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入射光调制对Ce：KNSBN晶体两波耦合的影响 被引量：2
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作者 李盼来 郭庆林 +4 位作者 李红莲 王志军 张金平 梁宝来 庞立斌 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期585-588,共4页
研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf... 研究了入射光调制条件下Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程.结果表明,入射光调制抑制了光扇噪音对Ce∶KNSBN晶体两波耦合动态过程的影响,提高了透射信号光强度.同时研究了入射光光强比Ip/Is及入射光总光强Io对最佳调制频率及增益改善Gm/Gf的影响.结果显示,同一Io下,Ip/Is为100时,Gm/Gf到达峰值1.52,对应的最佳调制频率为150Hz;同一Ip/Is下,Io为57mW/cm2时,Gm/Gf最大为1.53,对应的最佳调制频率为175Hz. 展开更多
关键词 CE:KNSBN晶体 两波耦合 光扇效应 入射光调制
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