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气体介质临界击穿电场强度计算方法综述 被引量:2
1
作者 黄青丹 刘静 +2 位作者 曾炼 王勇 张亚茹 《电器与能效管理技术》 2019年第12期1-7,共7页
气体绝缘性能是气体的重要属性,对电力设备的绝缘设计具有重要意义。衡量气体绝缘性能的指标中,最具代表性的是气体的临界击穿电场强度。国内外很多学者对气体介质临界击穿电场强度的计算开展了大量的研究工作,对目前现有的计算方法进... 气体绝缘性能是气体的重要属性,对电力设备的绝缘设计具有重要意义。衡量气体绝缘性能的指标中,最具代表性的是气体的临界击穿电场强度。国内外很多学者对气体介质临界击穿电场强度的计算开展了大量的研究工作,对目前现有的计算方法进行了系统的分类并分别进行了阐述。最后,提出了进一步研究的具体方向。 展开更多
关键词 绝缘性能 临界击穿电场强度 电子崩模型 电子动力学 离子动力学
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强电负性气体特征值与击穿电场强度的研究 被引量:1
2
作者 李正瀛 《中国科学(A辑)》 CSCD 1992年第4期442-448,共7页
本文讨论了强电负性气体及其混合气体的临界击穿电场强度,特别是混合气体临界击穿电场强度的变化规律.这些变化可归纳为线性关系、协同关系、正协同关系和负协同关系4种类型.同时,还讨论了多种强电负性气体及其混合气体的特征值,以及这... 本文讨论了强电负性气体及其混合气体的临界击穿电场强度,特别是混合气体临界击穿电场强度的变化规律.这些变化可归纳为线性关系、协同关系、正协同关系和负协同关系4种类型.同时,还讨论了多种强电负性气体及其混合气体的特征值,以及这些特征值与临界击穿电场强度之间的关系. 展开更多
关键词 电负性气体 击穿电场强度 特征值
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等价掺杂转换理论预示扩散 -外延穿通P-N结的击穿电压和击穿峰值电场强度(英文)
3
作者 何进 张兴 +1 位作者 黄如 王阳元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期256-260,共5页
基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算扩散 -外延穿通 P- N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果 .介绍了等价掺杂转换方法的基本理论 ,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计... 基于等价掺杂转换理论的应用 ,得到了解析计算扩散 -外延穿通 P- N结击穿电压和击穿峰值电场强度的一系列结果 .介绍了等价掺杂转换方法的基本理论 ,然后运用该理论得到了用于低压功率器件优化设计的系列击穿电压和击穿峰值电场强度计算公式 ,并正确地预示了最大击穿电压和击穿峰值电场强度的位置 . 展开更多
关键词 扩散-外延穿通P-N结 击穿电压 击穿峰值电场强度 等价掺杂转换方法
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界面黏接对软电介质薄膜临界击穿场强影响的试验研究
4
作者 邵一哲 《应用力学学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第1期140-147,共8页
软电介质薄膜因模量低、可大变形、适应性强等特点,被广泛应用于电气和电子系统中。但由于材料的介电常数较低,通常需要在较高的电场环境下服役。在高电场环境下,软电介质薄膜易产生失稳和电击穿破坏,影响着材料的应用范围和稳定性。本... 软电介质薄膜因模量低、可大变形、适应性强等特点,被广泛应用于电气和电子系统中。但由于材料的介电常数较低,通常需要在较高的电场环境下服役。在高电场环境下,软电介质薄膜易产生失稳和电击穿破坏,影响着材料的应用范围和稳定性。本研究针对电极对软电介质薄膜有无约束两种情况对此类器件的稳定性展开了研究:首先定量描述了电极对电介质无约束时,电压加卸载过程中失稳形貌的演化规律;其次讨论了例如氯化锂水凝胶等软电极对薄膜力电失稳的抑制,并利用化学黏接的方式增强水凝胶电极对电介质薄膜的约束,提升了电介质薄膜的临界击穿场强。 展开更多
关键词 软电介质薄膜 表面失稳 界面黏接 电场击穿强度
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液氮环境中3种聚合物薄膜老化和拉伸状态下的绝缘强度 被引量:3
5
作者 杨鑫 李卫国 +3 位作者 郭昱延 魏斌 张宏杰 丘明 《电网技术》 EI CSCD 北大核心 2013年第3期759-764,共6页
