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基于化学环境自适应学习的掺杂石墨氮化碳纳米片光学带隙预测
1
作者 陈宸 张继勇 侯佳 《中国传媒大学学报（自然科学版）》 2024年第1期74-80,共7页
一直以来,从新药物的发现到最终应用的过程被认为是非常耗时且消耗资源密集的。在化学领域,经典传统方法密度泛函理论(DFT)使用非常广泛,其计算出分子的密度泛函并推导出各种性质。然而,传统的量子模拟技术既昂贵又难以探索潜在大范围... 一直以来,从新药物的发现到最终应用的过程被认为是非常耗时且消耗资源密集的。在化学领域,经典传统方法密度泛函理论(DFT)使用非常广泛,其计算出分子的密度泛函并推导出各种性质。然而,传统的量子模拟技术既昂贵又难以探索潜在大范围的掺杂分子结构。为了降低成本并提高效率,提出了一种基于化学环境的图神经网络模型,希望能在新型材料和药物的研发上推动发展。本文探索领域聚焦于石墨氮化碳(g-C3N4)及其掺杂变体。鉴于石墨氮化碳(g-C3N4)的分子性质带隙在现实中的重要性,准确预测材料的光学带隙成为了本研究的目标。本文使用基于化学环境的图神经网络有效地捕捉了分子的复杂结构,即使同时探索具有多个变体的掺杂g-C3N4结构,它也能精确预测它们的带隙,相比于传统的图神经网络有极大的提升,提供了一种方便快捷且精确的工具。 展开更多
关键词 图神经网络 自适应聚合器 光学带隙 石墨氮化碳化合物
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富硅氮化硅薄膜的制备及其光学带隙研究 被引量：8
2
作者 林娟 杨培志 化麒麟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期596-600,共5页
采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮... 采用双极脉冲磁控反应溅射法在不同参数条件下制备了一系列氮化硅薄膜。利用数字式显微镜和紫外-可见光光谱仪研究了沉积薄膜的表面形貌及其光学带隙,利用共焦显微拉曼光谱仪比较了硅衬底、氮化硅薄膜退火前后的拉曼光谱。结果表明,氮气流量对薄膜的光学带隙影响较大,制备的薄膜主要为富硅氮化硅薄膜。原沉积薄膜的拉曼光谱存在明显的非晶硅和单晶硅峰,退火处理后非晶硅峰减弱或消失,表明薄膜出现明显的结晶化;单晶硅峰出现频移现象,表明薄膜中出现硅纳米颗粒,平均尺寸约为6.6 nm。 展开更多
关键词 富硅氮化硅薄膜 磁控溅射 紫外-可见光光谱 拉曼光谱 光学带隙
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用紫外-可见光谱仪研究玻璃基掺氮二氧化钛薄膜的沉积速率和光学带隙 被引量：4
3
作者 赵青南 张君 +2 位作者 李春领 何鑫 赵修建 《分析仪器》 CAS 2003年第4期20-22,共3页
用紫外 -可见光谱仪研究了不同溅射功率下磁控溅射法在玻璃基上沉积掺氮二氧化钛膜的沉积速率和光学带隙。结果表明 ,随着溅射功率的增加 ,薄膜的沉积速率增加 ,吸收边波长红移 ,薄膜的光学带隙宽度减小。热处理温度对不掺氮二氧化钛薄... 用紫外 -可见光谱仪研究了不同溅射功率下磁控溅射法在玻璃基上沉积掺氮二氧化钛膜的沉积速率和光学带隙。结果表明 ,随着溅射功率的增加 ,薄膜的沉积速率增加 ,吸收边波长红移 ,薄膜的光学带隙宽度减小。热处理温度对不掺氮二氧化钛薄膜的吸收边和光学带隙的影响较小。 展开更多
关键词 紫外-可见光谱 磁控溅射 二氧化钛薄膜 沉积速率 光学带隙 玻璃基 掺氮
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掺铒钙铝硅玻璃的光学带隙 被引量：2
4
作者 张德宝 唐景平 +1 位作者 柳祝平 胡丽丽 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第4期485-488,共4页
玻璃中稀土掺杂的离子的光谱性质受其周围的玻璃结构和在玻璃基质中的分布影响很大。利用熔融法制备了组分为9S iO2.26A l2O3.65CaO.1.0Er2O3.0.3Yb2O3和分别加入MgO以及La2O3的掺铒钙铝硅玻璃,并研究了其吸收边和光学带隙。计算得出离... 玻璃中稀土掺杂的离子的光谱性质受其周围的玻璃结构和在玻璃基质中的分布影响很大。利用熔融法制备了组分为9S iO2.26A l2O3.65CaO.1.0Er2O3.0.3Yb2O3和分别加入MgO以及La2O3的掺铒钙铝硅玻璃,并研究了其吸收边和光学带隙。计算得出离子填充比随玻璃的平均摩尔质量的增大而减小,同时利用Judd-O felt模型计算出该玻璃体系的Ω2,Ω4和Ω6参数,并进行了分析。随着MgO或La2O3的加入,吸收边向短波长移动,光学带隙增大,同时Ω2和Ω6值也增大。对ln(α)和ω的曲线进行线性拟合可以计算Urbach能量,其值与光学带隙的变化趋势一致。 展开更多
