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突变反型异质结及其双极晶体管的研制
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作者 杨虹 张静 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期166-168,共3页
　文章对突变反型异质结的能带图、接触电势差和势垒区宽度进行了讨论和研究。同时,介绍了基于分子束外延(MBE)法生长的SiGe/Si结构的异质结双极晶体管(HBT)制造工艺,并给出了测试结果。
关键词 分子束外延 硅锗/硅结构 异质结双极晶体管 能带图 突变反型异质结 接触电势差 势垒区宽度 HBT
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