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一种新型CMOS集成降压源IP模块的设计
被引量:
2
1
作者
谢芳
戴庆元
《电子器件》
CAS
2009年第6期1027-1030,共4页
目前很多热插拔接口芯片,采用低电压短沟道工艺,从5 V电压得到3.3 V和1.2 V电压的稳压器就成为芯片的一部分。稳压器主要由带隙基准(BGR)、缓冲器、局部电压镜像和全局电流镜像组成。利用Spectre对降压源仿真表明:不带负载功耗280μA;3....
目前很多热插拔接口芯片,采用低电压短沟道工艺,从5 V电压得到3.3 V和1.2 V电压的稳压器就成为芯片的一部分。稳压器主要由带隙基准(BGR)、缓冲器、局部电压镜像和全局电流镜像组成。利用Spectre对降压源仿真表明:不带负载功耗280μA;3.3 V输出偏差在3.5%内,负载电阻下限200Ω;1.2 V输出偏差在4%以内,负载电阻下限73.5Ω。该减压源IP模块采用0.13μm CMOS工艺实现,具有实用性。
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关键词
降压
源
带隙基准
低功耗
共源输出
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职称材料
题名
一种新型CMOS集成降压源IP模块的设计
被引量:
2
1
作者
谢芳
戴庆元
机构
上海交通大学微米/纳米加工技术国家重点实验室
出处
《电子器件》
CAS
2009年第6期1027-1030,共4页
文摘
目前很多热插拔接口芯片,采用低电压短沟道工艺,从5 V电压得到3.3 V和1.2 V电压的稳压器就成为芯片的一部分。稳压器主要由带隙基准(BGR)、缓冲器、局部电压镜像和全局电流镜像组成。利用Spectre对降压源仿真表明:不带负载功耗280μA;3.3 V输出偏差在3.5%内,负载电阻下限200Ω;1.2 V输出偏差在4%以内,负载电阻下限73.5Ω。该减压源IP模块采用0.13μm CMOS工艺实现,具有实用性。
关键词
降压
源
带隙基准
低功耗
共源输出
Keywords
drop-out voltage regulator
bandgap reference
low power dissipation
common source output
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
一种新型CMOS集成降压源IP模块的设计
谢芳
戴庆元
《电子器件》
CAS
2009
2
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