期刊文献+
共找到785篇文章
< 1 2 40 >
每页显示 20 50 100
总投资110亿!衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体等项目开工
1
《变频器世界》 2023年第7期25-25,共1页
7月4日,浙江省委、省政府举行2023年“千项万亿”重大项目集中开工仪式,位于衢州的衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目参加此次省集中开工。衢州智造新城消息显示,衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体... 7月4日,浙江省委、省政府举行2023年“千项万亿”重大项目集中开工仪式,位于衢州的衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目参加此次省集中开工。衢州智造新城消息显示,衢州先导集成电路关键材料与高端化合物半导体及器件模组项目总投资110亿元,位于衢州智造新城高新片区及智造新城东港片区,总用地面积约1038亩。 展开更多
关键词 化合物半导体 用地面积 集成电路 模组 关键材料 重大项目 项目总投资 衢州
下载PDF
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(2)
2
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第7期20-21,共2页
1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1)GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有与Si相似的闪锌矿立方晶系... 1GaAs材料和太阳电池的特点以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池为什么能取得高效率呢?这与它们材料的特性,以及所构成的太阳电池器件的结构有关。1)GaAs是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,具有与Si相似的闪锌矿立方晶系结构,不同的只是Ga和As原子交替占位。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAAS 立方晶系 闪锌矿
下载PDF
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(6)
3
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第11期14-15,共2页
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值(Ga0.93In0.07 N0.023As0.977),既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带... 1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值(Ga0.93In0.07 N0.023As0.977),既能得到约1 eV的带隙,又与GaAs晶格匹配的材料[24].但是,带隙为1 eV的窄带隙Ga1-xInxN1-yAsy材料的质量差,与N相关的本征缺陷多,少子扩散长度小,载流子迁移率低.虽然经过多年的努力,研制出的1 eV的GaInNAs太阳电池的量子效率和短路电流Isc仍不够大. 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 太阳电池 化合物半导体材料 砷化镓 应用 GAINNAS 讲座 少子扩散长度
下载PDF
化合物半导体禁带宽度和熔点的人工神经网络预报 被引量:3
4
作者 张兆春 彭瑞伍 +1 位作者 陈念贻 郭进 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期49-53,共5页
利用经标志样本集训练的人工神经网络对Ⅲ-Ⅴ、Ⅱ-Ⅵ族二元化合物和Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2、Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族三元化合物半导体的禁带宽度和熔点进行了预报。
关键词 化合物半导体 禁带宽度 熔点
下载PDF
化合物半导体材料的光电应用现状 被引量:2
5
作者 郑安生 邓志杰 俞斌才 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第3期563-568,共6页
在整个化合物半导体工业中 ,光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD)、太阳电池 (SC)和光探测器 (PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效... 在整个化合物半导体工业中 ,光电子工业一直占主导地位。本文概述了化合物半导体材料在发光二极管 (LED)、激光二极管 (LD)、太阳电池 (SC)和光探测器 (PD)方面的应用现状及发展趋势。以高亮度LED为基础的固态光源由于有着巨大的经济效益、能源效益和环境效益从而有很好的发展前景。量子结构光电器件由于具有一系列独特性能 ,将越来越受到重视。 展开更多
