数进行了优化计算。模拟了极化中子在实际复合磁场中的自旋翻转图像,计算了自旋倒相器的翻转效率。对设计的紧凑型中子自旋倒相器进行了翻转效率物理实验测试,测试结果表明:设计的中子自旋倒相器翻转效率可在99.2%以上,达到了预期设计指标,可用于极化冷中子散射谱仪。 展开更多

关键词 冷中子谱 自旋翻转 紧凑型设计 翻转效率 自旋倒相器

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宽温区CMOS倒相器的传输特性模型

8

作者 罗岚 《怀化师专学报》 2000年第5期48-52,共5页

在考虑了器件高温泄漏电流的前提下 ,建立了宽温区CMOS倒相器的传输特性模型 ,明确了制约CMOS电路高温性能的主要因素以及设计的关键之处 最后 。

关键词 CMOS倒相器 传输特性 宽温区 泄漏电流 高温性能 高温微电子

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E/D型MODFET直接耦合倒相器的研制

9

作者 朱旗 冯国进 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第1期103-106,共4页

本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET... 本文对 E/D 型 MODFET 直接耦合倒相器进行了设计与研制。利用国产分子束外延设备制备的 Al_xGa_(1-x)As/Ga As 调制掺杂外延材料,采用常规化合物半导体工艺,获得了具有正常逻辑输出功能的 MODFET 直接耦合倒相器。这对国内开展 MODFET 数字电路的研究与开发具有实际意义。 展开更多

关键词 MODFET 倒相器 E/D型 砷化镓 耦合

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高温SOICMOS倒相器MOSFET组合的研究 被引量：2

10

作者 宋安飞 张海鹏 《电子器件》 EI CAS 2000年第1期13-18,共6页

在讨论薄膜 SOIMOSFET高温性能和高温应用优越性的基础上 ,以高温应用为目标 ,对适用于高温 SOICMOS倒相器的三种 MOSFET组合结构进行了比较分析 ,最终确定了高温 SOICMOS倒相器的 MOSFET组合结构的选取原则。

关键词 SOI CMOS 倒相器 MOSFET

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定量讨论倒相器抗干扰能力

11

作者 林伟明 《惠州学院学报》 1994年第4期71-74,共4页

关键词 倒相器 抗干扰能力 输入低电平 输入高电平 输入信号 基极电流 输入电平 输出电平 临界饱和 电路参数

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外延厚度对CMOS倒相器闩锁特性的影响研究

12

作者 邵红 《微处理机》 2017年第5期16-19,共4页

CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应。如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁。一般从电路设计和版图设计两个方面可以减少闩锁效应的产生,同时在工艺方面采取措施可进一步降低闩锁效应,采用外延厚度的控制是... CMOS电路由于寄生结构的影响,在大电流的情况下,易发生闩锁效应。如有该效应发生,极有可能导致芯片烧毁。一般从电路设计和版图设计两个方面可以减少闩锁效应的产生,同时在工艺方面采取措施可进一步降低闩锁效应,采用外延厚度的控制是比较有效的方式之一。通过外延技术降低衬底寄生电阻Rp的阻值,保证在大电流的情况下,减少寄生三极管导通概率,从而减少闩锁效应的发生。通过仿真验证,明确了外延厚度与CMOS倒相器闩锁特性的关系,获得了外延厚度的最佳值,在极限情况下,外延1.5μm CMOS倒相器抗闩锁能力比30μm外延高8.3倍左右。 展开更多

关键词 外延厚度 闩锁特性 CMOS倒相器

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用功率管作倒相器的300BPP胆功放

13

作者 吴小如 《家庭电子》 2002年第12期42-43,共2页

由于胆管300B的内阻和放大系数均较低,因此对驱动电压要求较高,采用常见小功率电压放大管很难实现低失真驱动。若前级设计失误,300B的输入信号失真则不会小于5%,因此300B胆功放常见电路虽简单,但要想充分发挥300B的优势并不是件容易的事... 由于胆管300B的内阻和放大系数均较低,因此对驱动电压要求较高,采用常见小功率电压放大管很难实现低失真驱动。若前级设计失误,300B的输入信号失真则不会小于5%,因此300B胆功放常见电路虽简单,但要想充分发挥300B的优势并不是件容易的事。300B作A类放大应用时,若欲输出最大功率。 展开更多

关键词 功率管 倒相器 胆管300B 功率放大器

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实用BiCMOS倒相器可测性设计

14

作者 叶波 郑增钰 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第7期608-609,共2页

BiCMOS电路由于具有Bipolar和CMOS的优点,即高集成度、大驱动能力和高速等优点,而且其工艺与CMOS工艺兼容,在高速和数模混合的集成电路中得到了广泛的应用.但随着集成电路规模的增大,尤其是BiCMOS电路本身的复杂性,测试时间、测试图形... BiCMOS电路由于具有Bipolar和CMOS的优点,即高集成度、大驱动能力和高速等优点,而且其工艺与CMOS工艺兼容,在高速和数模混合的集成电路中得到了广泛的应用.但随着集成电路规模的增大,尤其是BiCMOS电路本身的复杂性,测试时间、测试图形生成时间及所需数据量均增加很快,测试成本随之增高,因而研究BiCMOS电路的可测性设计方法是很有必要的.目前,关于BiCMOS电路的可测性设计方法还不多见.Salama与Elmasry提出的方法虽然能够测出电路的常见故障,但这种方法占用芯片面积大,故障覆盖率不高,当电路规模很大时难以使用. 展开更多

