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GaN HEMT栅偏置电压与反向传导电压的解耦合研究
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作者 周峰 荣玉 +1 位作者 郑有炓 陆海 《电子元件与材料》 CAS 北大核心 2024年第3期264-269,共6页
第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反... 第三代宽禁带氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的反向传导特性由于受到栅极偏置的控制作用,限制了器件在双向DC/DC变换器等场景中的实用化发展。通过采用源极控制p-GaN区域的结构设计,使得部分异质结导电沟道受到源极控制,实现了反向传导电压与栅极偏置电压的解耦合,有效解决了负栅偏压下器件的反向传导特性退化难题。研究表明,当器件p-GaN层上方的源控金属块和栅极金属块长度比值为1∶1时,有利于实现正向与反向传导性能的最佳折中。在150℃高温下,采用新结构设计的GaN HEMT维持了低开启反向传导能力。双脉冲动态开关测试表明,器件具有快速开关能力。器件制备工艺简单,兼容现有的GaN HEMT工艺流程,有望促进GaN功率半导体器件技术在变换器应用领域的实用化发展。 展开更多
关键词 GaN HEMT 反向传导能力 偏置电压 双脉冲开关 双向变换器
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正向偏置电压修复钙钛矿太阳电池的研究
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作者 郑志江 王仁杰 +3 位作者 黄少彪 杭陈旺 吴炯桦 程树英 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期59-64,共6页
采用偏置电压调控钙钛矿太阳电池离子迁移,抑制钙钛矿离子在界面的堆积、填充太阳电池缺陷,恢复老化太阳电池的性能。在对老化太阳电池引入正向偏置电压修复手段后,太阳电池光电转换效率从老化后的17.8%恢复到21.5%;在100 h的最大功率... 采用偏置电压调控钙钛矿太阳电池离子迁移,抑制钙钛矿离子在界面的堆积、填充太阳电池缺陷,恢复老化太阳电池的性能。在对老化太阳电池引入正向偏置电压修复手段后,太阳电池光电转换效率从老化后的17.8%恢复到21.5%;在100 h的最大功率点跟踪中引入偏置电压修复手段后,获得3.1%总能量增益。通过自主搭建的集成表征环境,原位实时测量偏压修复太阳电池前后太阳电池电学性能和光学特性的变化规律,建立偏压调控钙钛矿离子迁移的物理模型,探究偏置电压修复太阳电池的背后机理。结果表明,该修复策略可通过调控离子迁移,钝化缺陷、优化载流子提取和输运、进而修复太阳电池。 展开更多
关键词 修复 钙钛矿太阳电池 偏置电压 离子迁移
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基于机器学习的复杂环境下APD最优偏置电压补偿方法
3
作者 陈梦强 杨家志 +1 位作者 于广旺 沈洁 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2023年第1期147-152,共6页
雪崩光电二极管(APD)在激光雷达探测系统中的信噪比受工作距离和背景辐射的影响较大,传统探测方法通过离线式或事先根据外界环境影响因素进行预补偿,不能在线动态调节,难以适应复杂环境。一种基于机器学习的APD偏置电压最佳补偿方法,可... 雪崩光电二极管(APD)在激光雷达探测系统中的信噪比受工作距离和背景辐射的影响较大,传统探测方法通过离线式或事先根据外界环境影响因素进行预补偿,不能在线动态调节,难以适应复杂环境。一种基于机器学习的APD偏置电压最佳补偿方法,可以准确判断APD当前的工作状态,对偏置电压进行二分补偿,使APD工作在最优状态。通过比较多种机器学习模型,选用准确率维持在98%以上的随机森林算法来判断APD工作状态。在不同距离下测试,该方法可保证偏置电压始终处于最优工作电压下,提高激光雷达探测系统的性能。 展开更多
关键词 雪崩光电二极管 机器学习 偏置电压补偿 二分法补偿
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有任意偏置电压输出的直流霍尔电流传感器
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作者 王勇 王威 杜刚 《通信电源技术》 2023年第5期34-37,共4页
介绍了开环式直流霍尔电流传感器的工作原理。在此基础上,设计了一种可以输出任意设置偏置电压的直流霍尔电流传感器。该传感器的输出偏置电压可任意设置,且输出电压与原边侧电流成线性关系,并通过试验进行了验证。
关键词 霍尔传感器 偏置电压 开环
