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低剂量增强CT扫描对乳腺肿瘤的诊断价值及临床意义
1
作者 顾乾 《中文科技期刊数据库（文摘版）医药卫生》 2024年第9期0101-0104,共4页
分析乳腺肿瘤的不同疗效以及通过改进的低剂量CT扫描所得的CT参数。方法 选择了2023年2月至2024年3月间入院的146例乳腺肿瘤患者,所有患者均接受了低剂量CT增强扫描。通过禁忌标准对低剂量CT增强扫描诊断乳腺肿瘤的特定疗效进行了分析... 分析乳腺肿瘤的不同疗效以及通过改进的低剂量CT扫描所得的CT参数。方法 选择了2023年2月至2024年3月间入院的146例乳腺肿瘤患者,所有患者均接受了低剂量CT增强扫描。通过禁忌标准对低剂量CT增强扫描诊断乳腺肿瘤的特定疗效进行了分析。记录并比较了恶性和良性肿瘤患者之间的CT参数差异。结果 在146例乳腺肿瘤患者中,金标准检测到52个恶性节点和94个良性节点。低剂量CT的灵敏度为90.38%,特异性为97.87%,准确性为95.21%。在两组之间的统计学显著差异中,平均通道时间(MTT)为(P>0.05)。结论 本研究结果表明,通过改进的低剂量CT扫描对于乳腺肿瘤的诊断具有较高的准确性和敏感性。然而,CT参数中的平均通道时间(MTT)在恶性和良性肿瘤之间没有显示出统计学显著差异。这些发现为乳腺肿瘤的临床诊断和治疗提供了重要的参考依据。 展开更多
关键词 低剂量增强CT 乳腺肿瘤 诊断价值
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X射线对金硅界面剂量增强效应的模拟研究 被引量：15
2
作者 吴正新 何承发 +6 位作者 陆妩 郭旗 艾尔肯阿不列木 于新 张磊 邓伟 郑齐文 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期8-13,共6页
本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子... 本文以光子与物质的相互作用机制为基础,论述了剂量增强效应的基本原理。用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时X射线入射产生的剂量梯度分布,通过MCNP5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,计算了不同厚度的金在金硅界面的剂量增强因子。计算结果表明:当X射线为30–300 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。金的厚度影响界面附近的剂量增强效果,当金的厚度为0–10 m时,剂量增强因子随金的厚度增大;当金的厚度超过10 m后,剂量增强因子随金厚度的增加而减少。 展开更多
关键词 蒙特卡罗方法 剂量增强因子 界面 能量沉积 体元
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用蒙特卡罗方法计算X射线在酞菁铜与重金属界面的剂量增强系数 被引量：8
3
作者 赵宝奎 赵广义 +2 位作者 周银行 马玉刚 董文斌 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期448-450,共3页
用蒙特卡罗方法计算金-酞菁铜、钨-酞菁铜和钽-酞菁铜界面的剂量增强系数,结果表明，当X射线能量为100～150keV时，界面附近酞菁铜一侧存在较大的剂量增强.
关键词 有机半导体 X射线 剂量增强系数 界面
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X射线对Kovar封装材料的剂量增强效应的Monte-Carlo计算 被引量：5
4
作者 郭红霞 张义门 +5 位作者 陈雨生 周辉 龚建成 吴国荣 林东升 韩福斌 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第5期392-396,共5页
用 Monte- Carlo光子 -电子耦合输运程序计算了真实半导体封装 Kovar结构对不同能量 X射线在硅中的剂量增强因子 ,并与内层不涂金的 Kovar结构进行比较 ,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数 ,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来... 用 Monte- Carlo光子 -电子耦合输运程序计算了真实半导体封装 Kovar结构对不同能量 X射线在硅中的剂量增强因子 ,并与内层不涂金的 Kovar结构进行比较 ,计算了界面处两种结构进入硅的净电子数 ,结果证实了界面处产生的剂量增强主要来自界面处高 Z材料二次电子的贡献 。 展开更多
关键词 剂量增强效应 MONTE-CARLO方法 平衡剂量 损伤增强 半导体 Kovar 封装材料 集成电路 X射线
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X射线对双层封装材料剂量增强效应的影响 被引量：3
5
作者 周银行 马玉刚 +3 位作者 刘少林 孙亮 赵广义 马纯辉 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期637-640,共4页
用Monte Carlo方法计算了双层封装结构A l/Au-Si,Kovar/Au-Si,Au/A l-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较.结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小,并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置... 用Monte Carlo方法计算了双层封装结构A l/Au-Si,Kovar/Au-Si,Au/A l-Si和Au/Kovar-Si对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较.结果确定了半导体器件Si中的剂量增强灵敏区大小,并且得到了这四种封装结构在Si中灵敏区不同位置处的剂量增强系数及引起剂量增强的X射线能量范围. 展开更多