关键词 钙铝硅玻璃 铒 光学带隙 Urbach能量
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碲铋铌系统玻璃热稳定性及光学带隙研究 被引量：2
5
作者 王艳玲 戴世勋 +2 位作者 周宇 徐铁峰 聂秋华 《武汉理工大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第11期5-7,19,共4页
制备了组成为(95-x)TeO2-5Bi2O3-xNb2O5(x=0%,x=5%,x=10%,x=15%)的4组碲酸盐玻璃,测试了样品的密度、折射率、玻璃转变温度、玻璃析晶温度、吸收光谱和红外光谱。利用样品的吸收光谱计算了其直接允许跃迁、间接允许跃迁及能量带隙。讨论... 制备了组成为(95-x)TeO2-5Bi2O3-xNb2O5(x=0%,x=5%,x=10%,x=15%)的4组碲酸盐玻璃,测试了样品的密度、折射率、玻璃转变温度、玻璃析晶温度、吸收光谱和红外光谱。利用样品的吸收光谱计算了其直接允许跃迁、间接允许跃迁及能量带隙。讨论了Nb2O5含量对玻璃的折射率、热稳定性、光学带隙及能量带隙的影响。该玻璃系统具有较好的热稳定性和较大的折射率。光学带隙和能量带隙随Nb2O5含量的增大而减小。 展开更多
关键词 碲酸盐玻璃 光学带隙 能量带隙
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纳米硅带尾态能量分布及其光学带隙 被引量：5
6
作者 张治国 宿昌厚 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第2期175-180,共6页
假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒，用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型对纳米硅的带尾态进行计算，发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的... 假定纳米硅的格点势远小于晶界组元所形成的散射势垒，用Ｋｒｏｎｉｇ－Ｐｅｎｎｅｙ模型对纳米硅的带尾态进行计算，发现纳米硅带尾态并不连续。利用计算结果解释了纳米硅和微晶硅、多晶硅及单晶硅相比有较宽的光学带隙和较小的电导的现象。 展开更多
关键词 纳米硅 带尾态 光学带隙 电导 能量分布
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立方氮化硼(c-BN)薄膜的光学带隙 被引量：1
7
作者 冯贞健 于春娜 陈光华 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期381-384,共4页
用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台... 用两步射频溅射法在n型Si(111)片和熔融石英片上沉积出不同体积分数的立方氮化硼(c-BN)薄膜,薄膜的成分由傅里叶红外吸收谱标识;用紫外-可见分光光度计测量了沉积在石英片上的BN薄膜的透射光谱T_e(λ)和反射光谱R_e(λ),薄膜的厚度用台阶仪测得。由透射、反射光谱计算了薄膜的光吸收系数a,进而采用有效的中间形式,确定了氮化硼薄膜的光学带隙。结果表明:随着c-BN体积分数的增加,光学带隙随之增大。确定出的光学带隙和经验公式的计算结果相吻合。 展开更多
关键词 立方氮化硼薄膜 射频溅射 光学带隙
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微波ECR-CVD法制备a-C:F:H膜的红外吸收及其光学带隙 被引量：1
8
作者 甘肇强 陆新华 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2002年第2期163-165,176,共4页