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偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响 被引量:7
5
作者 曹学蕾 王焕玉 +7 位作者 张承模 陈勇 杨家伟 梁晓华 汪锦州 高旻 张家宇 马国峰 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第6期796-800,共5页
偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏... 偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。 展开更多
关键词 SI-PIN探测器 偏置电压 能量分辨率
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干扰及偏置电压对火花塞检测信号影响的试验研究 被引量:6
6
作者 吴筱敏 李福明 余鹏 《内燃机工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期55-57,61,共4页
研究了在用火花塞作为传感器直接测量发动机燃烧状态的检测电路中 ,各种干扰以及电路中所加偏置电压对检测信号的影响。对由火花点火的高频信号和交流工频信号所产生的干扰进行了试验研究 ,提出了具体的解决措施和方案 ;另外在研究中还... 研究了在用火花塞作为传感器直接测量发动机燃烧状态的检测电路中 ,各种干扰以及电路中所加偏置电压对检测信号的影响。对由火花点火的高频信号和交流工频信号所产生的干扰进行了试验研究 ,提出了具体的解决措施和方案 ;另外在研究中还发现 ,当偏置电压不同时 ,通过火花塞所产生的离子电流的幅值和持续时间不同 ,在检测信号中出现单峰和双峰现象 ,由点火所产生的离子电流信号与偏置电压的值关系较大 ,而燃烧后期所产生的离子电流信号与缸内的压力温度有直接关系 ;通过对DA4 6 2 A型发动机的试验研究 ,获得了较为理想的火花塞检测电路和离子电流信号曲线 ,为用火花塞作为传感器实现汽油发动机缸内燃烧信号的检测奠定了试验研究基础。 展开更多
关键词 火花塞 离子电流 干扰 偏置电压 汽车 发动机 检测信号 试验研究
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光导开关工作模式与偏置电压的关系 被引量:3
7
作者 龚仁喜 张义门 +2 位作者 石顺祥 张同意 张玉明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第9期1165-1170,共6页
通过建立半绝缘 Ga As光导开关 (PCSS's)的瞬态二维模型 ,获得了不同偏置条件下器件内电场、电流密度等电参量的空间分布及器件中最大电场和输出电流随时间的变化关系 .所获得的主要特性与实验观察到的现象和变化规律相符 :当偏置... 通过建立半绝缘 Ga As光导开关 (PCSS's)的瞬态二维模型 ,获得了不同偏置条件下器件内电场、电流密度等电参量的空间分布及器件中最大电场和输出电流随时间的变化关系 .所获得的主要特性与实验观察到的现象和变化规律相符 :当偏置电压较低时 ,器件工作于线性模式 ;当偏置电压达到某一数值后 ,通过器件的电流呈现出非线性的传导特性 .并阐述了器件的工作模式与偏置电压的关系 。 展开更多
关键词 光导开关 正多模式 偏置电压
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非制冷热成像系统偏置电压的数值分析 被引量:2
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作者 邢素霞 张俊举 +2 位作者 孙恋君 常本康 钱芸生 《南京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期85-88,共4页
在微测辐射热计理论分析的基础上,利用数值计算的方法讨论了偏置电压与噪声、噪声等效温差(NETD)及探测率D性能参数的关系,确定了微测辐射热计最佳偏置电压范围在1.0~4.0V,在该范围内可以获取67.7~41.1mK的NETD,6.1×1... 在微测辐射热计理论分析的基础上,利用数值计算的方法讨论了偏置电压与噪声、噪声等效温差(NETD)及探测率D性能参数的关系,确定了微测辐射热计最佳偏置电压范围在1.0~4.0V,在该范围内可以获取67.7~41.1mK的NETD,6.1×10^9~1.15×10^10cmHz^1/2/W的探测率,品质因子达到2.6~1.4。在1.0~4.0V的偏置电压范围内,探测器的性能可达到最优化。 展开更多
关键词 热成像 偏置电压 噪声等效温差 品质因子
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偏置电压对离子电流信号影响的试验研究 被引量:3
9
