期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
硅微通道阵列光电化学腐蚀中通道尺寸控制技术 被引量：5
1
作者 王国政 熊峥 +4 位作者 王蓟 秦旭磊 付申成 王洋 端木庆铎 《长春理工大学学报（自然科学版）》 2010年第3期59-62,共4页
高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔。本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术。给出了型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出... 高长径比硅微通道阵列在光子晶体、硅微通道板、MEMS器件等领域应用前景广阔。本文开展了硅微通道阵列光电化学方法腐蚀实验,重点研究了孔径控制技术。给出了型硅在氢氟酸溶液中的电流-电压扫描曲线,讨论了临界电流密度JPS的意义,提出了一种间接地测量JPS与腐蚀时间关系的方法,研究了暗电流密度与腐蚀时间关系及对腐蚀的影响。根据暗电流及JPS的变化规律调整腐蚀电流,实现了对孔径的控制,制备出通道深度为300m,长径比为100的硅微通道阵列结构。 展开更多
关键词 高长径比 硅微通道阵列 光电化学腐蚀 诱导坑 暗电流密度
下载PDF
n型砷化镓微区光电化学腐蚀过程 被引量：1
2
作者 王卫江 王江涛 +1 位作者 金承和 陆寿蕴 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1993年第3期386-391,共6页
在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne 激光照射,使n-GaAs 表面发生微区光电化学腐蚀,用计算机控制步进马达,使试样在X-Y二维方向扫描移动,能在晶片上得到刻蚀点直径2μm 的刻蚀图案.研究了激光相对光强,KOH、H_2SO_4、KCl 等刻蚀剡的浓度,... 在n-GaAs电解液界面,用聚焦He-Ne 激光照射,使n-GaAs 表面发生微区光电化学腐蚀,用计算机控制步进马达,使试样在X-Y二维方向扫描移动,能在晶片上得到刻蚀点直径2μm 的刻蚀图案.研究了激光相对光强,KOH、H_2SO_4、KCl 等刻蚀剡的浓度,光腐蚀的时间,电极电位等因素对腐蚀点的直径和深度的影响,通过实验数据找出腐蚀过程的规律,并用光电化学原理进行解释. 展开更多
关键词 砷化镓 光电化学腐蚀 半导体微刻蚀
下载PDF
光电化学腐蚀法制备高长径比硅微通道
3
作者 陈奇 王国政 +2 位作者 王蓟 杨继凯 端木庆铎 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第3期216-220,共5页
在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。... 在高长径比硅微通道光电化学腐蚀中,需要根据通道尺寸要求实时修正腐蚀电流。研究了物质输运、暗电流对腐蚀电流控制的影响,并提出了腐蚀电流的控制曲线。根据电解液扩散方程和边界条件,推导出通道尖端处HF质量分数与通道长度的关系。根据腐蚀后的暗扫描I-V曲线计算出暗电流密度。与腐蚀电流密度相比,阴离子表面活性剂的暗电流可忽略不计,进而获得了腐蚀电流修正曲线。根据腐蚀电流修正曲线,通过控制光照强度制备出高长径比（大于60）的等径硅微通道阵列。对修正的腐蚀电流进行调整,制备出通道尺寸空间周期性变化的硅微通道结构。研究结果可为高长径比硅微通道的制备提供技术方法。 展开更多
关键词 硅微通道 光电化学腐蚀 腐蚀电流密度 电解液扩散 暗电流密度
原文传递
光电化学腐蚀条件对多孔硅阵列的影响
4
作者 吴伯涛 曹林洪 +1 位作者 周秀文 湛志强 《广州化工》 CAS 2020年第8期45-48,61,共5页
采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加... 采用光电化学腐蚀的方法在腐蚀电压为1.3 V,腐蚀液配比为HF(40%):C2H5OH(99%):H2O=1:7:1(体积比)和卤素灯为光源的条件下获得了结构整齐、孔道均匀的多孔硅阵列。研究表明,随着电压的增大,孔壁侧蚀严重,孔壁有分叉现象;随着HF浓度的增加,制备的多孔硅阵列孔深增加,腐蚀速度增加;光源的不同会导致孔道内部均匀程度的不同。最后得出了最佳的刻蚀参数条件,得到了长径比大于50,孔道结构外壁均匀光滑的多孔硅阵列。 展开更多
关键词 光电化学腐蚀法 多孔硅阵列 工艺优化 结构规整
下载PDF
N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响
5
作者 李连玉 王国政 +3 位作者 刘书异 姜柱松 王蓟 杨继凯 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2021年第2期297-301,共5页
该论文研究了N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响。分别用含有阳离子、阴离子、非离子表面活性剂和无表面活性剂的HF腐蚀液进行宏孔硅光电化学腐蚀实验,测试了电化学阻抗谱EIS和Mott-Schokkty曲线,分析了N型宏孔硅电化... 该论文研究了N型宏孔硅电化学腐蚀中表面活性剂对Si/HF界面的影响。分别用含有阳离子、阴离子、非离子表面活性剂和无表面活性剂的HF腐蚀液进行宏孔硅光电化学腐蚀实验,测试了电化学阻抗谱EIS和Mott-Schokkty曲线,分析了N型宏孔硅电化学反应过程中的电荷转移电阻和Si/HF界面处Si基体一侧的空间电荷层电容。结果表明,表面活性剂的存在改变了Si/HF电解液界面的性质,阴离子表面活性剂比阳离子表面活性剂存在条件下腐蚀的N-Si具有更高的电荷转移电阻。 展开更多
关键词 N型宏孔硅 交流阻抗 表面活性剂 光电化学腐蚀
下载PDF
硅微通道板微加工技术研究 被引量：5
6
作者 王国政 袁云龙 +5 位作者 杨超 凌海容 王蓟 杨继凯 李野 端木庆铎 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1804-1810,共7页
微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和... 微通道板(MCP)是二维通道电子倍增器,广泛用于电子、离子、紫外辐射和X-射线的探测与成像。提出一种硅微通道板(Si-MCP)制备工艺,分别采用干法刻蚀和电化学腐蚀微加工技术制备了硅微通道阵列(SMA)。重点研究了硅感应耦合等离子体刻蚀和光电化学腐蚀的特性,结果表明:硅光电化学腐蚀技术易于制备高长径比微通道,微通道侧壁更光滑、可制备倾斜通道、更适合制备Si-MCP.制备出通道周期为6μm、长径比大于50的SMA结构。采用厚层氧化实现了Si-MCP基体绝缘,采用原子层沉积工艺制备了连续倍增极,制作出Si-MCP样品。测试结果表明,采用半导体微加工技术制备的Si-MCP电子增益特性具有可行性。 展开更多
关键词 硅微通道板 光电化学腐蚀 原子层沉积 微加工技术
下载PDF
不锈钢滤网的研制
7
作者 金济仁 《真空电子技术》 北大核心 1989年第2期30-32,29,共4页
本文叙述了用光电化学腐蚀法研制成面积为270×200mm^2、厚度为0.3mm、滤缝为0.1±0.02mm 的不锈钢滤网的有效方法。对照相母版的制造、腐蚀方法的研究、抗蚀剂的选择进行了详细讨论,并提出了改进意见。
关键词 不锈钢 滤网 光电化学腐蚀
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部