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N型氮化镓的结构和光电导特性
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作者 艾子萍 刘云燕 张德恒 《岩矿测试》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期195-198,共4页
采用透射电镜高分辨反射电子衍射、扫描电镜形貌观察、X射线衍射等不同方法测试了不同Mg含量的N型氮化镓薄膜的结构。几种测试方法的比较表明 ,高分辨反射电子衍射是确定厚衬底的薄膜结构的快速而简便的方法 。
关键词 透射电镜 高分辨反射电子衍射 扫描电镜 X射线衍射 结构 光电导特性 N型氮化镓 体材料
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GaAs光电导开关激子效应的光电导特性
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作者 马湘蓉 施卫 《西安理工大学学报》 CAS 北大核心 2011年第2期151-155,共5页
从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的... 从GaAs光电导开关的激子效应和光激发电荷畴理论基础出发,研究了强电场触发下GaAs光电导开关激子效应的光电导特性;光激发电荷畴与激子效应的相互作用以及激子的形成、传输及离解过程形成自由电子和空穴,为激子激发光电导提供了必要的条件。影响激子效应的光电导特性的主要因素有:激子能级的吸收,束缚激子及光激发电荷畴引起的能带重整化效应,多声子跃迁,束缚激子沿位错线发生分裂和漂移。在上述因素的相互耦合作用下,使得GaAs光电导开关激子效应的光电导呈现出一定的振荡特性。 展开更多
关键词 GAAS光电开关 光激发电荷畴 激子效应 光电导特性
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ZnS:Mn.Cu粉末直流电致发光(DCEL)屏的光电导特性
3
作者 郭铜安 周连祥 《高速摄影与光子学》 CSCD 1990年第4期377-380,共4页
本文首次研究了DCEL屏的光电导特性,结果表明,Zn:Mn(?)Cu粉末DCEL屏的光电导特性主要是由于DCEL屏形成过程中,因Cu^+离子迁移而在发光区(或乏铜区)的ZnS颗粒表面形成的表面电子陷阱能级被激发所致。
关键词 DCEL屏 光电导特性 电子陷阱能级
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把“薄膜光电导效应”引入探究型实验教学 被引量:2
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作者 邱宏 赵雪丹 +1 位作者 于明鹏 吴平 《大学物理》 2018年第5期57-61,67,共6页
介绍了如何把"半导体薄膜光电导效应"实验引入到探究型物理实验教学中,测量了不同膜厚的网状结构ZnO:Al薄膜的光电导特性.本实验来自于科研成果,并且丰富了已有的物理实验教学的实验内容.此外,本文还总结了从科研成果转化成... 介绍了如何把"半导体薄膜光电导效应"实验引入到探究型物理实验教学中,测量了不同膜厚的网状结构ZnO:Al薄膜的光电导特性.本实验来自于科研成果,并且丰富了已有的物理实验教学的实验内容.此外,本文还总结了从科研成果转化成为物理实验教学的实验内容应该具备的5个基本的特点. 展开更多
关键词 物理实验 教学改革 光电导特性
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大功率光导开关研究 被引量:9
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作者 袁建强 李洪涛 +4 位作者 刘宏伟 刘金锋 谢卫平 王新新 江伟华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期791-794,共4页
设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究了非本征光电导方式下GaAs光导开关和SiC光导开关的光电导特性。实验中获得了GaAs光导开关的暗态伏安曲线... 设计了横向结构的半绝缘GaAs光导开关和SiC光导开关。在不同的直流偏置电压下,使用波长为1 064 nm的激光脉冲触发使开关导通,研究了非本征光电导方式下GaAs光导开关和SiC光导开关的光电导特性。实验中获得了GaAs光导开关的暗态伏安曲线和200-1 100 nm波长范围内吸收深度随波长的变化曲线,得到了大功率GaAs光导开关在线性模式和非线性模式下的电流波形,并进行了比较,讨论了非线性模式下大功率GaAs光导开关的奇特光电导现象。对非本征光电导方式下的SiC光导开关进行了初步实验研究,得到了偏置电压3.6 kV下开关的电压和电流波形。 展开更多
关键词 大功率 开关 砷化镓 碳化硅 光电导特性
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不同形状的光斑触发砷化镓光导开关 被引量:3
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作者 袁建强 刘宏伟 +4 位作者 刘金锋 李洪涛 谢卫平 王新新 江伟华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期557-560,共4页
为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响,研制了12 mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关,在不同的偏置电压下,使用波长为1 064 nm的不同能量的激光触发光导开关并进行了光电导测试。使用了不同形状的光斑(包括面状、线状和点... 为研究使用不同形状光斑触发光导开关对光电导特性的影响,研制了12 mm间隙的半绝缘砷化镓光导开关,在不同的偏置电压下,使用波长为1 064 nm的不同能量的激光触发光导开关并进行了光电导测试。使用了不同形状的光斑(包括面状、线状和点状光斑)触发光导开关并进行了光电导特性的比较,讨论了触发光参数对光导开关特性的影响。对处于开关电极间不同位置的线状光斑触发特性进行了比较,结果显示,本征光电导和非本征光电导情况下光斑位置对光电流的影响正好相反。 展开更多
关键词 开关 光斑触发 光电导特性 砷化镓
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CuPc/ZnS多层复合薄膜的制备及光电性能的研究 被引量:1
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作者 何智兵 张溪文 +4 位作者 沈鸽 赵高凌 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2002年第1期15-19,共5页
为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分... 为了找到制备具有最佳光电导性能的CuPc/ZnS多层复合薄膜的工艺参数 ,研究了CuPc/ZnS多层复合膜的层数系列、CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列和基板温度系列的光电导性能和结构。利用表面电位衰减、紫外 可见光谱和X射线衍射分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变复合膜层数。 展开更多
关键词 多层复合膜 光电导特性 CuPc/ZnS 有机/无机复合薄膜 硫化锌 结构
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膜层厚度对CuPc/ZnS多层复合薄膜光电性能的影响
