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深能级杂质对光导半导体开关非线性特性的影响 被引量:4
1
作者 张同意 石顺祥 +2 位作者 赵卫 龚仁喜 孙艳玲 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第1期121-123,共3页
建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系... 建立了非线性GaAs光导开关深能级杂质瞬态模型的基本方程 ,获得了与实验现象定性吻合的电流输出 ,给出了平均载流子随时间演化的情况 .分析结果表明 ,在考虑了深能级杂质的俘获、发射和碰撞电离后 ,有可能对非线性光导开关中发生的一系列现象做出解释 ,进一步的仔细分析将对非线性光导开关的设计和制作提供理论指导 . 展开更多
关键词 光导半导体开关 非线性工作模式 深能级杂质模型 数值分析 PCSS
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用光导半导体开关产生高功率微波 被引量:10
2
作者 黄裕年 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第2期101-106,共6页
由于光导半导体开关(PCSS)皮秒闭合和无抖动的优异特性,光控这种开关可产生高功率微波。本文描述了PCSS的三种工作模式及四种类型光作用微波源,并把它们与一般高功率微波源作了比较,最后,讨论了这类微波源的性能限制和发展前景。
关键词 光导半导体开关 微波源 工作模式
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采用光导半导体开关的脉冲功率系统 被引量:5
3
作者 黄裕年 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期321-324,共4页
光导半导体开关已用于脉冲功率系统 ,如点火装置、超宽带脉冲发射机、紧凑型加速器和电感储能设备等 ,光导半导体开关为现有的脉冲功率技术提供了多方面改进。介绍了在这些应用中的开关参量和一些特殊要求 ,并讨论了试验结果。
关键词 光导半导体开关 脉冲功率系统 加速器
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高增益砷化镓光导半导体开关
4
作者 程念安 《爆轰波与冲击波》 2002年第1期12-15,共4页
简要的描述了高增益砷化镓(GaAs)光导半导体开关(PCSS)的特性。介绍了国外的研究动态和应用实例。概述了国内有关GaAs PCSS的现状,给出了用GaAs PCSS脉冲发生器的输出波形。对今后提高GaAs PCSS技术性能的要求也进行了讨论。
关键词 高增益 脉冲发生器 高功率脉冲技术 相控阵雷达幅射源 光导半导体开关 砷化镓
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超快响应GaN半导体光导开关的研制
5
作者 陈湘锦 刘京亮 +2 位作者 段雪 银军 吴洪江 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第12期960-964,共5页
半导体光导开关(PCSS)利用半导体材料的高耐压、快速响应与高迁移率等特性,可产生大功率超窄脉冲信号。利用半绝缘GaN材料制备了异面斜对电极PCSS,通过去除芯片侧边金属化合物来减小暗态电阻,提升了PCSS暗态耐压并降低暗态漏电,采用绝... 半导体光导开关(PCSS)利用半导体材料的高耐压、快速响应与高迁移率等特性,可产生大功率超窄脉冲信号。利用半绝缘GaN材料制备了异面斜对电极PCSS,通过去除芯片侧边金属化合物来减小暗态电阻,提升了PCSS暗态耐压并降低暗态漏电,采用绝缘导热封装提升器件的耐压与可靠性,研制了快拆式测试电路与夹具,实现储能、触发与低寄生同轴输出功能,提升了高频测试准确度与高频响应能力。搭建了高压宽带PCSS测试系统,测量开关线性工作特性,在5 kV偏置电压、触发激光脉冲波长为532 nm、能量为5 mJ下,GaN PCSS在50Ω负载上输出超快脉冲信号电压峰峰值大于2 kV,脉冲信号上升沿小于88 ps。 展开更多
关键词 GAN 半导体开关(PCSS) 窄脉冲信号 异面结构 超快响应
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基于光导半导体的MHz高重频可调谐脉冲产生技术研究 被引量:1
6
作者 楚旭 王朗宁 +4 位作者 朱效庆 王日品 王彬 荀涛 刘金亮 《强激光与粒子束》 CAS CSCD 北大核心 2022年第7期60-65,共6页
随着微波光子学的发展,新型光导微波技术利用高重频脉冲簇激光,入射到线性光导半导体器件中产生可调谐高功率电磁脉冲的方式受到广泛关注。SiC光导半导体开关(PCSS)具有高击穿场强,高饱和载流子速率,高抗辐射能力,高热传导率和高温工作... 随着微波光子学的发展,新型光导微波技术利用高重频脉冲簇激光,入射到线性光导半导体器件中产生可调谐高功率电磁脉冲的方式受到广泛关注。SiC光导半导体开关(PCSS)具有高击穿场强,高饱和载流子速率,高抗辐射能力,高热传导率和高温工作稳定性等优点,是产生高重频、高功率、超短脉冲的重要固态电子器件。介绍了一种基于钒补偿半绝缘4H-SiC PCSS的MHz重复频率亚纳秒脉冲发生器。该发生器采用1 MHz,1030 nm可调谐光脉冲宽度的激光簇驱动源,4H-SiC PCSS的厚度为0.8 mm。整系统可得到最大输出电功率176 kW、最小半高宽约为365 ps的MHz重频短脉冲。 展开更多
关键词 光导半导体开关 重复频率 可调谐亚纳秒脉冲 脉冲发生器
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负微分迁移率和碰撞电离对GaAs光导开关非线性特性的影响 被引量:3
7
