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功率器件封装用Cu-Sn全IMC接头制备及其可靠性研究进展 被引量:1
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作者 胡虎安 贾强 +3 位作者 王乙舒 籍晓亮 邹贵生 郭福 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期62-71,共10页
随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流。但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料,成为了制约行业发展的瓶颈。Cu-Sn全金属间化合物(IMC)因其成... 随着功率半导体器件的服役环境越来越恶劣,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体凭借其优异的高温性能成为行业应用主流。但目前尚缺乏与之相匹配的低成本、耐高温的互连材料,成为了制约行业发展的瓶颈。Cu-Sn全金属间化合物(IMC)因其成本低、导电性好且满足低温连接、高温服役的特点被认为是理想的SiC芯片互连材料之一。针对功率半导体器件封装,对国内外近年来Cu-Sn全IMC接头的制备方法和可靠性进行了分析和综述,并讨论了目前亟待解决的问题和未来的发展趋势。 展开更多
关键词 功率器件封装 全金属间化合物 制备工艺 可靠性
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车用高可靠性功率器件封装及辅助技术专辑主编述评
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作者 梅云辉 宁圃奇 +1 位作者 雷光寅 曾正 《电源学报》 CSCD 北大核心 2024年第3期15-21,共7页
车用功率器件封装研究的进展极大提升了电动汽车的动力性能和续航能力,使得电动汽车更加高效、可靠。随着车用功率器件封装的不断优化,电动汽车行业有望迎来更广阔的市场前景和发展空间。近年来,功率器件封装建模、封装设计与优化、热... 车用功率器件封装研究的进展极大提升了电动汽车的动力性能和续航能力,使得电动汽车更加高效、可靠。随着车用功率器件封装的不断优化,电动汽车行业有望迎来更广阔的市场前景和发展空间。近年来,功率器件封装建模、封装设计与优化、热管理与结温监测、器件驱动与应用、可靠性分析、在线监测等成为研究热点,并受到了学术界及工业界的持续关注。《电源学报》特别推出“车用高可靠性功率器件封装及辅助技术”专辑,以期推进车用功率器件及其应用难点和热点问题的探讨。 展开更多
关键词 车用功率器件封装 封装辅助技术 高可靠性 主编述评
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功率器件封装用纳米浆料制备及其烧结性能研究进展
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作者 杨帆 杭春进 田艳红 《电子与封装》 2021年第3期8-17,共10页
随着SiC、GaN等第三代半导体在大功率器件上的应用,功率器件的工作温度可达到300℃,传统Sn基无铅钎料因为熔点低及钎焊温度高等原因无法满足要求。纳米浆料因其可以实现低温烧结、高温服役的特性吸引了国内外研究者的青睐。从纳米颗粒... 随着SiC、GaN等第三代半导体在大功率器件上的应用,功率器件的工作温度可达到300℃,传统Sn基无铅钎料因为熔点低及钎焊温度高等原因无法满足要求。纳米浆料因其可以实现低温烧结、高温服役的特性吸引了国内外研究者的青睐。从纳米颗粒的合成、纳米浆料的制备、烧结性能以及可靠性等方面综述国内外纳米浆料的研究进展,同时对纳米浆料研究中存在的问题提出一些建议。 展开更多
关键词 功率器件封装 第三代半导体 纳米浆料 低温烧结
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一种半导体分立器件MCP封装结构优化
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作者 潘明东 杨阳 +1 位作者 陈益新 朱悦 《电子质量》 2018年第11期39-41,50,共4页
传统的分立功率器件一直存在封装比低和集成化难度高特点,无法适应当今半导体封装行业高集成化和高密度的发展趋势;该文通过一种新型的铝线劈刀端面设计,可以在铝线或铝带的焊点表面形成一个平面,从而在焊点的平面上实现二次装片或焊线... 传统的分立功率器件一直存在封装比低和集成化难度高特点,无法适应当今半导体封装行业高集成化和高密度的发展趋势;该文通过一种新型的铝线劈刀端面设计,可以在铝线或铝带的焊点表面形成一个平面,从而在焊点的平面上实现二次装片或焊线。通过工艺流程实现了可应用于功率器件的MCP封装工艺设想。 展开更多
关键词 多芯片封装 铝线键合 功率器件封装
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纳米铜焊膏烧结互连技术研究现状与展望 被引量:1
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作者 牟运 彭洋 +1 位作者 刘佳欣 陈明祥 《集成技术》 2023年第5期12-26,共15页
纳米铜焊膏在低温烧结后可形成耐高温、高导电导热同质互连结构,该互连结构不仅可避免锡基焊料层和烧结银层服役过程中出现桥接短路和电迁移的可靠性问题,还可解决异质互连结构热膨胀系数不匹配的问题,在集成电路和功率器件封装领域具... 纳米铜焊膏在低温烧结后可形成耐高温、高导电导热同质互连结构,该互连结构不仅可避免锡基焊料层和烧结银层服役过程中出现桥接短路和电迁移的可靠性问题,还可解决异质互连结构热膨胀系数不匹配的问题,在集成电路和功率器件封装领域具有重要应用价值。近年来,在铜纳米颗粒稳定性和低温烧结性能方面,纳米铜焊膏烧结互连技术取得了重大研究进展。但与纳米银焊膏烧结互连技术相比,纳米铜焊膏的稳定性、低温烧结性能和可靠性仍有较大提升空间。该文从烧结互连机理、烧结工艺调控、铜纳米颗粒表面改性、纳米铜基复合焊膏、互连可靠性和封装应用方面,阐述了纳米铜焊膏烧结互连技术的最新研究进展,并对后续的技术发展和研究思路进行了展望。 展开更多
关键词 纳米铜焊膏 烧结互连 集成电路封装 功率器件封装