用于超导设备的薄膜型绝缘材料绕包于导体时往往承受一定的绕包张力,且由于工作环境温度的变化、机械应力等作用会发生老化。为研究薄膜型绝缘材料在液氮环境中老化拉伸状态下的绝缘强度,设计了一套测试电极系统对聚酰亚胺(Kapton)、聚... 用于超导设备的薄膜型绝缘材料绕包于导体时往往承受一定的绕包张力,且由于工作环境温度的变化、机械应力等作用会发生老化。为研究薄膜型绝缘材料在液氮环境中老化拉伸状态下的绝缘强度,设计了一套测试电极系统对聚酰亚胺(Kapton)、聚丙烯层压纸(PPLP)和聚四氟乙烯(PTFE)3种薄膜在液氮中经过不同老化处理后拉伸状态下的工频和直流绝缘强度进行了实验研究,结果发现老化拉伸状态下交、直流击穿电场强度大多在较小幅度内发生变化,而经过冷热循环处理后的聚丙烯层压纸交流、直流击穿电场强度均发生了跳跃性地下降,因而在选择聚丙烯层压纸作为超导电力设备的绕包型绝缘材料时,应充分考虑工作温度剧烈变换导致的材料老化因素的影响。3种材料的直流击穿电场强度要普遍高于交流击穿电场强度。 展开更多
关键词 液氮环境 薄膜型绝缘材料 老化拉伸状态 直流击穿电场强度 交流击穿电场强度
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基于AlN钝化层的异面GaAs光电导开关初步研究
6
作者 杨光晖 杨迎香 +2 位作者 程骏 吴小帅 胡龙 《通讯世界》 2024年第2期196-198,共3页
为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了Al... 为解决GaAs光电导开关(PCSS)电极接触区局部高电场和热累积效应的问题。引入高热导率、高临界击穿电场强度及热稳定性优的AlN薄膜钝化GaAs PCSS,探索了AlN薄膜的制备工艺,分析了其元素成分、折射率及特征击穿电场强度(Eb)。同时制备了AlN-GaAs PCSS,分析了不同偏置电压下PCSS的瞬态特性,探究了GaAs PCSS的损伤机制。结果表明,溅射功率为40 W、Ar:N2比为24:2、压强为0.8 Pa时,AlN薄膜的质量最优;在905 nm、2μJ、50 kV/cm下,AlN-GaAs PCSS输出幅值为9.6 kV、上升时间为450 ps、脉冲宽度为2.3 ns,初步验证AlN薄膜的引入在提升GaAs PCSS可靠性方面具有可行性。 展开更多
关键词 GaAs PCSS ALN薄膜 钝化 瞬态特性 特征击穿电场强度
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运行高压交联聚乙烯电力电缆的介电性能 被引量:52
7
作者 朱晓辉 孟峥峥 +2 位作者 王浩鸣 薛程 杜伯学 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第4期1090-1095,共6页
为探究高压交联聚乙烯(XLPE)电力电缆在运行一段时期后的绝缘性能变化表征及老化程度判别依据,对新电缆、实际运行年限为2 a、5 a、9 a和12 a的220 k V高压XLPE电缆绝缘的介质损耗因数频谱、氧化诱导期和工频击穿电场强度等进行了研究... 为探究高压交联聚乙烯(XLPE)电力电缆在运行一段时期后的绝缘性能变化表征及老化程度判别依据,对新电缆、实际运行年限为2 a、5 a、9 a和12 a的220 k V高压XLPE电缆绝缘的介质损耗因数频谱、氧化诱导期和工频击穿电场强度等进行了研究。对实际不同运行年限的电缆样本进行了轴向切片处理,制取了表面平整、厚度为1 mm的片状试样并进行了测试。试验发现:XLPE的低频介质损耗因数与老化程度存在对应关系,当频率在0.1 Hz以下时,介质损耗角正切值(tanδ)随老化程度而呈现明显线性上升趋势;随着运行年限的增长,XLPE电缆的氧化诱导期(OIT)与羰基指数这2项参数均同时增大;当运行年限达到约5 a和12 a时,XLPE电缆的击穿电场强度明显下降,运行年限为12 a电缆的击穿电场强度比新电缆的降幅可达约13%。对以上参数的测量都可以作为评估运行XLPE电缆老化状态的有效手段,其中测试运行XLPE电缆的绝缘击穿电场强度变化情况可以反映其综合老化程度,是适合于实际工程应用的简单有效方法。 展开更多
关键词 交联聚乙烯 运行电力电缆 老化 介电性能 氧化诱导期 击穿电场强度
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纳米氮化铝改性对芳纶1313绝缘纸介电特性的影响 被引量:15
8
作者 柏舸 廖瑞金 +3 位作者 刘娜 柳海滨 杨丽君 Shakeel Akram 《高电压技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期461-467,共7页