作者 张同意 石顺祥 +2 位作者 赵卫 龚仁喜 孙艳玲 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期445-449,共5页
对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分... 对 Ga As光导开关非线性工作时 ,负微分迁移率和碰撞电离的作用进行了数值分析 ,给出了考虑和未考虑碰撞电离作用时的外电路电流输出波形 ,以及载流子和电场的空间分布和随时间演变的情况。计算表明 Ga As材料的负微分迁移率引起的微分负阻 ,会导致阴极附近电场的动态增强 ,使得阴极附近的电场达到本征碰撞电离发生的阈值电场 ,从而引发本征碰撞电离的发生。分析结果表明 ,碰撞电离可以极大地延长电流输出的时间 ,但仅考虑负微分迁移率特性的本征碰撞电离过程不足以完全解释观察到的所有非线性现象 。 展开更多
关键词 光导半导体开关 非线性工作模式 负微分迁移率 碰撞电离 模拟计算 GAAS 砷化镓 非线性特性
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共面型GaAs光导开关的击穿特性研究 被引量:1
8
作者 刘娟 李寅鑫 +1 位作者 苏伟 时世泰 《传感器与微系统》 CSCD 北大核心 2009年第2期23-25,29,共4页
用ANSYS软件对暴露在空气中共面型GaAs光导开关进行了模拟仿真,根据其电场分布在X方向和Y方向的剖面图可以看出:在GaAs表面、电极、空气隙3种介质的交界面是极易发生击穿的区域,特别在电极的拐角部位。对用空气和Si3N4介质包覆开关表面... 用ANSYS软件对暴露在空气中共面型GaAs光导开关进行了模拟仿真,根据其电场分布在X方向和Y方向的剖面图可以看出:在GaAs表面、电极、空气隙3种介质的交界面是极易发生击穿的区域,特别在电极的拐角部位。对用空气和Si3N4介质包覆开关表面时的电流分布进行了模拟比较,给出了X方向剖面图,结果表明:经Si3Ni4薄膜保护的GaAs光导开关的耐压能力可提高2个数量级。对设计制作的3 mm间隙共面型GaAs光导开关进行了耐压试验研究,分别采用绝缘油、绝缘胶对光导开关进行了绝缘保护,并结合介质击穿理论对试验结果进行了分析。模拟和试验结果表明:适当的绝缘保护可以有效提高耐压特性,使绝缘强度达4 kV/mm。 展开更多
关键词 GaAs半导体开关 击穿特性 ANSYS模拟 绝缘保护
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光放大、控制与器件
9
《中国光学》 EI CAS 2002年第4期75-76,共2页
TN144 2002042945用光电倍增管测量微光像增强器噪声=Testing thenoise of image intensifier with photo-multipliers[刊,中]/张伟,汪岳峰,董伟(军械工程学院光学教研室.河北,石家庄(050003))∥光电子技术.—2001,21(4).—281-283在微... TN144 2002042945用光电倍增管测量微光像增强器噪声=Testing thenoise of image intensifier with photo-multipliers[刊,中]/张伟,汪岳峰,董伟(军械工程学院光学教研室.河北,石家庄(050003))∥光电子技术.—2001,21(4).—281-283在微光像增强器成像中,迭加在图像上的时空域噪声,不仅限制系统可工作的最低照度,而且使显示图像有随机蠕动颗粒闪烁的外观。随着低噪声。 展开更多
关键词 电倍增管 像增强器 电子技术 低噪声 显示图像 时空域 光导半导体开关 高增益 动态特性 石家庄
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光放大、控制与器件
10
《中国光学》 EI CAS 2001年第4期81-81,共1页
TN223 2001042802微光夜视仪最大作用距离的估算=Research on the mostoperation range’s estimation of low-light level nightvision insturments[刊,中]/牛燕雄,汪岳峰,雷鸣,张雏(军械工程学院光学与电子工程系.河北,石家庄(050003... TN223 2001042802微光夜视仪最大作用距离的估算=Research on the mostoperation range’s estimation of low-light level nightvision insturments[刊,中]/牛燕雄,汪岳峰,雷鸣,张雏(军械工程学院光学与电子工程系.河北,石家庄(050003)),陈德伟(广州军区军械雷达修理所光学室.广东,广州(510000))//光电子·激光.-2000,11(6).-620-622通过测量和分析物镜、像增强器和目镜等的性能参数,对微光夜视仪的最大作用距离进行估算。 展开更多
关键词 夜视仪 最大作用距离 像增强器 性能参数 电子工程 光导半导体开关 电子 估算 广州军区
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高介电常数复合介质固态Blumlein线 被引量:10
11
作者 陈德彪 刘承俊 +3 位作者 夏连胜 戴光森 张篁 程念安 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期174-176,共3页
以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质,砷化镓光导半导体开关作为开关,设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明,复合介质Blumlein介电常数高达80-250,在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV,前沿小于5ns,半高宽约34n... 以陶瓷聚合物复合介质作为储能介质,砷化镓光导半导体开关作为开关,设计了带状Blumlein线并对其进行了实验研究。实验结果表明,复合介质Blumlein介电常数高达80-250,在21Ω的匹配负载上获得电压幅值为2kV,前沿小于5ns,半高宽约34ns,波动约士10A的平顶宽为22ns的电压脉冲,能满足脉冲功率系统小型化的应用要求。 展开更多