改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流... 改变CHF3 CH4 流量比R =[CHF3] ([CHF3]+[CH4 ]) ,采用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)方法沉积a C :F :H薄膜。a C :F :H薄膜的结构和光学带隙使用傅立叶变换红外光谱和紫外 可见光谱来表征。红外结果表明 ,在低流量比R(R <6 4 % )下 ,薄膜的红外特征结构主要以 CF(10 6 0cm- 1 ) , CF2(112 0cm- 1 )以及 CHx(2 80 0～ 30 0 0cm- 1 )的伸缩振动为主 ;在高流量比R(R >6 4 % )下 ,薄膜表现为类聚四氟乙烯(PTFE)的结构特征 ,典型的红外特征峰是位于 12 2 0cm- 1 处的 -CF2 反对称伸缩振动。薄膜的光学带隙Eg 随流量比R的变化表现为先降后升。进一步研究表明 ,薄膜中的H和F浓度调制着薄膜的CC共轭双键结构 ,使光学带隙Eg 从 2 37到 3 展开更多
关键词 微波ECR-CVD法 光学带隙 a-C:F:H薄膜 傅立叶变换红外光谱 紫外可见光谱 类金刚石碳膜
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氮气分压比对硼碳氮薄膜的组分及光学带隙的影响
9
作者 王玉新 郑亚茹 +3 位作者 王晓玉 王晓雪 董李娜 宋哲 《辽宁师范大学学报（自然科学版）》 CAS 2011年第1期43-46,共4页
采用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比（1/10-2/3）制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.XPS测量结果表明,所有样品中的B、N原子比近似为1∶1,... 采用射频磁控溅射方法以不同的氮气分压比（1/10-2/3）制备出一组硼碳氮薄膜.傅里叶变换红外光谱（FTIR）和X射线光电子能谱（XPS）测量发现样品的组成原子之间均实现了原子级化合.XPS测量结果表明,所有样品中的B、N原子比近似为1∶1,其化学配比为BCxN（0.16〈x〈1.46）.紫外/可见/近红外分光光度计用于测量样品的吸收光谱.由吸收谱线在低能区域（2.0-3.0 eV）的光吸收,利用关系作图法求出光学带隙Eopt范围为0.17-0.83 eV.氮气分压比对薄膜的组分和光学带隙有很大影响,其通过改变薄膜组分而影响光学带隙,并且碳原子数小的样品具有较宽的光学带隙.以氮气分压比为1/3条件下制备的样品中碳原子数最小,它的光学带隙最宽为0.83 eV. 展开更多
关键词 射频磁控溅射 硼碳氮薄膜 氮气分压比 光学带隙
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真空退火对a-C:F:H薄膜的结构与光学带隙的影响
10
作者 刘雄飞 肖剑荣 +1 位作者 简献忠 高金定 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第5期381-384,共4页
使用CF4和CH4为源气体 ,利用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF PECVD)法制备了掺氟非晶碳 (a C :F :H)薄膜 ,并在N2 气氛中进行了不同温度的退火。用原子力显微镜 (AFM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化 ,发现退火后薄膜表面变得平... 使用CF4和CH4为源气体 ,利用射频等离子体增强化学气相沉积 (RF PECVD)法制备了掺氟非晶碳 (a C :F :H)薄膜 ,并在N2 气氛中进行了不同温度的退火。用原子力显微镜 (AFM)观察了薄膜在退火前后表面形貌的变化 ,发现退火后薄膜表面变得平坦 ,疏松。用紫外 -可见光透射光谱 (UV VIS)并结合傅里叶变换红外光谱 (FTIR)和喇曼 (Raman)光谱对薄膜进行了分析 ,获得了薄膜化学键结构和光学带隙的变化情况 ;发现薄膜的化学键结构和光学带隙与真空退火密切相关 ,高温退火后薄膜化学键结构 :CHx(x=1,2 ,3下同 )、F -芳基、CF2 和CF等基团的含量改变 ;薄膜的光学带隙决定于CHx、退火后CHx 含量减少导致薄膜光学带隙的减小。 展开更多
关键词 光学带隙 键结构 a-C:F:H薄膜 化学键 薄膜光学 平坦 非晶碳 真空退火 CF4 RF
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氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性
11
作者 黄峰 康健 +4 位作者 杨慎东 叶超 程珊华 宁兆元 甘肇强 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第3期283-285,共3页