聚合物纳米复合材料因其优良的介电性能在电介质绝缘领域得到了广泛的应用。为获得性能优良的绝缘纸,将纳米氮化铝(AlN)添加到芳纶1313中。将改性后的绝缘纸进行浸油处理,研究了AlN对油浸芳纶1313介电性能的影响。结果表明:纳米Al N能... 聚合物纳米复合材料因其优良的介电性能在电介质绝缘领域得到了广泛的应用。为获得性能优良的绝缘纸,将纳米氮化铝(AlN)添加到芳纶1313中。将改性后的绝缘纸进行浸油处理,研究了AlN对油浸芳纶1313介电性能的影响。结果表明:纳米Al N能有效降低绝缘纸的电导电流,以及提升其交流击穿电场强度;同时Al N能够抑制空间电荷向介质内的注入、迁移和积聚,使绝缘纸内空间电荷分布更加均匀。另外聚合物纳米材料的界面特性使得改性后绝缘纸的相对介电常数和介电损耗值有所升高,介损松弛峰值也向低频段移动。芳纶1313/Al N油浸绝缘纸介电性能的变化归因于纳米粒子与聚合物之间的界面效应使界面区域陷阱浓度和深度增大,限制了电荷的运动。 展开更多
关键词 芳纶1313 氮化铝 空间电荷 介电特性 抗张强度 击穿电场强度
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超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸 被引量:8
9
作者 唐慧丽 何诺天 +7 位作者 罗平 郭超 李秋 吴锋 王庆国 潘星宇 刘波 徐军 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2533-2534,共2页
氧化镓(β—Ga2O3)单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍... 氧化镓(β—Ga2O3)单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上. 展开更多
关键词 宽禁带半导体 β-Ga2O3 单晶生长 氧化物半导体 击穿电场强度 禁带宽度 透过特性 GaN
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纳米AlN改性对干式变压器环氧树脂绝缘性能的影响 被引量:27
10
作者 王有元 王施又 +2 位作者 陆国俊 黄炎光 易鹭 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第7期174-180,共7页
聚合物纳米复合材料因其优良的电气绝缘性能在电介质绝缘领域得到了广泛应用。为了获得性能优良的环氧树脂绝缘材料,将采用硅烷偶联剂进行表面处理后的纳米Al N颗粒加入环氧树脂绝缘材料中,采用溶液共混法制备了Al N质量分数分别为0%、0... 聚合物纳米复合材料因其优良的电气绝缘性能在电介质绝缘领域得到了广泛应用。为了获得性能优良的环氧树脂绝缘材料,将采用硅烷偶联剂进行表面处理后的纳米Al N颗粒加入环氧树脂绝缘材料中,采用溶液共混法制备了Al N质量分数分别为0%、0.5%、1%、3%、5%、7%的Al N/环氧树脂复合材料,研究了不同Al N质量分数对Al N/环氧树脂复合材料绝缘性能的影响。结果表明,树脂基体和Al N填料之间实现了有效的结合,提高了环氧树脂的热稳定性;Al N的加入一定程度上减小了复合材料的体积电阻率,并且增大了复合材料的介质损耗因数,但对复合材料电气绝缘性能的影响较小;当纳米Al N颗粒质量分数为3%时,Al N/环氧树脂复合材料的交流击穿电场强度最大。因此,添加适量纳米Al N颗粒能够提高干式变压器环氧树脂的电气绝缘性能。 展开更多
关键词 纳米AlN 环氧树脂 体积电阻率 介质损耗因数 交流击穿电场强度
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Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响
11
作者 陈洪存 王矜奉 李明明 《电子元器件应用》 2002年第7期17-18,共2页
研究了Sb_2O_3和In_2O_3对ZnO压敏电阻器性能的影响。适当添Sb_2O_3和In_2O_3可全面提高ZnO压敏电阻器的性能,使其击穿电场强度达326V/mm,漏电流小于1μA,非线性系数α值达107,通流量高达4kA/cm^2。
关键词 非线性系数 漏电流 击穿电场强度 三氧化铅 三氯化二铟 氧化锌压敏电阻
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氮化镓材料在传感器中的应用
12
作者 刘义鹤 江洪 《新材料产业》 2017年第5期2-3,共2页
氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等,GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高,具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定胜。氮化镓材料与硅、砷化镓材料的电子性... 氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第3代半导体。相较于硅、砷化镓等,GaN的禁带宽度更大、击穿电场强度更高,具有更高的电子饱和度和漂移速率、更强的抗辐照能力以及较强的化学稳定胜。氮化镓材料与硅、砷化镓材料的电子性能对比如表1所示。 展开更多