关键词 MONTE CARLO方法 X射线 封装材料 剂量增强系数
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几种半导体器件的硬X射线剂量增强效应研究 被引量：3
6
作者 郭红霞 韩福斌 +6 位作者 陈雨生 周辉 贺朝会 谢亚宁 黄宇营 何伟 胡天斗 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第10期811-816,共6页
本文给出了大规模集成电路CMOS4 0 6 9、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置 (BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果。通过实验在线测得CMOS4 0 6 9阈值电压漂移随总剂量的变化 ,测得 2 8f 2 5 6、2 9c2 5 6位错误数随总剂量的变化 ... 本文给出了大规模集成电路CMOS4 0 6 9、浮栅ROM器件在北京同步辐射装置 (BSRF)和钴源辐照的X射线剂量增强效应实验结果。通过实验在线测得CMOS4 0 6 9阈值电压漂移随总剂量的变化 ,测得 2 8f 2 5 6、2 9c2 5 6位错误数随总剂量的变化 ,给出相同累积剂量时X光辐照和γ射线辐照的总剂量效应损伤等效关系。 展开更多
关键词 半导体器件 CMOS EEPROM X射线 剂量增强效应 同步辐射
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用蒙特卡罗方法研究双层重金属与有机半导体界面的X射线剂量增强 被引量：3
7
作者 董文斌 赵广义 +2 位作者 赵宝奎 周银行 马玉刚 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2008年第3期524-527,共4页
用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数,结果表明,X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强.当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2μm)时,厚度为4μm比厚度为2μm的金产... 用蒙特卡罗方法计算不同几何结构的双层重金属对有机半导体界面产生的剂量增强系数,结果表明,X射线在金-酞菁铜-金界面产生与金-酞菁铜界面相似但更大的剂量增强.当半导体层-酞菁铜厚度相同(均为2μm)时,厚度为4μm比厚度为2μm的金产生更大的剂量增强;当金的厚度相同(均为2μm)时,厚度为1μm比厚度为2μm的酞菁铜产生更大的剂量增强. 展开更多
关键词 X射线 有机半导体 剂量增强系数 界面
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Kovar封装CMOS器件X射线剂量增强效应研究 被引量：3
8
作者 罗尹虹 龚建成 +1 位作者 何宝平 郭红霞 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2005年第6期846-848,845,共4页
在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件,在X射线和γ射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压和漏电流... 在器件的金属化层及封装等结构中,高原子序数材料在低能X射线的辐照下,会在相邻的低原子序数材料中产生剂量增强效应,从而使得器件性能严重退化。主要介绍了柯伐封装的CMOS器件,在X射线和γ射线辐照下,其辐照敏感参数阈值电压和漏电流随总剂量的变化关系。并对实验结果进行了比较,得出低能X射线辐照对器件损伤程度大于γ射线,对剂量增强效应进行了有益的探讨。 展开更多
关键词 X射线 总剂量 剂量增强
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N80C196KC20芯片的X射线剂量增强效应 被引量：2
9
作者 杨怀民 徐曦 +4 位作者 邓建红 詹峻岭 赵聚朝 王旭利 袁国火 《核技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第3期198-201,共4页
介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验，测量了电源工作电流ICC，芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低... 介绍大规模集成电路N80C196KC20单片机芯片在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。用Intel公司的N80C196KC20单片机芯片进行X射线、钴源总剂量辐照试验，测量了电源工作电流ICC，芯片的功能失效表征了它的总剂量响应。芯片在较低的总剂量水平发生功能失效，γ失效总剂量-165Gy（Si）。芯片失效时工作电流发生快速增长。实验测量了N80C196KC20单片机芯片的X射线剂量增强系数，研究了剂量增强效应机理。 展开更多
关键词 辐射效应 电离总剂量 计算机芯片 X射线剂量增强
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X射线在重金属-二氧化硅界面的剂量增强的模拟计算 被引量：5
10
