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光导型碲镉汞探测器在波段外连续激光辐照下的载流子输运
被引量:
3
1
作者
江天
郑鑫
+3 位作者
程湘爱
许中杰
江厚满
陆启生
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期216-221,共6页
利用连续波段外激光辐照光导型碲镉汞探测器.实验表明,探测器对波段外激光有响应,且存在一个特定拐点温度T0.当探测器温度T<T0时,响应电压随温度升高而增大;当T>T0时,响应电压随温度的升高而减小.研究表明,探测器胶层的热瓶颈作...
利用连续波段外激光辐照光导型碲镉汞探测器.实验表明,探测器对波段外激光有响应,且存在一个特定拐点温度T0.当探测器温度T<T0时,响应电压随温度升高而增大;当T>T0时,响应电压随温度的升高而减小.研究表明,探测器胶层的热瓶颈作用会导致响应电压存在两个响应时间尺度,拐点温度由芯片掺杂浓度决定.当T<T0时,响应电压主要由随温度变化的载流子迁移率决定;当T>T0时,响应电压主要受热激发载流子的影响.
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关键词
波段外激
光
光导型碲镉汞探测器
热激发载流子
迁移率
下载PDF
职称材料
光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价
2
作者
钱大憨
贾嘉
+4 位作者
陈昱
王韡
汤亦聃
朱龙源
李向阳
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011年第6期328-331,344,共5页
制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,...
制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现。通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞。这表明宏观的电阻表征对微观缺陷不敏感,对电极可靠性的表征要结合微观形貌表征进行;同时适当的薄膜制备条件可以使大台阶侧面获得致密的金属薄膜,从而获得良好的台阶覆盖性。
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关键词
曲面延伸电极
光
导
型
碲
镉
汞
红外
探测器
电阻表征
扫描电子显微镜
微观形貌
下载PDF
职称材料
题名
光导型碲镉汞探测器在波段外连续激光辐照下的载流子输运
被引量:
3
1
作者
江天
郑鑫
程湘爱
许中杰
江厚满
陆启生
机构
国防科学技术大学光电科学与工程学院
光电信息控制和安全技术重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第3期216-221,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划(1030110)~~
文摘
利用连续波段外激光辐照光导型碲镉汞探测器.实验表明,探测器对波段外激光有响应,且存在一个特定拐点温度T0.当探测器温度T<T0时,响应电压随温度升高而增大;当T>T0时,响应电压随温度的升高而减小.研究表明,探测器胶层的热瓶颈作用会导致响应电压存在两个响应时间尺度,拐点温度由芯片掺杂浓度决定.当T<T0时,响应电压主要由随温度变化的载流子迁移率决定;当T>T0时,响应电压主要受热激发载流子的影响.
关键词
波段外激
光
光导型碲镉汞探测器
热激发载流子
迁移率
Keywords
band-off laser
photoconductive HgCdTe detector
thermally generated carders
mobility
分类号
TN249 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价
2
作者
钱大憨
贾嘉
陈昱
王韡
汤亦聃
朱龙源
李向阳
机构
中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室
中国科学院上海技术物理研究所中科院红外成像材料与器件重点实验室
中国科学院研究生院
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011年第6期328-331,344,共5页
基金
国家自然科学基金项目
编号:60907048
+1 种基金
上海市自然科学基金项目
编号:09ZR1436200
文摘
制备了一种带有曲面延伸电极结构的碲镉汞光导型红外探测器,对曲面延伸电极的抗低温冲击能力进行了研究,在9次的液氮直接冲击下曲面延伸电极完好,器件电阻无大变化。通过扫描电子显微镜(SEM)对曲面延伸电极的台阶侧面微观形貌进行观察,发现在延伸台阶的侧面有孔洞出现。通过改进镀膜工艺,延伸台阶侧面的金属薄膜致密无孔洞。这表明宏观的电阻表征对微观缺陷不敏感,对电极可靠性的表征要结合微观形貌表征进行;同时适当的薄膜制备条件可以使大台阶侧面获得致密的金属薄膜,从而获得良好的台阶覆盖性。
关键词
曲面延伸电极
光
导
型
碲
镉
汞
红外
探测器
电阻表征
扫描电子显微镜
微观形貌
Keywords
curved extended-electrode
HgCdTe IR photoconductor
resistance characterization
SEM
Micro topography characterization
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
光导型碲镉汞探测器在波段外连续激光辐照下的载流子输运
江天
郑鑫
程湘爱
许中杰
江厚满
陆启生
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
3
下载PDF
职称材料
2
光导型碲镉汞红外器件的曲面延伸电极工艺评价
钱大憨
贾嘉
陈昱
王韡
汤亦聃
朱龙源
李向阳
《红外技术》
CSCD
北大核心
2011
0
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职称材料
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