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作者 何智兵 张溪文 +5 位作者 沈鸽 王瑞春 赵高凌 翁文剑 杜丕一 韩高荣 《材料科学与工程》 CSCD 北大核心 2001年第2期51-54,共4页
为了找到制备CuPc ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数 ,本文研究了CuPc ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构 ,利用表面电位衰减仪、紫外 -可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光... 为了找到制备CuPc ZnS多层复合膜薄膜最佳光电导性能的参数 ,本文研究了CuPc ZnS多层复合膜的CuPc膜层的厚度系列、ZnS膜层的厚度系列的光电导性能和结构 ,利用表面电位衰减仪、紫外 -可见光谱仪和X射线衍射仪等设备分析了复合薄膜的光电导性能和结构及其关系 ,探讨了改变CuPc、ZnS膜层的厚度对CuPc 展开更多
关键词 光电导特性 紫外-可见光谱 有机/无机复合薄膜 结构 CuPc染料 硫化锌 膜层厚度
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BSO液晶光阀的设计与制作 被引量:3
9
作者 王继岷 陈晓西 +2 位作者 徐钟声 杨文君 蒋向东 《实验科学与技术》 2011年第6期16-18,共3页
介绍了基于紫外光敏材料硅酸铋(BSO)晶体光寻址液晶光阀(LCLV)的工作原理和设计要求。研究BSO的光电导特性,论述了BSO晶体产生光电导效应的机理,设计了BSO晶体电导特性的测试方案,测量BSO晶体的光电特性,表明BSO具有良好的紫外光电导特... 介绍了基于紫外光敏材料硅酸铋(BSO)晶体光寻址液晶光阀(LCLV)的工作原理和设计要求。研究BSO的光电导特性,论述了BSO晶体产生光电导效应的机理,设计了BSO晶体电导特性的测试方案,测量BSO晶体的光电特性,表明BSO具有良好的紫外光电导特性,可作为光寻址LCLV的光敏层。通过实验测量得到了液晶的阻抗特性。最后制作BSO基LCLV,实验证明该光阀的可行性。 展开更多
关键词 硅酸铋 光电导特性 液晶光阀 液晶空间光调制器
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化学浴沉积PbSe多晶薄膜制备 被引量:3
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作者 陈凤金 司俊杰 +1 位作者 张庆军 姚官生 《航空兵器》 2012年第3期47-50,共4页
简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况,分别以硒脲和硒粉为主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用SEM、XRD、TEM等方法进行表征分析和对比,实验结果表明,在不考虑硒脲本身原料的纯度因素影响的情况下... 简要介绍了国内外关于PbSe薄膜的制备方法与发展状况,分别以硒脲和硒粉为主要原料,用化学浴沉积法制备了PbSe多晶薄膜。对所制备薄膜用SEM、XRD、TEM等方法进行表征分析和对比,实验结果表明,在不考虑硒脲本身原料的纯度因素影响的情况下,以硒粉为原料制成的薄膜其晶体结构的完整性和光电导特性均优于以硒脲为原料所制成的薄膜,也验证了以硒粉为原料的低成本制备PbSe薄膜方法可行性。 展开更多
关键词 硒化铅 化学浴沉积 硒脲 多晶薄膜 光电导特性
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薄膜光学理论
11
《中国光学》 EI CAS 1996年第3期61-62,共2页
O484 96031825硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性=Electrical and photoconductive characteristicsof B-doped and undoped diamond films[刊,中]/张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华(兰州大学物理系)//半导体学报.-1995,16... O484 96031825硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性=Electrical and photoconductive characteristicsof B-doped and undoped diamond films[刊,中]/张仿清,张文军,胡博,谢二庆,陈光华(兰州大学物理系)//半导体学报.-1995,16(10).-783-788用热丝辅助CVD法,用B<sub>2</sub>O<sub>3</sub>作硼源,成功地合成了金刚石膜。研究了退火前后它的电学性质和光电导特性。根据实验结果,分析了样品中可能存在的缺陷态及其对膜光电特性的影响。图5参10(方舟) 展开更多
关键词 光电导特性 掺杂金刚石薄膜 光学薄膜 时间响应 金刚石膜 光电特性 电学性质 硼掺杂 兰州大学
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薄膜光学理论
12
《中国光学》 EI CAS 1996年第6期42-42,共1页
O484 96063827光束定向器中膜厚不均匀性对远场性能的影响=Effects of coating thickness non-uniformityon far-field performance of beam director[刊,中]/熊胜明,张云洞,王永忠(中科院光电所.四川,成都(610209))//强激光与粒子束.-1... O484 96063827光束定向器中膜厚不均匀性对远场性能的影响=Effects of coating thickness non-uniformityon far-field performance of beam director[刊,中]/熊胜明,张云洞,王永忠(中科院光电所.四川,成都(610209))//强激光与粒子束.-1995,7(4).-592-596讨论了DF(氟化氘)强激光系统光束定向器中的光学薄膜,用偏振光线追迹分析定向出瞳主激光、信标光偏振态变化,计算膜厚不均匀性对远场性能的影响。图7表1参6(方舟)O484.4 96063828多晶硅薄膜光电导特性的研究=Study of photoconductivityof polysilicon films[刊。 展开更多
关键词 膜厚不均匀性 多晶硅薄膜 光束定向器 远场性能 光电导特性 光学薄膜 强激光系统 追迹分析 偏振光线 光偏振态
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Inner Am monium Salt Carbocyanine Filmson SiSurface and Their Photoelectric Properties
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作者 GU Ji-xian, WANG Lan-ying, ZHANG Zu-xun ZHANG Xiao-hong,CAO Zi-xiang (Northwest University, Xi’an 710069,CHN) 《Semiconductor Photonics and Technology》 CAS 1999年第4期211-215,共5页