关键词 固态Blumlein线 复合介质 光导半导体开关 脉冲功率源
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氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性 被引量:3
12
作者 卫新发 梁国松 +2 位作者 张育民 王建峰 徐科 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期474-478,共5页
氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti... 氧化铟锡(ITO)透明电极能够有效提高GaN光导半导体开关的光吸收效率和电场均匀性,但如何在透明电极ITO与半绝缘GaN之间实现良好的欧姆接触是一个难题。通过在ITO和半绝缘GaN之间插入与GaN功函数相近的Ti薄层,并利用快速热退火过程加速Ti与GaN之间的反应。研究发现Ti薄层的厚度和退火温度对欧姆接触有重要影响。在Ti薄层厚度为5 nm时,随着退火温度的升高,ITO/Ti/GaN之间的接触逐渐转变为欧姆接触,且接触电阻率随之减小;但当退火温度超过700℃时,欧姆接触变差,这与ITO中的In、Sn和O元素向界面扩散有关;适当提高Ti薄层的厚度可以有效改善ITO/Ti/GaN欧姆电极的热稳定性,但过厚的Ti薄层会对GaN基光电器件的透过率产生影响。 展开更多
关键词 掺Fe GaN 氧化铟锡(ITO) Ti薄层 欧姆接触 热稳定性 光导半导体开关
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Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch
13
作者 JI Weili SHI Wei 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第8期1919-1924,共6页
With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold... With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold of surface flashover (SF). In this paper, an experimental study of surface flashover of a back-triggered PCSS is presented. The PCSSs with electrode gap of 18 mm are fabricated from liquid encapsulated czochralski (LEC) semi-insulating gallium arsenide (SI-GaAs), and they are either un-coated, or partly coated, or en- tirely coated PCSSs with high-strength transparent insulation. The SF fields of the PCSSs are measured and discussed. According to the experimental results, the high-dielectric-strength coating is efficient in both reducing the gas desorption from semiconductor and increasing the SF field: a well-designed PCSS can resist a voltage up to 20 kV under the repetition frequency of 30 Hz. The physical mechanism of the PCSS SF is analyzed, and the conclusion is made that having a channel structure, the SF is the breakdown of the contaminated dielectric layer at the semiconductor-ambient dielectric interface. The non-uniform distribution of the surface field and the gas desorption due to thermal effects of semiconductor surface currents are key factors causing the SF field reduction. 展开更多
关键词 光导半导体开关 SI-GAAS 沿面闪络 实验 电力电子装置 开关 半绝缘砷化镓
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高介电常数复合介质固态Blumlein线初步研究
14
作者 陈德彪 刘承俊 +3 位作者 夏连胜 戴光森 张篁 程念安 《中国工程物理研究院科技年报》 2008年第1期47-48,共2页