用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C... 用苯 (C6H6)和三氟甲烷 (CHF3 )混合气体作源气体 ,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (MWECR CVD)技术 ,制备了氟化非晶碳膜 (a C∶F)。光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系 ;伏安特性的测量表明a C∶F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性 。 展开更多
关键词 氟化非晶碳膜 光学带隙 伏安特性 超大规模集成电路
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石英衬底上的BPxN1-x薄膜沉积及P对其光学带隙调制的研究
12
作者 张溪文 徐世友 韩高荣 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第z1期24-27,共4页
以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPxN1-X薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段研究了薄膜的化学组成、结晶状况,以及P元素掺... 以光学石英为衬底,采用热丝辅助射频等离子体增强化学气相沉积方法(HF-PECVD)沉积了BPxN1-X薄膜.通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线能谱(EDAX)、紫外-可见(UV-VIS)等测试手段研究了薄膜的化学组成、结晶状况,以及P元素掺杂对BPxN1-X薄膜材料光学带隙的调制规律.结果表明,所沉积薄膜具有多晶团聚、定向生长的特点,其表面形貌随时间而变化,最后发展成多晶球状密堆成膜,与石英衬底结合牢固.BPxN1-x薄膜的磷元素相对含量随磷烷流量增加而增加,光学带隙相应窄化.通过控制磷的掺杂量可以有效调整该薄膜材料的光学带隙. 展开更多
关键词 BPXN1-X薄膜 磷掺杂 光学带隙
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Bi_2O_3-B_2O_3-RE_2O_3(RE=Ce,Tb)玻璃的光学带隙
13
作者 殷海荣 刘盼 +3 位作者 郭宏伟 董继先 吴阳 莫祖学 《陕西科技大学学报（自然科学版）》 2014年第1期49-52,共4页
采用熔融法制备了Bi2O3-B2O3-RE2O3(RE=Ce,Tb)玻璃,根据Urbach公式和Tauc方程分别计算了含不同种类稀土玻璃的Urbach能及光学带隙,并探究了Urbach能与光学带隙的关系.结果表明:增加稀土离子,玻璃中非桥氧键增多,玻璃的结构疏松,电子跃... 采用熔融法制备了Bi2O3-B2O3-RE2O3(RE=Ce,Tb)玻璃,根据Urbach公式和Tauc方程分别计算了含不同种类稀土玻璃的Urbach能及光学带隙,并探究了Urbach能与光学带隙的关系.结果表明:增加稀土离子,玻璃中非桥氧键增多,玻璃的结构疏松,电子跃迁所需的能量降低,Urbach能降低;随着极化率增加,玻璃的键强降低,吸收边增加,光学带隙减小,且光学带隙随着Urbach能的减小线性降低. 展开更多
关键词 光学带隙 吸收边 发光玻璃
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直流磁控反应溅射工艺参数对SnO_2:Sb薄膜光学带隙的影响
14
作者 陈甲林 张君 赵青南 《河南建材》 2004年第4期7-9,共3页
用紫外 -可见光谱仪对直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2 :Sb薄膜光学带隙的影响进行了研究。结果表明 :SnO2 :Sb薄膜的光学带隙随着溅射功率的增加而减小 ,随着氧气分压的增加而增大 ,随着退火温度的增加而增大。同时 ,工艺参数还对薄膜... 用紫外 -可见光谱仪对直流磁控反应溅射工艺参数对SnO2 :Sb薄膜光学带隙的影响进行了研究。结果表明 :SnO2 :Sb薄膜的光学带隙随着溅射功率的增加而减小 ,随着氧气分压的增加而增大 ,随着退火温度的增加而增大。同时 ,工艺参数还对薄膜的其它性质有影响。 展开更多
关键词 直流磁控反应溅射 紫外-可见光谱仪 光学带隙
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Y掺杂ZnO最小光学带隙和吸收光谱的第一性原理研究 被引量：7
15