关键词 化合物半导体材料 光电器件 发光二极管 激光二极管 太阳电池 光探测器 量子结构
下载PDF
II-VI族化合物半导体量子结构材料和器件的研究与发展 被引量:2
6
作者 郝建伟 查钢强 介万奇 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期87-91,共5页
简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量... 简要介绍了量子结构材料与器件中的基本概念,重点介绍了量子结构的定义和量子尺寸效应的能带裁剪工程。以II-VI族化合物半导体为例,介绍了量子尺寸效应对于激子束缚能的影响。以此为基础,综述了II-VI族化合物半导体量子阱、量子点等量子结构材料以及量子结构器件在光电探测、发光器件与太阳能电池领域的研究现状,并总结了II-VI族化合物半导体量子结构材料与器件的发展趋势。 展开更多
关键词 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体 量子结构 激子效应 量子尺寸效应
下载PDF
用正电子研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的缺陷谱 被引量:7
7
作者 王少阶 陈志权 王柱 《武汉大学学报(自然科学版)》 CSCD 2000年第1期67-72,共6页
简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展,包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等.研究表明,在原生半导体材料中存在各种... 简要介绍了本科研组近年来用正电子湮没谱学研究Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体缺陷的最新进展,包括原生样品中缺陷的种类、大小、电荷态、负离子缺陷、缺陷与杂质的相互作用、辐照以及形变引入的缺陷等.研究表明,在原生半导体材料中存在各种缺陷,经过辐照和形变后有单空位、双空位及孔洞形成;在重掺杂材料中,空位还补偿载流子,使载流子发生饱和. 展开更多
关键词 正电子湮没 缺陷 化合物半导体
下载PDF
毫米波化合物半导体材料研究进展 被引量:3
8
作者 时翔 张超 《电子元件与材料》 CAS CSCD 2016年第12期12-16,共5页
毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目... 毫米波集成电路成为毫米波系统应用中必不可少的核心技术,化合物半导体材料砷化镓、磷化铟无疑在毫米波集成电路制造中占据重要地位,继砷化镓、磷化铟占据毫米波芯片衬底材料主流之后,以氮化镓材料为代表的第三代半导体材料逐渐成为目前国际毫米波芯片制造的材料研究热点。本文对以砷化镓、磷化铟、氮化镓为代表的毫米波化合物半导体材料技术及其发展,进行了总结与展望。 展开更多
关键词 毫米波集成电路 化合物半导体 综述 砷化镓 磷化铟 氮化镓
下载PDF
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态 被引量:1
9
作者 郑安生 钱嘉裕 +1 位作者 韩庆斌 邓志杰 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期378-382,共5页
介绍了Ⅲ Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括LEC、VCZ、VGF/VB、HB的发展现状 ;欲生长大直径、高质量单晶 ,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究。目前 ,全世界Ⅲ Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约 5亿美元。
关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 单晶生长 位错 发展动态
下载PDF
单分散性硫族化合物半导体量子点的制备与表征 被引量:1
10
作者 陈良 饶海波 +1 位作者 占红明 陈伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第F11期71-73,共3页
硫族半导体化合物大多具有直接能带结构,是良好的光电功能材料,其量子点具有典型的量子效应。介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点;TEM、XRD UV-Vis吸收谱对硫族量子点的... 硫族半导体化合物大多具有直接能带结构,是良好的光电功能材料,其量子点具有典型的量子效应。介绍了单分散量子点的无机成核/有机包裹的合成方法,通过尺寸选择性沉淀可以得到单分散的量子点;TEM、XRD UV-Vis吸收谱对硫族量子点的表征。 展开更多
关键词 制备与表征 量子点 硫族化合物半导体 单分散性
下载PDF
A^ⅢB^Ⅴ化合物半导体欧姆接触的研究进展 被引量:5
11
