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在小硅化物SIX_4~m(X=H,He,Li,Be,O,F,Ne,Na,Mg,S,Cl,Ar;m=0,±4)中分子成键倾向的从头算研究
1
作者
赵永芳
于文
《高等学校化学学报》
CSCD
北大核心
1994年第6期907-911,共5页
用从头算方法,在HF/STO-3G、HF/3-21G和HF/6-31G水平上研究了小硅化物的成键倾向性。计算结果表明,所研究的分子势能曲线均有稳定的极小值(SiLi_4除外),与已知的稳定分子SiH_4、SiF_4和S...
用从头算方法,在HF/STO-3G、HF/3-21G和HF/6-31G水平上研究了小硅化物的成键倾向性。计算结果表明,所研究的分子势能曲线均有稳定的极小值(SiLi_4除外),与已知的稳定分子SiH_4、SiF_4和SiCl_4比较,含惰性元素的未知分子SiHe、SiNe和SiAr比含碱金属和碱土金属的未知分子SiLi_4、SiNa_4、SiBe和SiMg有较明显的成键可能性,而未知分子SiS介于其间,所以SiHe、SiNe和SiAr有可能成为稳定的新分子的候选对象。
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关键词
硅化物
分子
轨道
分子成键倾向
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职称材料
在小硅化物SiX^m(X=Be、B、C、N、O、F、Ne,m=~4-+2)中分子成键倾向的从头算研究
2
作者
谷廷坤
赵永芳
《原子与分子物理学报》
CSCD
北大核心
1995年第2期195-201,共7页
此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对...
此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。
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关键词
小硅化物
分子
轨道从头算
分子成键倾向
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职称材料
题名
在小硅化物SIX_4~m(X=H,He,Li,Be,O,F,Ne,Na,Mg,S,Cl,Ar;m=0,±4)中分子成键倾向的从头算研究
1
作者
赵永芳
于文
机构
吉林大学原子与分子物理研究所
出处
《高等学校化学学报》
CSCD
北大核心
1994年第6期907-911,共5页
文摘
用从头算方法,在HF/STO-3G、HF/3-21G和HF/6-31G水平上研究了小硅化物的成键倾向性。计算结果表明,所研究的分子势能曲线均有稳定的极小值(SiLi_4除外),与已知的稳定分子SiH_4、SiF_4和SiCl_4比较,含惰性元素的未知分子SiHe、SiNe和SiAr比含碱金属和碱土金属的未知分子SiLi_4、SiNa_4、SiBe和SiMg有较明显的成键可能性,而未知分子SiS介于其间,所以SiHe、SiNe和SiAr有可能成为稳定的新分子的候选对象。
关键词
硅化物
分子
轨道
分子成键倾向
Keywords
Small silicon compounds
Ab initio molecular orbitals
Molecular bonding trends
分类号
O613.72 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
在小硅化物SiX^m(X=Be、B、C、N、O、F、Ne,m=~4-+2)中分子成键倾向的从头算研究
2
作者
谷廷坤
赵永芳
机构
吉林大学原子与分子物理研究所
出处
《原子与分子物理学报》
CSCD
北大核心
1995年第2期195-201,共7页
基金
国家自然科学基金
文摘
此文用从头计算法,在HF、MP2、MP3水平下,使用基组6—31G、6—31+G对SiO的等电子分子SiXm(X=Be、B、C、N、P、Ne,m=-4~+2)进行了几何优化,并计算了相应的平衡几何构型下的振动频率,对SiO分子,使用QCISD(T)方法考虑了不同水平下的电子相关效应,并考虑了不同基函数6-31+G和6-311+G的影响。计算结果表明,所有分子的势能曲线都有稳定的极小值,并且键长与频率在HF、MP2、MP3水平上都呈现出明显的规律性,通过与实验上存在的稳定分子SiO相比较,可以预言NSIi-和SiF+比其它分子有较明显的成键可能性,所以,NSi-和SiF+有可能形成稳定的分子。
关键词
小硅化物
分子
轨道从头算
分子成键倾向
Keywords
Small silicon compound
Ah iniho molecular orbital
Molecular bonding trends
分类号
O561 [理学—原子与分子物理]
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职称材料
题名
作者
出处
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1
在小硅化物SIX_4~m(X=H,He,Li,Be,O,F,Ne,Na,Mg,S,Cl,Ar;m=0,±4)中分子成键倾向的从头算研究
赵永芳
于文
《高等学校化学学报》
CSCD
北大核心
1994
0
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职称材料
2
在小硅化物SiX^m(X=Be、B、C、N、O、F、Ne,m=~4-+2)中分子成键倾向的从头算研究
谷廷坤
赵永芳
《原子与分子物理学报》
CSCD
北大核心
1995
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职称材料
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