作者 曲灵丰 侯清玉 赵春旺 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第3期264-272,共9页
对于Y掺杂ZnO,当摩尔数在0.0313-0.0625之内,Y掺杂量越增加,吸收光谱发生红移和蓝移两种不同实验结果均有文献报道.本文使用Materials Studio软件下的CASTEP模块中密度泛函理论的第一性原理平面波模守恒(Norm conserving)赝势GGA+U的方... 对于Y掺杂ZnO,当摩尔数在0.0313-0.0625之内,Y掺杂量越增加,吸收光谱发生红移和蓝移两种不同实验结果均有文献报道.本文使用Materials Studio软件下的CASTEP模块中密度泛函理论的第一性原理平面波模守恒(Norm conserving)赝势GGA+U的方法,构建了未掺杂纤锌矿ZnO单胞以及Y掺杂ZnO的Zn_(0.9687)Y_(0.0313)O超胞、Zn_(0.9583)Y_(0.0417)O超胞和Zn_(0.9375)Y_(0.0625)O超胞模型.对掺杂前后体系的能带结构、态密度、差分电荷密度、布居值以及吸收光谱进行了计算.计算结果表明:当Y掺杂摩尔数在0.0313-0.0625之内,Y掺杂量越增加,掺杂体系的晶格常数、体积、总能量越增大,掺杂体系越不稳定、形成能越增大、掺杂越难;掺杂体系中平行于和垂直于c轴的Y-O键布居值越减小、离子键越增强、共价键越减弱、键长越变长;掺杂体系的最小光学带隙越变宽、吸收光谱发生蓝移现象越明显.吸收光谱的计算结果与实验结果相符合,合理解释了吸收光谱红移、蓝移的争论.这对制备Y掺杂ZnO短波长光学器件能起到一定的理论指导作用. 展开更多
关键词 Y掺杂ZnO 最小光学带隙 吸收光谱 第一性原理
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Cr掺杂对ZnO最小光学带隙和吸收光谱的影响 被引量：2
16
作者 高艺涵 侯清玉 赵春旺 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期9106-9111,共6页
当Cr掺杂ZnO的摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,掺杂体系的最小光学带隙宽度和吸收光谱分布随Cr掺杂浓度的变化出现了两类相反的实验结果。为了解决本问题,采用密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,用... 当Cr掺杂ZnO的摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,掺杂体系的最小光学带隙宽度和吸收光谱分布随Cr掺杂浓度的变化出现了两类相反的实验结果。为了解决本问题,采用密度泛函理论（DFT）框架下的广义梯度近似（GGA＋U）平面波超软赝势方法,用PBE泛函的计算方案来描述电子间的交换关联能,对未掺杂ZnO和3种不同浓度Cr掺杂ZnO超胞模型进行了能带结构、态密度、差分电荷密度、布居值以及吸收光谱的计算。结果表明,当Cr掺杂摩尔数为0.0313-0.0625的范围内,随着Cr掺杂量增加,掺杂体系的晶格常数和体积增大,总能量和形成能减小,结构更稳定,掺杂更容易,最小光学带隙宽度增大,吸收光谱显著蓝移。计算结果与实验结果相一致,并合理解释了存在的问题。这对制备Cr掺杂ZnO中实现短波长光学器件有一定的理论指导作用。 展开更多
关键词 Cr掺杂ZnO 光学带隙 吸收光谱 第一性原理
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Cu掺杂ZnO的光学带隙和磁学性能关系 被引量：1
17
作者 罗霜 王古平 +2 位作者 王欢 王智辉 彭昭军 《化学工程师》 CAS 2015年第12期8-12,共5页
采用高压釜水热法制备了不同Cu掺杂摩尔配比组分的ZnO,Zn_(0.99)Cu_(0.01)O,Zn_(0.97)Cu_(0.03)O,Zn_(0.95)Cu_(0.05)O和Zn_(0.92)Cu_(0.08)O粉晶。利用SEM,XRD,UV-VIS和VSM研究了样品的颗粒尺寸、结构特性、光学带隙和饱和磁化强度间... 采用高压釜水热法制备了不同Cu掺杂摩尔配比组分的ZnO,Zn_(0.99)Cu_(0.01)O,Zn_(0.97)Cu_(0.03)O,Zn_(0.95)Cu_(0.05)O和Zn_(0.92)Cu_(0.08)O粉晶。利用SEM,XRD,UV-VIS和VSM研究了样品的颗粒尺寸、结构特性、光学带隙和饱和磁化强度间关系。XRD结果表明ZnO和Zn_(0.99)Cu_(0.01)O为纤锌矿结构ZnO,未发现杂质第二相。随着Cu掺杂含量增加,样品逐渐产生CuO杂质第二相,主相ZnO的结构参数和(002)晶面择优取向发生变化。SEM显示样品颗粒为纳米级别,其大小随Cu掺杂含量增加有所不同。择优取向、禁带宽度和饱和磁化强度存在密切关联。(002)择优取向越高,光学带隙越小,饱和磁化强度越大。Zn_(0.95)Cu_(0.05)O达到最大值,相比于纯ZnO,饱和磁化强度提高了57%。 展开更多