关键词 氮化镓材料 宽带隙半导体材料 传感器 砷化镓材料 应用 击穿电场强度 禁带宽度 漂移速率
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静电场中多孔PZT95/5铁电陶瓷的通道电-机械击穿模型及分析 被引量:2
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作者 蒋一萱 王省哲 贺红亮 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期680-685,共6页
作为爆电电源的多孔PZT95/5铁电陶瓷具有极为重要的工程应用背景,但它在强电场作用下易发生电击穿失效,从而影响其放电效率,甚至造成电源失效。基于多孔PZT95/5铁电陶瓷材料在外电场作用下内部形成导电通道以致电失效的机制,通过通道内... 作为爆电电源的多孔PZT95/5铁电陶瓷具有极为重要的工程应用背景,但它在强电场作用下易发生电击穿失效,从而影响其放电效率,甚至造成电源失效。基于多孔PZT95/5铁电陶瓷材料在外电场作用下内部形成导电通道以致电失效的机制,通过通道内部局部放电及通道电-机械击穿机理,建立了导电通道诱导的多孔铁电陶瓷的电击穿模型并进行了相关的理论分析。基于本模型,给出了不同孔隙率下铁电陶瓷的电击穿临界电场强度,预测结果与实验测试结果吻合良好,且材料孔隙率越大,内部电击穿通道的特征尺寸越大,导致铁电陶瓷材料的电击穿临界场强显著降低。 展开更多
关键词 多孔PZT95/5铁电陶瓷 击穿电场强度 导电通道 孔隙率
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Study on the Mathematical Model of Dielectric Recovery Characteristics in High Voltage SF6 Circuit Breaker 被引量:13
14
作者 林莘 王飞鸣 +2 位作者 徐建源 夏亚龙 刘卫东 《Plasma Science and Technology》 SCIE EI CAS CSCD 2016年第3期223-229,共7页
According to the stream theory,this paper proposes a mathematical model of the dielectric recovery characteristic based on the two-temperature ionization equilibrium equation.Taking the dynamic variation of charged pa... According to the stream theory,this paper proposes a mathematical model of the dielectric recovery characteristic based on the two-temperature ionization equilibrium equation.Taking the dynamic variation of charged particle's ionization and attachment into account,this model can be used in collaboration with the Coulomb collision model,which gives the relationship of the heavy particle temperature and electron temperature to calculate the electron density and temperature under different pressure and electric field conditions,so as to deliver the breakdown electric field strength under different pressure conditions.Meanwhile an experiment loop of the circuit breaker has been built to measure the breakdown voltage.It is shown that calculated results are in conformity with