作者 许振嘉 丁孙安 《真空科学与技术》 CSCD 1994年第2期71-94,共24页
本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属/半导体接触物理,从理论上阐明了欧姆接触的机理,以及对其表征和测试。其次,文章用大量篇幅,总结了利用不同方法(如重掺技术、金属... 本文全面、系统地评述了A~ⅢB~Ⅴ化合物半导体材料上欧姆接触的研究现状和发展方向。首先考虑金属/半导体接触物理,从理论上阐明了欧姆接触的机理,以及对其表征和测试。其次,文章用大量篇幅,总结了利用不同方法(如重掺技术、金属化和能带工程等)实现各种A~ⅢB~Ⅴ半导体材料上欧姆接触的工艺过程、实验研究和重要结论,其中以GaAs最为详细。结合器件的发展和实际工艺的要求,文章还分析了各种制备方法的优缺点,并指出这方面研究工作目前存在的、急需解决的一些问题。 展开更多
关键词 欧姆接触 化合物半导体
下载PDF
化合物半导体晶片和器件键合技术进展 被引量:1
12
作者 谢生 陈松岩 何国荣 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期366-371,共6页
半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并... 半导体晶片直接键合技术已成为半导体工艺的一门重要技术 ,它对实现不同材料器件的准单片集成、光电子器件的性能改善和新型半导体器件的发展起了极大的推动作用。文中详细叙述了近十年来 - 族化合物半导体键合技术的主要实验方法 ,并对各种键合方法的优缺点进行了比较 ,结合自己的工作对化合物半导体的键合机理和界面特性做了总结 。 展开更多
关键词 晶片直接键合 键合机理 化合物半导体 界面特性 WDB
下载PDF
III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破 被引量:6
13
作者 陈文浚 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第2期97-102,共6页
从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破... 从1954年第一只光电转换效率达到实际应用水平的硅太阳电池在美国贝尔实验室诞生起,光伏技术已有了50多年的发展历史。在上个世纪70年代引发的能源危机刺激下,在空间飞行器能源系统需求的牵引下,这一技术领域内不断取得重要技术突破。晶体硅太阳电池、非晶硅薄膜太阳电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池、Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体多晶薄膜太阳电池等,越来越多的太阳电池技术日趋成熟。光电转换效率的不断提高及制造成本的持续降低,使今天的光伏技术在空间和地面都得到了越来越广泛的应用。 展开更多
关键词 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体 晶体硅太阳电池 光伏技术 硅薄膜太阳电池 光电转换效率 美国贝尔实验室 空间飞行器 级连
下载PDF
III-V族化合物半导体整体多结级连太阳电池——光伏技术的新突破(续) 被引量:3
14
作者 陈文浚 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期259-262,共4页
前面已提到,与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光,都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及AM0/AM1.5G阳光下光生电流密度按单位光子能量绘制的光谱分布曲线[32]。由于在... 前面已提到,与Ge晶格匹配的GaInP2/Ga(In)As/Ge三结电池材料系统无论对于空间还是地面阳光,都不是最理想的选择。图8给出了三级子单纯的外量子效率光谱响应及AM0/AM1.5G阳光下光生电流密度按单位光子能量绘制的光谱分布曲线[32]。由于在Ga(In)As的吸收限(约880nm)以外,太阳光谱中仍有相当丰富的红外光可以被Ge底电池所利用,使其短路电流密度远远高于电流匹配的GaInP2/GaInAs两级顶电池。为了更有效地把太阳光能转变为电能,可以通过改变In/Ga组分比,调低GaInP2/GaInAs两级顶电池的带隙宽度。 展开更多
关键词 太阳电池 化合物半导体 光伏技术 短路电流密度 GAINP 晶格匹配 级连 多结
下载PDF
化合物半导体特性及封装工艺控制 被引量:3
15
作者 周金成 朱光远 李习周 《中国集成电路》 2020年第1期69-74,76,共7页
当今世界信息化进程日新月异,化合物半导体由于它独特的特性而得到快速的发展,已成为现代信息技术的基础材料。本文详细阐述了半导体材料发展历程、分类,第二代、第三代化合物半导体特性及封装工艺控制。讨论对比了不同化合物半导体材... 当今世界信息化进程日新月异,化合物半导体由于它独特的特性而得到快速的发展,已成为现代信息技术的基础材料。本文详细阐述了半导体材料发展历程、分类,第二代、第三代化合物半导体特性及封装工艺控制。讨论对比了不同化合物半导体材料差异与性能优缺点、应用领域和发展前景。从环保安全、工艺应用、工艺控制、封装材料选用等方面总结了化合物半导体封装工艺控制的关键要求。 展开更多