作者 牟维兵 陈盘训 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期15-18,共4页
当Ｘ射线射入不同材料组成的界面时，在低Ｚ材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用ＭＣＮＰ蒙特－卡罗程序计算了钨－二氧化硅、钽－二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在Ｘ射线能量为１００～１５... 当Ｘ射线射入不同材料组成的界面时，在低Ｚ材料的一侧将产生剂量增强。介绍了界面剂量增强效应的基本原理，并用ＭＣＮＰ蒙特－卡罗程序计算了钨－二氧化硅、钽－二氧化硅界面的剂量增强因子。计算结果表明在Ｘ射线能量为１００～１５０ｋｅＶ时，界面附近二氧化硅一侧存在较大的剂量增强。 展开更多
关键词 X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子
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剂量增强效应的半经验理论计算 被引量：2
11
作者 何承发 巴维真 +1 位作者 吾勤之 王倩 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期95-99,共5页
采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序。计算了６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因... 采用一种半经验电子输运模型，改进了部分参数计算方法，编制了能够快速计算光子剂量增强效应的计算程序。计算了６０Ｃｏγ射线辐照Ａｕ／Ａｌ界面时Ａｌ中的剂量分布，与实验结果进行了比较，并分析了各种组分的次级电子对剂量增强因子的贡献。 展开更多
关键词 Γ射线 剂量增强因子 钴60
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双层膜结构测量CMOS器件X射线相对剂量增强因子及其理论模拟 被引量：2
12
作者 郭红霞 陈雨生 +6 位作者 张义门 周辉 吴国荣 林东升 韩福斌 关颖 龚建成 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第1期47-51,共5页
首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂... 首次在国内提出了一种双层膜结构相对测量法。用该方法测量了 CMOS器件 X射线的相对剂量增强因子 RDEF(Relative Dose Enhancement Factor)。同时用 Monte- Carlo粒子输运方法计算了实验条件下 Al/ Au/ Si、Au/ Al/ Si结构界面过渡区剂量分布 ,理论模拟与实验验证 ,符合较好。 展开更多
关键词 双层膜结构 剂量增强 粒子输运模拟 相对增强因子 相对测量法 平衡剂量 CMOS器件 X射线 半导体器件 辐射效应
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金属-Si界面剂量增强效应的模拟研究 被引量：3
13
作者 周银行 马玉刚 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期1012-1016,共5页
用Monte Carlo方法计算了封装材料/金属化层-Si结构(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Ko-var/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、China/Schottky-Si、Au/Al-Si、Kovar/Al-Si和China/Al-Si)对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行... 用Monte Carlo方法计算了封装材料/金属化层-Si结构(Au/Au-Si、Au/Schottky-Si、Ko-var/Au-Si、Kovar/Schottky-Si、China/Au-Si、China/Schottky-Si、Au/Al-Si、Kovar/Al-Si和China/Al-Si)对不同能量X射线在Si中的剂量增强系数,并进行比较。并且得到了这九种封装结构在金属-Si界面的剂量增强系数以及引起剂量增强的X射线能量范围。 展开更多
关键词 MONTE CARLO方法 X射线 封装材料 剂量增强
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CMOS 电路 X 射线辐射剂量增强效应 被引量：2
14
作者 陈盘训 周开明 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第7期391-394,共4页
研究了ＣＭＯＳ电路在Ｘ射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应，测量了相对剂量增强系数。对不同工艺ＣＭＯＳ电路的剂量增强系数进行了比较，并对高原子序数材料的Ｘ射线剂量增强机理进行了讨论。
关键词 CMOS电路 X射线 剂量增强 辐射效应 集成电路
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基于mcnp5程序研究^(60)Co γ射线的剂量增强效应 被引量：1
15
作者 吴正新 何承发 +3 位作者 陆妩 艾尔肯.阿不列木 艾克拜尔.吐合提 刘南君 《新疆大学学报（自然科学版）》 CAS 2013年第4期427-430,共4页
用蒙特卡罗方法研究了金和硅交界时60Coγ射线入射产生的剂量梯度分布,并且通过mcnp5程序建立了一个三维的金硅界面结构模型,进而计算了剂量增强因子.计算结果表明:界面附近硅一侧具有明显的剂量梯度分布,界面剂量增强因子为1.76.