作者 吴筱敏 余鹏 李福明 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期494-496,共3页
研究了在用火花塞作为传感器直接测量发动机缸内燃烧状态时检测电路中所加的偏置电压对检测信号的影响 ,提出可获得所需离子电流信号的适当的偏置电压为 2 0 0~ 60 0V .研究中发现 :当偏置电压不同时 ,不仅离子电流的幅值和持续时间不... 研究了在用火花塞作为传感器直接测量发动机缸内燃烧状态时检测电路中所加的偏置电压对检测信号的影响 ,提出可获得所需离子电流信号的适当的偏置电压为 2 0 0~ 60 0V .研究中发现 :当偏置电压不同时 ,不仅离子电流的幅值和持续时间不同 ,而且其波形也有较大差异 ,在燃烧过程中会出现单峰、双峰和三峰现象 ;当偏置电压增至 5kV时 ,不仅燃烧过程中有离子电流信号 ,而且在进、排气冲程中 ,离子电流信号也异常突出 .给出了不同偏置电压下离子电流的波形特征 ,获得了较为理想的离子电流信号曲线 ,为用火花塞作为检测传感器实现汽油机缸内燃烧信号的检测奠定了试验研究基础 . 展开更多
关键词 火花塞 离子电流 偏置电压 汽车发动机 汽油机 信号检测
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高速率电光调制器偏置电压自动控制技术 被引量:3
10
作者 唐雁峰 李洪祚 李锐 《空军工程大学学报(自然科学版)》 CSCD 北大核心 2011年第4期69-72,共4页
采用电光检测的方法和误差分析的方式判断和识别电光调制晶体半波电压的漂移。利用PID控制算法实现高速率电光调制系统偏置电压高精度自动调节。最后对将研究的偏置电压自动控制系统应用于电光调制晶体,进行高速率调制实验。实验结果表... 采用电光检测的方法和误差分析的方式判断和识别电光调制晶体半波电压的漂移。利用PID控制算法实现高速率电光调制系统偏置电压高精度自动调节。最后对将研究的偏置电压自动控制系统应用于电光调制晶体,进行高速率调制实验。实验结果表明:采用偏置电压自动控制技术,改变了给电光调制晶体加载一个固定偏置电压的传统方式,使电光调制器偏置电压始终位于线性区的中点,以保证不失真调制,克服了电光调制器的半波电压受环境温度等多种因素的影响变化而电光调制晶体的半波电压发生漂移的问题。 展开更多
关键词 激光通信 电光调制 偏置电压自动控制 高速率
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偏置电压对射频/微波MEMS电容开关寿命的影响 被引量:1
11
作者 龙永福 石艳玲 +4 位作者 赖宗声 朱自强 朱荣锦 忻佩胜 李炜 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期30-33,37,共5页
 理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄...  理论分析了影响射频/微波MEMS电容开关寿命的因素:介质内的电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度。用三种不同的偏置电压,对介质内电场强度和可动薄膜对介质膜的冲击速度进行了数值分析和比较。提出了在脉冲电压作用下,可得到可动薄膜对介质膜最小的冲击速度和介质内的最小电场强度,从而极大地提高MEMS电容开关运行的可靠性和寿命。实验验证了上述结论。 展开更多
关键词 偏置电压 射频/微波电路 MEMS电容开关 寿命 电场强度 冲击速度
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电容式微加速度传感器偏置电压的设计与分析 被引量:3
12
作者 胡雪梅 韩全立 《仪表技术与传感器》 CSCD 北大核心 2008年第7期92-94,98,共4页
电容式微加速度传感器中偏置电压产生的静电力会干扰加速度传感器的测量和稳定工作条件。文中分析受到加速度信号作用时,不同偏置电压极性对电容加速度传感器稳定工作条件的影响,得到一系列变化曲线。结果表明:若偏置电压极性为正正或... 电容式微加速度传感器中偏置电压产生的静电力会干扰加速度传感器的测量和稳定工作条件。文中分析受到加速度信号作用时,不同偏置电压极性对电容加速度传感器稳定工作条件的影响,得到一系列变化曲线。结果表明:若偏置电压极性为正正或正负配置,其反馈是负反馈,且偏置电压极性为正负配置时,加速度传感器承受加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负负或负正配置,其反馈是正反馈,偏置电压极性为负正配置时,其抗加速度冲击的能力最弱。 展开更多
关键词 电容式微加速度传感器 稳定工作范围 偏置电压极性
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温度补偿偏置电压的预失真处理技术研究 被引量:1
13