experiment results on the whole while results based on the stream criterion are larger than experiment results.This indicates that the mathematical model proposed here is more accurate for calculating the dielectric recovery characteristic,it is derived from the stream model with some improvement and refinement and has great significance for increasing the simulation accuracy of circuit breaker's interruption characteristic. 展开更多
关键词 高压SF6断路器 数学模型 恢复特性 介质 击穿电场强度 压力条件 计算结果 平衡方程
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高载流量柔性直流电缆绝缘料关键性能研究 被引量:6
15
作者 朱智恩 曾浩 +4 位作者 杨黎明 高凯 李栋 陈龙啸 王传博 《电力工程技术》 北大核心 2021年第4期149-154,共6页
为实现高压柔性直流电缆绝缘材料国产化,文中通过添加纳米粒子方法制备了高载流量(工作温度90℃)柔性直流电缆绝缘料试样,开展了空间电荷、电阻率、直流击穿电场强度等关键电气性能指标的试验研究,并与高压交流电缆绝缘料和国外柔直电... 为实现高压柔性直流电缆绝缘材料国产化,文中通过添加纳米粒子方法制备了高载流量(工作温度90℃)柔性直流电缆绝缘料试样,开展了空间电荷、电阻率、直流击穿电场强度等关键电气性能指标的试验研究,并与高压交流电缆绝缘料和国外柔直电缆绝缘料这2种材料的相应试验结果进行了对比分析。结果表明,该柔直电缆绝缘料在常温(20℃)和高温(90℃)下具有良好的空间电荷抑制性能,电场畸变率小于5%;与其他2种材料相比,该绝缘料在高温下的电阻率增加约10倍、电阻率温度系数下降约1/3,能够降低柔直电缆的热损耗并有利于整个柔直电缆系统的绝缘设计;该绝缘料在高温下的直流击穿电场强度为其他2种材料的1.27-1.6倍。研究表明,该柔直电缆绝缘料电气性能优异,能够用于工作温度90℃的柔直电缆绝缘。 展开更多
关键词 高载流量 柔性直流电缆绝缘料 空间电荷 电阻率 直流击穿电场强度
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氟化温度对聚醚酰亚胺结构及性能的影响
16
作者 柯昌凤 刘文元 +2 位作者 霍艳坤 段荔 陈昌华 《现代应用物理》 2019年第3期72-76,共5页
研究了不同温度下表面氟化对聚醚酰亚胺(PEI)薄膜表面形貌、微观结构、耐热性能和绝缘性能的影响。结果表明,氟化后,在PEI薄膜表面形成了C-F键,当氟化温度高于40℃时,在PEI膜表面出现了明显的表面缺陷,PEI薄膜发生了分子链交联反应。PE... 研究了不同温度下表面氟化对聚醚酰亚胺(PEI)薄膜表面形貌、微观结构、耐热性能和绝缘性能的影响。结果表明,氟化后,在PEI薄膜表面形成了C-F键,当氟化温度高于40℃时,在PEI膜表面出现了明显的表面缺陷,PEI薄膜发生了分子链交联反应。PEI薄膜的直流击穿电场强度随氟化温度的升高呈先增加后降低的变化规律,在30℃氟化后,PEI薄膜的击穿电场强度达到最大值539 kV·mm-1,该值较氟化前PEI薄膜的击穿电场强度提高了约30%。氟化过程中产生的氟原子取代反应和交联反应,可能是PEI薄膜击穿电场强度提高的主要原因。 展开更多
关键词 聚醚酰亚胺 表面氟化 击穿电场强度 动态热力学性能
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最新技术
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《家电科技》 2013年第7期18-18,共1页
6月20日,三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块。与硅(Si)材料相比,禁带宽度是Si的3倍,临界击穿电场强度是si的10倍,电子饱和速率是Si的2倍。SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。三菱电... 6月20日,三菱电机发布了一系列碳化硅(SiC)功率模块。与硅(Si)材料相比,禁带宽度是Si的3倍,临界击穿电场强度是si的10倍,电子饱和速率是Si的2倍。SiC功率器件具有关断拖尾电流极小、开关速度快、损耗低、耐高温的特性。三菱电机发布的SiC功牢模块包括用于变频空调的600V/15A混合SiCDIPIPMTM、600V/20A混合SiCDIPPFCTM、600V/20A全sicDIPPFCTM,用于工业设备的1200V/75A混合SiC.IPM、600V/200A混合SiC—IPM等。另外,三菱电机还将同步展出多个系列的新型功率模块, 展开更多