关键词 化合物半导体 砷化镓 氮化镓 碳化硅 封装工艺
下载PDF
化合物半导体薄膜太阳能电池研究现状及进展 被引量:1
16
作者 蒋文波 《西华大学学报(自然科学版)》 CAS 2015年第3期60-66,共7页
薄膜太阳能电池具有节约原材料、衬底成本低、转换效率高、性能稳定等优点,近年来得到了快速发展。本文从发展历史及现状、结构特征及制备方法、优缺点等几个方面对碲化镉薄膜太阳能电池、铜铟硒薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电... 薄膜太阳能电池具有节约原材料、衬底成本低、转换效率高、性能稳定等优点,近年来得到了快速发展。本文从发展历史及现状、结构特征及制备方法、优缺点等几个方面对碲化镉薄膜太阳能电池、铜铟硒薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池、铜锌锡硫薄膜太阳能电池等化合物半导体薄膜太阳能电池进行了对比分析,指出提高转换效率、降低成本、解决实用化过程中的关键问题等是薄膜太阳能电池的发展趋势及挑战。 展开更多
关键词 化合物半导体薄膜太阳能电池 碲化镉 铜铟硒 铜铟镓硒 铜锌锡硫 发展趋势及挑战
下载PDF
化合物半导体光伏电池研究进展 被引量:3
17
作者 邓志杰 王雁 《世界有色金属》 2000年第8期4-6,共3页
综述了化合物半导体材料制备的太阳电池及组件的研究、开发进展。这些材料包括铜铟 (镓 )硒(CuIn(Ga)Se2 )、碲化镉 (CdTe)和Ⅲ -V族化合物。就光伏应用的要求而论 ,这些材料比晶体硅 (c -Si)更为合适 ;这主要是由于 :化合物半导体材料... 综述了化合物半导体材料制备的太阳电池及组件的研究、开发进展。这些材料包括铜铟 (镓 )硒(CuIn(Ga)Se2 )、碲化镉 (CdTe)和Ⅲ -V族化合物。就光伏应用的要求而论 ,这些材料比晶体硅 (c -Si)更为合适 ;这主要是由于 :化合物半导体材料的带隙Eg约 1 40eV(而Si的Eg为 1 1eV) ,且为直接跃迁 (Si为间接跃迁 ) ,从而所制电池与太阳光谱更匹配、对阳光吸收系数更大 ,使得这些材料适合制作薄膜电池 ,电池厚度 2~3μm即可 ;而c -Si电池厚度一般在 2 0 0 μm以上。目前 ,这些化合物电池转换效率的最高值已达 1 8 8%(CIGS)、1 6% (CdTe)和 30 2 8% (InGaP/GaAs)。最后 ,简要介绍了我国在所述PV电池方面的研究现状。 展开更多
关键词 太阳电池 碲化镉 砷化镓 光伏电池 化合物半导体
下载PDF
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4) 被引量:2
18
作者 向贤碧 廖显伯 《太阳能》 2015年第9期18-18,共1页
进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结叠层聚光电池。这里以三结叠层电池为例来说明叠层电池的工作原理。选取3种半导体材料,如GaInP、GaInAs和Ge,
关键词 太阳电池 化合物半导体 Ⅲ-V族 砷化镓 应用 叠层电池 GAINAS 半导体材料
下载PDF
离子注入在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的应用 被引量:2
19
作者 李玉国 薛成山 刘秀喜 《半导体杂志》 1999年第3期51-55,共5页
介绍了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体的特点,论述了离子注入ⅢⅤ族化合物半导体获得n 、p 型及深补偿能级的研究现状,讨论了离子注入ⅢⅤ族化合物后的退火及其保护问题。
关键词 Ⅲ-Ⅴ族 化合物半导体 离子注入 退火 掺杂
下载PDF
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中Co^(2+)的光谱及g因子的研究
20
作者 邬劭轶 李卫 任萍 《四川大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1999年第1期72-76,共5页
采用一种修正的晶体场理论方法研究了3d7离子在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的光谱和EPR谱g因子.此方法考虑了d7离子d电子与配体混合而导致d轨道中e和t2轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对g因子的贡献,用此方法解释... 采用一种修正的晶体场理论方法研究了3d7离子在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的光谱和EPR谱g因子.此方法考虑了d7离子d电子与配体混合而导致d轨道中e和t2轨道畸变的各向异性以及配体旋轨耦合作用对g因子的贡献,用此方法解释了GaP,InP和GaAs中Co2+的光谱和g因子。 展开更多
关键词 光谱 EPR谱 Ⅲ-Ⅴ族化合物 G因子 化合物半导体
下载PDF
上一页 1 2 40 下一页 到第
使用帮助 返回顶部