作者 胡军 刘文清 《北京邮电大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期102-105,共4页
设计了一种双功率管互补式预失真功率放大器,并给出了温度补偿偏置电压的具体设计电路.通过实验证明了该放大器可在20 MHz信号带宽内改善放大器3阶互调指标10 dB,其温度补偿方式可使放大器在温度变化时3阶互调指标的变化保持在±1.5... 设计了一种双功率管互补式预失真功率放大器,并给出了温度补偿偏置电压的具体设计电路.通过实验证明了该放大器可在20 MHz信号带宽内改善放大器3阶互调指标10 dB,其温度补偿方式可使放大器在温度变化时3阶互调指标的变化保持在±1.5 dB以内. 展开更多
关键词 偏置电压 预失真 温度补偿 3阶互调
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一种红外焦平面数控偏置电压电路的实现 被引量:1
14
作者 甘文祥 丁瑞军 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期30-33,共4页
提出了用级联权电容网络电荷定标产生偏置电压的方法,采用EDA软件Cadence设计了一个10 bit串行数字输入、四通道稳定模拟电压输出的数模转换电路,并流片验证。测试结果表明电路实现了数模转换功能,各项参数基本达到设计要求。以上研究... 提出了用级联权电容网络电荷定标产生偏置电压的方法,采用EDA软件Cadence设计了一个10 bit串行数字输入、四通道稳定模拟电压输出的数模转换电路,并流片验证。测试结果表明电路实现了数模转换功能,各项参数基本达到设计要求。以上研究证实了这种可集成在红外焦平面读出电路上的偏置电压产生电路是可行的,为下一步直接设计并制造包含偏置电压产生电路的焦平面读出电路芯片打下了坚实的基础。 展开更多
关键词 红外焦平面 读出电路 数模转换 偏置电压 级联权电容
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基于偏置电压自适应调整的红外图像增强技术 被引量:1
15
作者 姚琴芬 顾国华 《红外技术》 CSCD 北大核心 2011年第12期711-714,共4页
根据国内常见的微测辐射热计器件结构原理及读出电路,研究了偏置电压与噪声等效温差的关系,推导了偏置电压与探测器输出电压的线性方程。提出了基于直方图统计的偏置电压调整模型,降低探测器的噪声等效温差,增强图像对比度,使此种类型... 根据国内常见的微测辐射热计器件结构原理及读出电路,研究了偏置电压与噪声等效温差的关系,推导了偏置电压与探测器输出电压的线性方程。提出了基于直方图统计的偏置电压调整模型,降低探测器的噪声等效温差,增强图像对比度,使此种类型的红外探测器能够用于各种目标场景的探测。实验证明,偏置电压自适应调整技术应用于红外图像实时处理系统中,得到了很好的处理结果。 展开更多
关键词 微侧辐射热计 偏置电压 噪声等效温差 图像增强
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偏置电压极性对差分电容微传感器可靠工作条件的影响分析
16
作者 董林玺 孙玲玲 王跃林 《机械强度》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期465-469,共5页
为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件... 为了测得电容式传感器的电容变化,一般需要有直流偏置电压的交流驱动信号加到传感器上,然而驱动信号产生的静电力会干扰传感器的测量和可靠工作条件。文中分析差分电容传感器受到阶跃加速度信号作用时,不同偏置电压极性对可靠工作条件的影响,得到不同偏置电压极性下传感器的临界阶跃加速度与随测试信号电压和反馈系数的关系表达式及其变化曲线。结果表明若偏置电压极性为正—正或正—负配置,其电子机械反馈本质上是负反馈,且偏置电压极性为正—负配置时,传感器承受阶跃加速度冲击的能力最强。若偏置电压极性为负—负或负—正配置,其电子机械反馈本质上是正反馈,偏置电压极性为负—正配置时,其抗阶跃加速度冲击的能力最低。 展开更多
关键词 电容式传感器 惯性传感器 可靠工作范围 阶跃信号 偏置电压极性
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单偏置电压多位分布式MEMS传输线移相器
17
作者 邓成 鲍景富 +3 位作者 杜亦佳 凌源 赵兴海 郑英彬 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2012年第2期102-107,共6页