Two inner salt carbocyanines were filmed chemically on the Si surface through Si-O-C bond. The structures were characterized by SERS and XPS. And the spectral response and surface photovoltage spectrum were measured. ... Two inner salt carbocyanines were filmed chemically on the Si surface through Si-O-C bond. The structures were characterized by SERS and XPS. And the spectral response and surface photovoltage spectrum were measured. These results show that the Si wafer can be sensitized by dyes, and the filmed Si wafers have photovoltage effect. 展开更多
关键词 Photoelectric Properties Photosensitive Dye SILICON
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The photoresponse and photoconductivity of micronsized C_(60) whiskers and sub-millimeter-sized C_(60) clusters
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作者 熊鹏辉 熊瑛 +5 位作者 陈翔宇 陈珊 侯双月 张晓波 刘刚 田扬超 《Optoelectronics Letters》 EI 2014年第1期47-50,共4页
The photoresponse and photoconductivity properties of micron-sized C60whiskers and sub-millimeter-sized C60clusters are successfully studied by the microfabrication technologies.According to the ultraviolet-visible-ne... The photoresponse and photoconductivity properties of micron-sized C60whiskers and sub-millimeter-sized C60clusters are successfully studied by the microfabrication technologies.According to the ultraviolet-visible-near infrared(UVVis-NIR)absorption spectroscopic study,a highly intense absorption is observed in the UV and visible light regions,which indicates probable applications in photoelectric devices.Furthermore,a large photocurrent is measured under the illumination of white light in nitrogen(N2)atmosphere.The micron-sized C60whiskers and the sub-millimeter-sized C60clusters have different photoresponse curves under the same condition of measurement.A quick transformation of photoelectric response is detected in parallel multi-arranged micron-sized C60whiskers,but the recovery of the photocurrent of self-assembly sub-millimeter-sized C60clusters is much slower. 展开更多
关键词 光响应曲线 光电导特性 微米 C60 团簇 晶须 微细加工技术 紫外可见
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A chain-type diamine strategy towards strongly anisotropic triiodide of DMEDA·I6 被引量:1
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作者 Li Yao Peng Xu +6 位作者 Wanru Gao Junze Li Liang Gao Guangda Niu Dehui Li Shiyou Chen Jiang Tang 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2020年第4期566-574,共9页
Linearly bonded triiodide chains with fairly small distance between the adjacent iodine ions feature a facile electron transfer and highly anisotropic properties.Here,we demonstrate a novel strategy towards a new one-... Linearly bonded triiodide chains with fairly small distance between the adjacent iodine ions feature a facile electron transfer and highly anisotropic properties.Here,we demonstrate a novel strategy towards a new one-dimensional linear triiodide DMEDA·I6,using chain-type N,N'-dimethylethanediamine(DMEDA)cation to coordinate triiodine ions.This triiodide has the shortest distance between adjacent I3^- and good linearity.An estimated electronic band gap of1.36 e V indicates its semiconducting properties.100 fold differences both in polarization-sensitive absorption and effective mass were achieved by simulation,with directions parallel and perpendicular to the a-axis of DMEDA·I6.The DMEDA·I6 single crystal-based photodetectors show a good switching characteristic and a distinct polarization-sensitive photoresponse with linear dichroic photodetection ratio of about 1.9.Strongly anisotropic features and semiconducting properties of DMEDA·I6 make this triiodide system an interesting candidate for polarization related applications. 展开更多
关键词 triiodide semiconductor polarization-sensitive detection linear dichroism
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