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用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究 被引量：17
1
作者 梅燕 韩业斌 聂祚仁 《润滑与密封》 CAS CSCD 北大核心 2006年第9期206-212,共7页
化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。重点叙述了CMP技术背景、设备、抛光原理、发展现状、存在的问题以及未来的发展趋势。
关键词 化学机械抛光(cmp)技术 浆料 硅片
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石英晶片化学机械抛光工艺优化
2
作者 贾玙璠 朱祥龙 +3 位作者 董志刚 康仁科 杨垒 高尚 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第1期159-164,共6页
为同时优化化学机械抛光(CMP)后石英晶片平面度和表面粗糙度,进行化学机械抛光协调控制实验。分析了抛光时间、抛光转速和抛光压力对石英晶片平面度和表面粗糙度的影响,确定了最佳工艺参数。研究结果表明:石英晶片平面度和表面粗糙度都... 为同时优化化学机械抛光(CMP)后石英晶片平面度和表面粗糙度,进行化学机械抛光协调控制实验。分析了抛光时间、抛光转速和抛光压力对石英晶片平面度和表面粗糙度的影响,确定了最佳工艺参数。研究结果表明:石英晶片平面度和表面粗糙度都随抛光时间延长而优化,在150 min时,平面度和表面粗糙度都能达到稳定。抛光时间为150 min、抛光盘转速为50 r/min、抛光压力为53.5 N时,能使晶片同时得到较好的平面度和表面粗糙度,此时平面度为2.03μm,表面粗糙度为0.68 nm。 展开更多
关键词 石英晶片 化学机械抛光(cmp) 表面粗糙度 平面度 工艺优化
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用于温度补偿型声表面波滤波器温补层的化学机械抛光工艺
3
作者 冯志博 李湃 +3 位作者 袁燕 史向龙 于海洋 孟腾飞 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2023年第2期320-326,共7页
在制备温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器温补层工艺过程中,温补层薄膜的厚度控制、膜层质量控制和膜厚不均匀性(NU)控制十分重要。对TC-SAW滤波器晶圆的温补层的化学机械抛光(CMP)工艺进行了研究,探讨了不同晶圆背压和保持环压力的比... 在制备温度补偿型声表面波(TC-SAW)滤波器温补层工艺过程中,温补层薄膜的厚度控制、膜层质量控制和膜厚不均匀性(NU)控制十分重要。对TC-SAW滤波器晶圆的温补层的化学机械抛光(CMP)工艺进行了研究,探讨了不同晶圆背压和保持环压力的比值、抛光头转速和抛光盘转速的比值等对温补层的影响,进一步优化工艺参数,并研究了CMP对温补层表面粗糙度的影响。结果表明:采用优化后的工艺参数,即晶圆背压与保持环压力比值约为1.46(晶圆背压为350 g/cm^(3),保持环压力为240 g/cm^(3))、抛光头转速为93 r/min、抛光盘转速为87 r/min时,可以获得厚度稳定、表面均匀性良好、粗糙度为0.4 nm的膜层。最后将TC-SAW滤波器晶圆温补层进行化学机械抛光,得到膜厚为605.4 nm,总厚度偏差(TTV)为62.06 nm,NU为2.54%的温补层表面,最终得到滤波器的温漂系数为-1.478×10^(-5)/℃,可以满足设计要求,提高了滤波器的合格率。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 声表面波滤波器 温补层 膜厚不均匀性 温漂系数
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ULSI硅衬底的化学机械抛光 被引量：31
4
作者 张楷亮 刘玉岭 +2 位作者 王芳 李志国 韩党辉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期115-119,共5页
在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是... 在分析 UL SI中硅衬底 CMP的动力学过程基础上 ,提出了在机械研磨去除产物过程中 ,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程 ,从而提高抛光效率 .在对不同粒径分散度的硅溶胶抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械研磨过程的重要因素 ,而不是单纯受粒径大小的影响 .分析和讨论了 CMP工艺中的几个影响因素 ,如粒径大小与分散度、p H值、温度、流量和浓度等 .采用含表面活性剂和螯合剂的清洗液进行抛光后清洗 ,表面颗粒数优于国际 SEMI标准 。 展开更多
关键词 硅衬底 化学机械抛光(cmp) ULSI 纳米研磨料 动力学过程
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超精度石英玻璃的化学机械抛光 被引量：9
5
作者 王仲杰 王胜利 +2 位作者 王辰伟 张文倩 郑环 《微纳电子技术》 北大核心 2017年第1期48-52,共5页