针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及... 针对传统多位分布式MEMS传输线(DMTL)移相器需要多个偏置电压控制的问题,提出了一种单电压控制多位DMTL移相器的设计方案。这种移相器的每一位具有不同的弹性系数,因此它们的下拉电压各不相同。给出了这种移相器的相关理论、设计实例及仿真结果。通过仿真结果可知,单偏置电压3位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,40.49和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.062%(10 GHz,2.925×10-4 rad)。单偏置电压4位DMTL移相器低位到高位的下拉电压分别为19.73,32.55,48.41和74.89 V,低位发生下拉时高位相移偏移小于0.094%(10 GHz,4.425×10-4 rad)。 展开更多
关键词 射频微机电系统(RFMEMS) 分布式MEMS传输线移相器 下拉电压 偏置电压 相移偏移
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偏置电压极性对力反馈电容式微加速度计特性的影响分析
18
作者 董林玺 车录锋 王跃林 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 2004年第12期67-72,共6页
对电容式加速度计,为测量其电容的变化,通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式,正-负和正... 对电容式加速度计,为测量其电容的变化,通常需要带直流偏置的交流电压信号来驱动。驱动信号产生的静电力有时会干扰器件的测量和正常工作。文章中定量分析了带有电压反馈的双边驱动信号对器件特性的影响。对于这种驱动方式,正-负和正-正的直流电压偏置可以改善器件的测量线性度,基本消除由驱动信号导致的吸合效应,而负-负和负.正的直流电压偏置会使驱动信号引起的吸合效应增大,从而大大缩小了器件的安全工作范围。 展开更多
关键词 驱动信号 馈电 偏置电压 器件特性 电压反馈 直流偏置 电容式 直流电压 交流电压 极性
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等静压力及偏置电压下锆钛锡酸铅基反铁电体的介电行为
19
作者 戴中华 姚熹 徐卓 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期228-231,244,共5页
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电(AFE)/铁电(FE)相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系,得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电/反铁电相变及反铁电/顺电(PE)相变温... 采用固态烧结工艺制备了位于反铁电(AFE)/铁电(FE)相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品的相对介电常数及损耗与各种参量的关系,得到了等静压力及偏置电压对反铁电体铁电/反铁电相变及反铁电/顺电(PE)相变温度影响的规律.研究发现:极化了的PLZST反铁电材料在一定等静压力的作用下,随着偏置电压的增加其峰值相对介电常数增大,相对介电常数最大值对应的温度降低,FE/AFE转变温度上升,AFE/PE转变温度下降;当等静压力为0.1 MPa时,单位偏置电压引起的居里点变化率为-1℃/kV,单位偏置电压引起的FE/AFE相变温度变化率为5.2℃/kV,当等静压力为60 MPa时,分别为-2.2℃/kV和3℃/kV. 展开更多
关键词 反铁电体 等静压力 偏置电压
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电光调制器偏置电压自动控制电路的设计
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作者 王婵媛 胡佳成 +1 位作者 李国扬 沈小燕 《激光杂志》 北大核心 2015年第7期54-57,共4页
在光纤传感、光纤通信及高功率激光驱动器等系统中,电光调制器偏压易受环境温度、热点效应等因素影响而漂移,导致系统信噪比、稳定性等参数下降。针对这一问题,本文提出了一种基于STC12C5620AD单片机、双偏置电压输出的偏置电压自动控... 在光纤传感、光纤通信及高功率激光驱动器等系统中,电光调制器偏压易受环境温度、热点效应等因素影响而漂移,导致系统信噪比、稳定性等参数下降。针对这一问题,本文提出了一种基于STC12C5620AD单片机、双偏置电压输出的偏置电压自动控制电路方案,可实现电光调制器的直流偏置电压长期稳定在传输曲线的极小值点,以获得具有稳定消光比的输出光脉冲。实验结果表明,本方案在连续工作72小时的情况下,电光调制器输出光功率波动仅为5.5 n W,实现了对电光调制器偏置电压的有效调节。 展开更多
关键词 光纤传感 偏置电压 自动控制 消光比
原文传递
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