高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源,应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点,可浇铸成型,方便加工,还可做成薄膜,而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和GaA... 高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源,应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点,可浇铸成型,方便加工,还可做成薄膜,而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和GaAs光导半导体开关(GaAs-PCSS),开展了带状Blumlein线的设计和实验研究。 展开更多
关键词 Blumlein线 高介电常数 复合介质 固态 光导半导体开关 脉冲功率源 浇铸成型 GAAS
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高介电常数复合介质固态Blumlein线
15
作者 陈德彪 刘承俊 +3 位作者 夏连胜 戴光森 张篁 程念安 《中国工程物理研究院科技年报》 2006年第1期93-93,共1页
高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源,应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点,可浇铸成型,方便加工,还可做成薄膜,而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和砷... 高介电常数复合介质固态Blumlein线可能作为一种新的紧凑、轻便的脉冲功率源,应用前景广阔。复合介质克服了陶瓷难加工的缺点,可浇铸成型,方便加工,还可做成薄膜,而且电性能更优异。文中利用国内正在研制的高介电常数复合介质和砷化镓光导半导体开关(GaAs-PCSS),开展了带状Blumlein线的设计和实验研究。 展开更多
关键词 Blumlein线 高介电常数 复合介质 固态 光导半导体开关 脉冲功率源 浇铸成型 电性能
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Propagation characteristics of arrayed transient electromagnetic pulses
16
作者 CUI HaiJuan YANG HongChun RUAN ChengLi WU MingHe 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 2011年第18期1957-1964,共8页
Starting from the uniform disk current model, an analytical solution for the electromagnetic pulse axial energy radiation is derived and a physical meaning then given to the axial energy propagation characteristics of... Starting from the uniform disk current model, an analytical solution for the electromagnetic pulse axial energy radiation is derived and a physical meaning then given to the axial energy propagation characteristics of a unit antenna. From this solution, a point-source approximation model in the time domain is introduced. Parameters such as the energy propagation characteristics and beamwidth of the electromagnetic pulse beam radiating from arrayed antenna are analyzed theoretically. An arrayed transient electromagnetic pulse generator is developed incorporating a 23×16 ultra-wideband tapered slot antenna integrated with a Blumlein formation line and photoconductive semiconductor switch. Experiments performed over a 2.5 km range confirm that the arrayed transient electromagnetic pulse can propagate in free space with the specified waveform. Moreover, the field components can be superposed in phase, and the radiation beam can be focused into a single pulse. Results from calculations are in agreement with experimental results within the measurement uncertainties. 展开更多
关键词 电磁脉冲发生器 传播特性 瞬变 Blumlein形成线 光导半导体开关 辐射能量 阵列天线 测量不确定度
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