关键词 BICMOS 倒相器 可测性设计 BICMOS电路 集成电路

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三垦公司宣布造出首只GaN/Si倒相器

15

作者 陈裕权 《半导体信息》 2009年第3期13-,共1页

关键词 GaN/Si 倒相器 SI

原文传递

电子管特性及其应用——功率放大器中的倒相器6

16

作者 唐道济 《高保真音响》 2003年第5期58-59,共2页

高性能功率放大器的输出级通常都采用推挽电路，推挽放大器的末级输出电子管，需要一个倒相器(phase inverter)，以对其两边提供驱动信号，这是一种能使信号相位改变180°的一级电路，可用以使交流输入信号产生两个幅度相等相位相... 高性能功率放大器的输出级通常都采用推挽电路，推挽放大器的末级输出电子管，需要一个倒相器(phase inverter)，以对其两边提供驱动信号，这是一种能使信号相位改变180°的一级电路，可用以使交流输入信号产生两个幅度相等相位相反的输出信号的网络或器件，如次级带中心抽头的变压器或分相电路，目前常用的倒相器电路主要有三种。 展开更多

关键词 功率放大器 倒相器 电子管 分割负载分相 长尾对倒相 反相分相

原文传递

BiCMOS例相器延迟特性的计算与分析

17

作者 吴金 魏同立 于宗光 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期126-130,共5页

本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表... 本文对ＢｉＣＭＯＳ倒相器延迟特性进行了系统研究，在分析比较ＭＯＳ与双极器件及其组成电路不同状态下的工作特点基础上，得到ＢｉＣＭＯＳ倒相电路在小注入、大注入和集电极寄生电阻等不同限制条件下的延迟时间的解析关系式，结果表明该模型具有近似于ＳＰＩＣＥ数值模拟精度，为各类高性能ＢｉＣＭＯＳ电路的优化设计与分析提供了理论依据． 展开更多

关键词 BiCMOS倒相器 倒相器 延迟特性 计算 分析

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CMOS／SIMOX例相器的抗总剂量辐照特性

18

作者 竺士炀 林成鲁 李金华 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1995年第2期37-39,43,共4页

对条栅ＣＭＯＳ／ＳＩＭＯＸ例相器在不同偏置条件下进行了６０Ｃｏγ射线的总剂量辐照试验，比较研究了ＰＭＯＳ、ＮＭＯＳ对倒相器功能的影响，发现ＮＭＯＳ抗总剂量辐照性能比ＰＭＯＳ差，主要是ＮＭＯＳ引起器件功能的失效。

关键词 CMOS SIMOX 倒相器 总剂量辐照

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胆机倒相电路的业余调试技巧

19

作者 冯开慧 《实用影音技术》 2011年第6期60-63,共4页

在胆机推挽功率放大器中,两只功放管需要同时分别供给幅值相等、相位相反的输入信号电压,要完成这项工作,就必须在功率放大级前装有倒相器。经过倒相电路,把单信号转变成幅度相等、相位相反的双信号。

关键词 倒相电路 调试技巧 胆机 推挽功率放大器 信号电压 功率放大级 功放管 倒相器

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具有阻抗变换的平衡到非平衡威尔金森功分器 被引量：1

20

作者 蒋琦天 李国辉 +2 位作者 肖寅川 谢世濠 张静 《工业控制计算机》 2023年第7期124-126,共3页

基于传统的威尔金森功分器结构,提出了一种新型平衡到非平衡异相功分器。通过加入具有阶梯阻抗的导纳倒相器代替1/4波长传输线,使整个电路结构变得更加紧凑。基于奇偶模分析方法,得到所设计电路的参数方程。最后理论分析表明,只使用一... 基于传统的威尔金森功分器结构,提出了一种新型平衡到非平衡异相功分器。通过加入具有阶梯阻抗的导纳倒相器代替1/4波长传输线,使整个电路结构变得更加紧凑。基于奇偶模分析方法,得到所设计电路的参数方程。最后理论分析表明,只使用一个隔离电阻取代原来双电阻的结构可进一步减少集总元件。为验证上述理论,进行了电磁仿真和实物加工测量,两个不平衡端口上输出异相信号,并获得了几乎相等的功率分配,实测结果与理论结果吻合良好。该结构电路简单,具有优越的差模传输性能、较强的共模抑制性能和隔离性能。 展开更多

关键词 平衡到非平衡 威尔金森 导纳倒相器 功分器

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