关键词 蒙特卡罗方法 剂量增强因子 体元 60Coγ射线
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用蒙特卡罗方法研究X射线在金-硅-金界面的剂量增强效应 被引量：1
16
作者 张建芳 崔光祖 +1 位作者 李明忠 包特木尔巴根 《湖北民族学院学报（自然科学版）》 CAS 2016年第2期224-226,共3页
用蒙特卡罗方法(MCNP)计算不同能量的X射线在Au-Si-Au界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明,界面下的DEF随Au厚度的增加而增大,随Si厚度的增加而减小.同时模拟了单层Au(Au-Si)与双层Au(Au-Si-Au)结构在Si... 用蒙特卡罗方法(MCNP)计算不同能量的X射线在Au-Si-Au界面处产生的剂量增强系数(DEF)与金(Au)和硅(Si)厚度的关系.结果表明,界面下的DEF随Au厚度的增加而增大,随Si厚度的增加而减小.同时模拟了单层Au(Au-Si)与双层Au(Au-Si-Au)结构在Si一侧的DEF,对于结构Au-Si-Au,界面下产生的剂量增强效应更明显. 展开更多
关键词 金 硅 剂量增强 蒙特卡罗方法 X射线
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场效应管X射线剂量增强的实验测量 被引量：3
17
作者 牟维兵 徐曦 杨勇 《中国测试技术》 2008年第5期95-97,共3页
为了实验精确测量场效应管的X射线剂量增强系数,介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程。得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数据计算了其剂量增强系数。剂量增强效应十分明显,IR... 为了实验精确测量场效应管的X射线剂量增强系数,介绍了如何改进剂量增强系数实验测量的方法和实验测量装置,以及实验测量的详细过程。得到了两种不同类型场效应管的辐照数据,根据实验数据计算了其剂量增强系数。剂量增强效应十分明显,IRF540场效应管在阈电压1.5 V时相对剂量增强系数为16,IRF9530要小些,在阈电压为4 V时相对剂量增强系数约7.5。 展开更多
关键词 场效应管 X射线 剂量增强 实验测量 阈电压
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金/硅界面X射线剂量增强效应的Monte Carlo模拟 被引量：1
18
作者 卓俊 黄流兴 +1 位作者 牛胜利 朱金辉 《现代应用物理》 2015年第3期168-172,共5页
通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用Monte Carlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子... 通过建立一个典型的金/硅界面结构模型,对X射线入射界面时的剂量增强效应进行了研究。采用Monte Carlo方法计算了不同能量X射线入射金/硅界面的输运过程。其中,对X射线产生的次级电子在介质中的输运,采用了单次碰撞直接模拟方法;对电子的弹性散射截面和非弹性散射截面,分别采用Mott微分截面和Born近似下的广义振子强度模型计算得到。研究计算了不同能量X射线入射下,金/硅界面的剂量增强系数及特定X射线能量下剂量增强系数随金厚度的变化规律。结果表明:X射线能量为几十至几百keV时,剂量增强效应最明显,最大剂量增强系数对应的X射线能量随距金/硅界面的距离增加而增加;金的厚度影响界面附近剂量增强效果,当X射线能量不变时,剂量增强系数随金的厚度增加而增加,并趋于饱和值。 展开更多
关键词 MONTE CARLO模拟 X射线 低能电子 剂量增强系数
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基于EGSnrc MP模拟计算X射线在重金属和硅界面的剂量增强因子 被引量：1
19
作者 黎亚平 吴丽萍 《辐射防护》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期296-300,共5页
当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附... 当X射线入射到不同材料组成的界面时,在低Z材料的一侧将产生剂量增强。本文介绍了界面剂量增强效应的基本原理,并用蒙特卡罗程序EGSnrcMP模拟计算了钨和硅、钽和硅界面的剂量增强因子。计算结果表明,在X射线能量为30~200 keV时,界面附近硅一侧存在较大的剂量增强效应。 展开更多
关键词 X射线 界面 辐射损伤 剂量增强因子
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X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固 被引量：5
20
作者 陈盘训 《核电子学与探测技术》 CAS CSCD 北大核心 1997年第2期81-85,共5页
本文研究在Ｘ射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法，给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数（ＤＥＦ）。从实验结果出发，指出最佳的屏蔽Ｘ射线的方法。
关键词 X射线 剂量增强系数 电子系统 辐射加固
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