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RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
被引量:
1
1
作者
胡国新
孙殿照
+5 位作者
王晓亮
刘宏新
刘成海
曾一平
李晋闽
林兰英
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2001年第3期316-318,共3页
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线...
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6arcmin .;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730cm2 /Vs ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 12 cm-2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0mS/mm (栅长 1微米 ) ,截止频率达 13 .2 5GHz(栅长 0 .5微米 ) ,可在 30
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关键词
RF-MBE
二维电子材料
ALGAN/GAN
半导体材料
分子束处延生长
氮化镓
铝镓氮三元合金
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职称材料
题名
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
被引量:
1
1
作者
胡国新
孙殿照
王晓亮
刘宏新
刘成海
曾一平
李晋闽
林兰英
机构
中国科学院半导体所材料中心
出处
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2001年第3期316-318,共3页
文摘
用射频等离子体辅助分子束外延技术 (RF -MBE)在C面蓝宝石衬底上外延了高质量的GaN膜以及AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料 .所外延的GaN膜室温背景电子浓度为 2× 10 17cm-3 ,相应的电子迁移率为 177cm2 /Vs;GaN (0 0 0 2 )X射线衍射摇摆曲线半高宽 (FWHM)为 6arcmin .;AlGaN/GaN极化感应二维电子气材料的室温电子迁移率为 730cm2 /Vs ,相应的电子气面密度为 7.6× 10 12 cm-2 ;用此二维电子气材料制作的异质结场效应晶体管 (HFET)室温跨导达 5 0mS/mm (栅长 1微米 ) ,截止频率达 13 .2 5GHz(栅长 0 .5微米 ) ,可在 30
关键词
RF-MBE
二维电子材料
ALGAN/GAN
半导体材料
分子束处延生长
氮化镓
铝镓氮三元合金
Keywords
RF-MBE
2DEG
HFET
AlGaN/GaN
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TN304.054 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
RF-MBE生长AlGaN/GaN二维电子气材料
胡国新
孙殿照
王晓亮
刘宏新
刘成海
曾一平
李晋闽
林兰英
《材料科学与工艺》
EI
CAS
CSCD
2001
1
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职称材料
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