在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/... 在工作压力为2 psi(1 psi=6 894.76 Pa)、抛光头转速为55 r/min、抛盘转速为60 r/min、流量为50 mL/min的条件下,对3英寸(1英寸=2.54 cm)的石英玻璃(99.99%)进行化学机械抛光(CMP)实验。分别研究了磨料质量分数(4%,8%,12%,16%,20%)、FA/OⅠ型螯合剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)和FA/O型活性剂体积分数(1%,2%,3%,4%,5%)对石英玻璃化学机械抛光去除速率的影响。实验结果表明:随着磨料质量分数增加,石英玻璃去除速率明显提高,从11 nm/min提升到97.9 nm/min,同时表面粗糙度(Ra)逐渐降低,从2.950 nm降低到0.265 nm;FA/OⅠ型螯合剂通过化学作用对去除速率有一定的提高,Ra也有一定程度的减小,能够降低到0.215 nm;FA/O型活性剂的加入会导致去除速率有所降低,但是能够使Ra进一步降低至0.126 nm。最终在磨料、FA/OⅠ型螯合剂、FA/O型活性剂的协同作用下,石英玻璃去除速率达到93.4 nm/min,Ra达到0.126 nm,远小于目前行业水平的0.9 nm。 展开更多
关键词 集成电路 石英玻璃 表面粗糙度 化学机械抛光(cmp) 去除速率
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铜布线化学机械抛光技术分析 被引量：5
6
作者 李秀娟 金洙吉 +2 位作者 苏建修 康仁科 郭东明 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期896-901,共6页
对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组... 对用于甚大规模集成电路(ULSI)制造的关键平坦化工艺———铜化学机械抛光(CMP)技术进行了讨论。着重分析了铜化学机械抛光的抛光过程和相关的影响因素;根据现有的研究成果主要介绍了铜化学机械抛光的化学材料去除机理;在分析抛光液组成成分的基础上,总结了现有的以H2O2 为氧化剂的抛光液和其他酸性、碱性抛光液以及抛光液中腐蚀抑制剂的研究情况;指出了铜化学机械抛光今后的研究重点。 展开更多
关键词 技术分析 化学机械抛光(cmp) 铜布线 甚大规模集成电路 材料去除机理 腐蚀抑制剂 碱性抛光液 研究成果 组成成分 H2O2 研究情况 研究重点 平坦化 重分析 氧化剂
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化学机械抛光过程抛光液作用的研究进展 被引量：13
7
作者 邹微波 魏昕 +2 位作者 杨向东 谢小柱 方照蕊 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2012年第1期53-56,59,共5页
化学机械抛光(CMP)已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密加工技术。抛光液在CMP过程中发挥着重要作用。介绍了CMP过程中抛光液的作用的研究进展,综合归纳了抛光液中各组分的作用,为抛光液的研制和优化原则的制定提供了参考依据。
关键词 化学机械抛光(cmp) 抛光液 材料去除率 表面质量
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磨料对铜化学机械抛光过程的影响研究 被引量：9
8
作者 李秀娟 金洙吉 +1 位作者 康仁科 郭东明 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期431-435,共5页
利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的... 利用CP-4型抛光试验机对直径为50.8 mm、表面沉积厚530 nm的铜硅片(表面粗糙度Ra为1.42 nm)进行化学机械抛光(CM P)试验,评价了CM P过程中不同磨料作用下的摩擦系数和材料去除率;利用ZYGO表面形貌分析系统测试含不同磨料抛光液抛光后的硅片表面粗糙度;采用扫描电子显微镜分析CM P后的铜硅片表面损伤形貌.结果表明,磨料的浓度和粒径直接影响CM P过程的摩擦系数:采用5%粒径25 nm硅溶胶为抛光液时的摩擦系数低于超纯水抛光时的摩擦系数;当磨料的添加量和粒度增加时摩擦系数增大.在相同试验条件下,采用10%粒径25 nm硅溶胶抛光材料的去除率为50.7 nm/m in;粒径为1μm白刚玉磨料的抛光材料去除率为246.3 nm/m in;单纯磨料使铜硅片表面变得粗糙,即用10%粒径25 nm硅溶胶抛光后的表面粗糙度仍大于原始表面(Ra值达3.43 nm);在单纯磨料或超纯水为抛光液抛光下铜硅片表面出现划伤. 展开更多
关键词 铜化学机械抛光(cmp) 摩擦 磨料 材料去除机理
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硅溶胶抛光液稳定性及对SiC化学机械抛光的影响 被引量：5
9
作者 阎秋生 徐沛杰 +1 位作者 路家斌 梁华卓 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第9期664-668,共5页
通过在碱性硅溶胶中添加不同的芬顿试剂配制成不同的硅溶胶抛光液,检测其Zeta电位绝对值的大小,研究不同芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响,进而探究其稳定性对SiC化学机械抛光的影响。实验结果表明,原硅溶胶和加入H_2O_2的硅溶胶抛光液... 通过在碱性硅溶胶中添加不同的芬顿试剂配制成不同的硅溶胶抛光液,检测其Zeta电位绝对值的大小,研究不同芬顿反应试剂对硅溶胶稳定性的影响,进而探究其稳定性对SiC化学机械抛光的影响。实验结果表明,原硅溶胶和加入H_2O_2的硅溶胶抛光液Zeta电位绝对值分别为45和55.5 mV,稳定性好,抛光后的SiC表面形貌也最好,表面粗糙度分别达到0.500 6和0.464 2 nm;而基于芬顿反应的硅溶胶抛光液Zeta电位绝对值为9.88 mV,稳定性极差,抛光后的SiC表面出现大量划痕并伴有晶体剥落,表面粗糙度达到3.666 4 nm。 展开更多