关键词 最新技术 功率模块 三菱电机 击穿电场强度 SIC 禁带宽度 拖尾电流 功率器件
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10 kV级三相SiC逆变器的开发
18
作者 杨钦慧 《电世界》 2007年第1期52-52,共1页
1SiC半导体元件的优势 目前,大功率半导体往往采用硅(Si)材料,但Si的开发已达到物理极限,要再大幅度提高其性能较困难。碳化硅(SiC)材料的性能与Si相比,绝缘击穿电场强度约为Si的3倍,电子饱和速度约为Si的2倍。SiC物理性能优... 1SiC半导体元件的优势 目前,大功率半导体往往采用硅(Si)材料,但Si的开发已达到物理极限,要再大幅度提高其性能较困难。碳化硅(SiC)材料的性能与Si相比,绝缘击穿电场强度约为Si的3倍,电子饱和速度约为Si的2倍。SiC物理性能优越,如采用SiC制成大功率半导体元件,性能将会有很大提高。比如,与Si元件构造差不多的SiC晶体管从原理上讲,可使耐压性能提高约10倍,动作温度提高约3倍,电流密度增大约100倍,开断速度加快约10倍,而损耗可降为1/100。因此,通过使用SiC元件有望使电力变换装置实现高性能、低损耗且小型化。 展开更多
关键词 SIC 开发 逆变器 半导体元件 物理性能 三相 击穿电场强度 电力变换装置
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硫灯中的低功率微波放电
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作者 沈维明 《光源与照明》 1996年第1期8-8,共1页
为发展高光效的实用新型无极电光源,近来运用微波能量馈人硫氢混合气中放电得到了实现(1.2)。这种光源具有类似日光的光谱和高的生态学质量。为了推广这种光源的应用,必需研究向含有不同浓度的硫氢混合气体的石英玻壳内,输入较低的微波... 为发展高光效的实用新型无极电光源,近来运用微波能量馈人硫氢混合气中放电得到了实现(1.2)。这种光源具有类似日光的光谱和高的生态学质量。为了推广这种光源的应用,必需研究向含有不同浓度的硫氢混合气体的石英玻壳内,输入较低的微波能量来激发放电的可能性。用X波段的磁控管产生功率为6W的微波(波长为3Cm),可以用来激发波导终端的球形灯泡。 我们知道氩气压力从1吨增加到7吨时,击穿电场强度以60v/cm提高到100v/cm。设计中波导终端电场强度设为35v/cm,在这种临界条件下,需要用30千伏的外部火花放电器来产生出氢等离子体辐射短暂的红光。然而只要向充有硫氩混合气的玻壳内输入功率为3W的微波,就足以维持稳定的长时间放电并产生白色的硫灯光谱。其硫灯泡壳的外表温度不超过150℃。 选择最佳频率范围对放电的激励是很重要。为此,我们必须设定三个长度:自由程长度、电子振荡振幅和与灯泡直径成比例的扩散长度。如果压力在1~10托范围内。 展开更多
关键词 低功率微波 最佳频率范围 硫灯 微波能量 击穿电场强度 气中放电 灯泡直径 石英玻壳 扩散长度 临界条件
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观点
20
作者 张志楠 《张江科技评论》 2022年第1期5-7,共3页
发展宽禁带半导体不能只拿来不创新,宽禁带半导体(又称第三代半导体)器件和材料产业已在国内外开始部署。近年来,迅速发展起来的(超)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智... 发展宽禁带半导体不能只拿来不创新,宽禁带半导体(又称第三代半导体)器件和材料产业已在国内外开始部署。近年来,迅速发展起来的(超)宽禁带半导体材料是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”,在半导体照明、新一代移动通信、智能电网等领域具有广阔的应用前景,有望成为支撑信息、能源、交通、国防等产业发展的重点新材料。中国科学院院士、西安电子科技大学教授郝跃介绍,宽禁带半导体最明显的特征是它的半导体禁带宽度宽,在材料的性质方面更接近绝缘体。因此,以氮化镓和碳化硅为代表的这类宽禁带半导体材料拥有击穿电场强度高、工作温度高、器件导通电阻低、电子密度高等优势。目前,宽禁带半导体主要在3个领域有强大的市场竞争力。 展开更多
关键词 中国科学院院士 宽禁带半导体 固态光源 半导体照明 击穿电场强度 西安电子科技大学 导通电阻 射频器件
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