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基于纳米铜烧结互连键合技术的研究进展 被引量:4
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作者 史铁林 李俊杰 +2 位作者 朱朋莉 赵涛 孙蓉 《集成技术》 2021年第1期3-13,共11页
第三代半导体与功率器件的快速发展对封装互连技术提出了新的需求,纳米铜、银烧结互连技术因其优异的导电、导热、高温服役特性,成为近年来第三代半导体封装进一步突破的关键技术。其中,纳米铜相较于纳米银烧结具有明显的成本优势和更... 第三代半导体与功率器件的快速发展对封装互连技术提出了新的需求,纳米铜、银烧结互连技术因其优异的导电、导热、高温服役特性,成为近年来第三代半导体封装进一步突破的关键技术。其中,纳米铜相较于纳米银烧结具有明显的成本优势和更优异的抗电迁移性能,然而小尺寸铜纳米颗粒的制备、收集与抗氧化性都难以保证,影响了其低温烧结性能与存储、使用的可靠性。该文回顾了近年来面向第三代半导体与功率器件封装的纳米铜烧结技术的最新研究成果,分析了尺度效应、铜氧化物对烧结温度及扩散的影响,总结了键合表面纳米化修饰、铜纳米焊料的制备与烧结键合、铜纳米焊料氧化物自还原等多项技术的优势与特点,展望了烧结铜技术进一步面向产业化应用的研究方向。 展开更多
关键词 第三代半导体 高温服役 纳米铜烧结 互连键合 功率器件封装
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功率超声微纳电子封装互连技术研究进展 被引量:2
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作者 张文武 潘浩 +2 位作者 马秋晨 李明雨 计红军 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期100-121,共22页
新材料与工艺是推动先进电子制造与封装发展的关键,尤其针对高集成度、高温服役和高可靠性等大功率器件的互连难题,开发出面向高端微电子制造关键“卡脖子”技术的材料与工艺显得尤为紧迫。功率超声具有表面清洁、空化与声流等特性,可... 新材料与工艺是推动先进电子制造与封装发展的关键,尤其针对高集成度、高温服役和高可靠性等大功率器件的互连难题,开发出面向高端微电子制造关键“卡脖子”技术的材料与工艺显得尤为紧迫。功率超声具有表面清洁、空化与声流等特性,可显著提高界面冶金连接能力,能有效克服传统瞬态液相连接反应时间长与温度高的难点,且能破解Cu、Al等金属互连过程中易氧化的痛点问题,并解决了SiC、Al_(2)O_(3)、AlN等陶瓷基板难润湿与纳米颗粒低温烧结驱动力不足的难题。结合本团队在该领域深耕多年的积累,聚焦功率超声应用于微纳连接方向,从超声固相键合、超声复合钎焊和超声纳米烧结互连等三个方面综述了面向电子制造中功率超声微纳连接技术的原理、方法、特点及实际应用场合,并分别从固相连接中引线键合、室温超声金属连接和超声增材制造等领域,到钎焊连接中超声低中高温软钎焊与超声瞬态液相连接等领域,提出适用于超声微纳连接的新型互连技术。最后,针对第三代半导体中大功率器件封装互连的迫切需求提出了超声纳米烧结连接新方法,并开发出具有高效低温连接高温服役的金属纳米焊膏新型互连材料,且对其接头力学、热学、电学,以及可靠性等进行了全面评估,也进一步总结了功率超声微纳连接技术的研究进展及趋势。 展开更多
关键词 微电子封装 功率器件封装 超声固相连接 超声复合钎焊 超声纳米烧结互连
原文传递
High power collimated diode laser stack 被引量:2
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作者 LIU Yuan-yuan 《Optoelectronics Letters》 EI 2006年第3期179-181,共3页
A high power collimated diode laser stack is carried out based on fast-axis collimation and stack packaging techniques. The module includes ten typical continuous wave (cw) bars and the total output power can be up ... A high power collimated diode laser stack is carried out based on fast-axis collimation and stack packaging techniques. The module includes ten typical continuous wave (cw) bars and the total output power can be up to 368W at 48.6A. Using a cylindrical lens as the collimation elements,we can make the fast-axis divergence and the slow-axis divergence are 0. 926 4° and 8. 206° respectively. The light emitting area is limited in a square area of 18.3 mm × 11 mm. The module has the advantage of high power density and offers a wide potential applications in pumping and material processing. 展开更多
关键词 激光二极管 功率 封装技术 光学器件
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电源管理半导体市场继续看好
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作者 《电子产品世界》 2004年第05A期16-16,共1页
关键词 电源管理半导体 市场 电子设备销售 功率封装器件
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