关键词 高压釜水热法 磁学性能 光学带隙 CU掺杂 ZNO
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A1掺杂半导体Mg_2Si薄膜的制备及光学带隙研究 被引量：5
18
作者 王善兰 廖杨芳 +4 位作者 房迪 吴宏仙 肖清泉 杨云良 谢泉 《量子电子学报》 CSCD 北大核心 2017年第5期635-640,共6页
用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si... 用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si衍射峰先增强后减弱。SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423~0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72~0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV. 展开更多
关键词 材料 MgzSi薄膜 A1掺杂 光学带隙 显微
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PECVD沉积和原位退火时间对h-BN薄膜组成及光学带隙的影响
19
作者 秦毅 赵婷 +1 位作者 王波 杨建锋 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期729-734,共6页
采用射频等离子增强化学气相沉积设备,以高纯N2和B2H6为气源,制备了系列h-BN薄膜,得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下,研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分... 采用射频等离子增强化学气相沉积设备,以高纯N2和B2H6为气源,制备了系列h-BN薄膜,得到适合生长h-BN薄膜的最佳工艺条件。在此条件下,研究了不同沉积时间和退火时间对薄膜组成和光学带隙的影响。采用傅立叶变换红外光谱仪、紫外可见光分光光度计和场发射扫描电子显微镜对样品进行了表征。实验结果表明:在衬底温度、射频功率和气源流量比率一定的条件下,沉积时间对h-BN薄膜成膜质量和光学带隙都有较大影响,且光学带隙与膜厚呈指数关系变化。700℃原位退火不同时间对h-BN薄膜的结晶质量有所影响,而物相和光学带隙基本没有改变。 展开更多
关键词 h-BN薄膜 沉积时间 退火时间 光学带隙
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溅射气压对碳硅氧薄膜透过率及光学带隙的影响
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作者 冯建 姜宏 +2 位作者 马艳平 那聪 王琦 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第8期1470-1475,共6页
采用射频磁控溅射技术在玻璃基底和单晶硅片(100)上制备了碳硅氧(Si OC)薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱及紫外可见透射光谱等技术手段对其进行了分析,研究了在不同溅射气压下所制备薄膜的组分、透过率及光学... 采用射频磁控溅射技术在玻璃基底和单晶硅片(100)上制备了碳硅氧(Si OC)薄膜,通过扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱、X射线光电子能谱及紫外可见透射光谱等技术手段对其进行了分析,研究了在不同溅射气压下所制备薄膜的组分、透过率及光学带隙。结果表明:随着溅射气压的增大,薄膜内部sp^3键含量、透过率及光学带隙均随之增大,sp^3键及其形成的宽带隙σ键对薄膜光学带隙有着较大影响。在溅射气压为3.0 Pa的条件下,薄膜光学带隙为2.67 e V。 展开更多
关键词 碳硅氧薄膜 磁控溅射 透过率 光学带隙
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