应用半导体技术的固态功率放大器具有体积小和稳定性高等优点,在很多微波应用中取代了传统的真空器件行波管。在所有类型半导体材料中,第三代半导体材料GaN(Gallium Nitride)因为具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电压等优势,被广泛应...应用半导体技术的固态功率放大器具有体积小和稳定性高等优点,在很多微波应用中取代了传统的真空器件行波管。在所有类型半导体材料中,第三代半导体材料GaN(Gallium Nitride)因为具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电压等优势,被广泛应用于功率放大器。基于功率放大器的发展,文中阐述了固态功率放大器的发展历史,总结了GaN技术与其他半导体技术性能的比较,并着重介绍了应用GaN HEMT(GaN High Electron Mobility Transistor)技术的功率放大器。讨论了GaN HEMT功率放大器的各种类型,包括A类、B类、C类、D类和E类等,介绍了应用于GaN功率放大器的效率和线性度提高技术,包括Doherty功率放大器和包络跟踪技术,以及数字预失真技术等,并就相关技术做了总结和对比。展开更多
卫星通信在国民经济、军事及日常生活等领域具有广阔的应用前景。高功率放大器是实现地面通信链路的核心器件,其工作特性直接关系到通信品质,因此高功率放大器的选择及维修非常重要。从各类型高功率放大器的组成结构、工作原理、发展现...卫星通信在国民经济、军事及日常生活等领域具有广阔的应用前景。高功率放大器是实现地面通信链路的核心器件,其工作特性直接关系到通信品质,因此高功率放大器的选择及维修非常重要。从各类型高功率放大器的组成结构、工作原理、发展现状、类型以及适用范围等角度出发,探讨了速调管功率放大器、行波管功率放大器(Traveling Wave Tube Amplifier,TWTA)以及固体功率放大器(Solid State Power Amplifier,SSPA)在卫星通信中的运用,以期为有关技术人员提供参考。展开更多
文摘应用半导体技术的固态功率放大器具有体积小和稳定性高等优点,在很多微波应用中取代了传统的真空器件行波管。在所有类型半导体材料中,第三代半导体材料GaN(Gallium Nitride)因为具有宽禁带、高电子迁移率和高击穿电压等优势,被广泛应用于功率放大器。基于功率放大器的发展,文中阐述了固态功率放大器的发展历史,总结了GaN技术与其他半导体技术性能的比较,并着重介绍了应用GaN HEMT(GaN High Electron Mobility Transistor)技术的功率放大器。讨论了GaN HEMT功率放大器的各种类型,包括A类、B类、C类、D类和E类等,介绍了应用于GaN功率放大器的效率和线性度提高技术,包括Doherty功率放大器和包络跟踪技术,以及数字预失真技术等,并就相关技术做了总结和对比。
文摘卫星通信在国民经济、军事及日常生活等领域具有广阔的应用前景。高功率放大器是实现地面通信链路的核心器件,其工作特性直接关系到通信品质,因此高功率放大器的选择及维修非常重要。从各类型高功率放大器的组成结构、工作原理、发展现状、类型以及适用范围等角度出发,探讨了速调管功率放大器、行波管功率放大器(Traveling Wave Tube Amplifier,TWTA)以及固体功率放大器(Solid State Power Amplifier,SSPA)在卫星通信中的运用,以期为有关技术人员提供参考。