关键词 SIC 化学机械抛光(cmp) 硅溶胶 Zeta电位绝对值 表面粗糙度 稳定性
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SiC晶片双面和单面抛光相结合的化学机械抛光 被引量：2
10
作者 高飞 李晖 程红娟 《微纳电子技术》 北大核心 2020年第6期503-508,共6页
以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点... 以碳化硅(SiC)晶片为加工对象,提出了双面化学机械抛光和单面化学机械抛光相结合的抛光方法。先在双面抛光机上对SiC晶片硅面和碳面同时进行化学机械抛光,然后采用单面抛光机对硅面进行化学机械抛光。研究了此方法加工碳化硅晶片的特点,对比分析了采用此方法与传统单面抛光加工晶片的几何参数。采用表面缺陷测试仪和原子力显微镜检测加工晶片的表面形貌。结果表明,双面抛光5 h后,碳面无划痕,表面粗糙度达到0.151 nm,硅面则存在较多浅划痕,表面出现了一些类似台阶的结构;采用单面抛光工艺对硅面抛光1 h后即可获得具有规则排列原子台阶构型、无划痕的表面;与传统的单面抛光工艺相比,此方法加工晶片的几何参数优异,其中总厚度变化(TTV)值小于1.5μm,局部厚度变化(LTV)值小于0.6μm,翘曲度一致性好。 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(cmp) 单面抛光 双面抛光 几何参数 表面缺陷测试仪
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单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展 被引量：7
11
作者 翟文杰 高博 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第7期1-10,共10页
为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面... 为了解决传统SiC化学机械抛光(CMP)加工效率低的问题,针对单晶SiC表面抛光质量和材料去除率指标,综述了应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶SiC进行化学机械抛光的研究现状;为了提高SiC-CMP的化学和机械两方面作用,对SiC-CMP催化辅助增效技术、SiC电化学机械抛光(ECMP)技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光等增效新技术进行了系统综述;对SiC-CMP及其增效技术进行了分析、讨论,指出了当前的研究难点,展望了进一步提高单晶SiC抛光效率的研究方向. 展开更多
关键词 碳化硅(SiC) 化学机械抛光(cmp) 电化学机械抛光(Ecmp) 催化辅助 固结磨粒抛光
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基于激光诱导荧光技术的化学机械抛光机理的应用研究 被引量：2
12
作者 楼飞燕 赵萍 +2 位作者 郑晓锋 袁巨龙 周兆忠 《新技术新工艺》 2008年第4期53-57,共5页
虽然化学机械抛光(CMP)技术在半导体产业中得到越来越广泛的应用,但人们对化学机械抛光加工的理解还多半停留在经验阶段,为深入研究其加工机理,引入了激光诱导荧光(LIF)检测技术,在化学机械抛光(CMP)过程中使用LIF技术对晶片下抛光液的... 虽然化学机械抛光(CMP)技术在半导体产业中得到越来越广泛的应用,但人们对化学机械抛光加工的理解还多半停留在经验阶段,为深入研究其加工机理,引入了激光诱导荧光(LIF)检测技术,在化学机械抛光(CMP)过程中使用LIF技术对晶片下抛光液的流动、混合、抛光液膜的厚度、温度、pH值进行可视化研究,从而来揭示CMP的加工机理。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 激光诱导荧光(LIF) 荧光强度
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纳米CeO2抛光料对硅晶片进行化学机械抛光的研究 被引量：1
13
作者 谭刚 《中国机械工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第z1期341-343,共3页
通过自制纳米CeO2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究了纳米CeO2抛光料对硅片的抛光效果,解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理.实验结果表明:由于纳米抛光料粒径小,切削深度小,故材料去除采用塑性流动方式.使用纳米C... 通过自制纳米CeO2超细粉体,并配制成抛光液对硅片进行化学机械抛光,研究了纳米CeO2抛光料对硅片的抛光效果,解释了纳米级抛光料的化学机械抛光原理.实验结果表明:由于纳米抛光料粒径小,切削深度小,故材料去除采用塑性流动方式.使用纳米CeO2抛光料最终在1μm的范围内达到了微观表面粗糙度Ra为0.124nm的超光滑表面,满足了产品的要求. 展开更多
关键词 纳米CeO2抛光料 化学机械抛光(cmp) 抛光机理 粗糙度
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液相外延长波碲镉汞薄膜化学机械抛光工艺研究
14
作者 王静宇 宋林伟 +4 位作者 孔金丞 吴军 洪雁 张阳 李东升 《红外技术》 CSCD 北大核心 2018年第10期925-930,共6页
基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工... 基于碲镉汞液相外延材料表面固有的宏观缺陷,采用化学机械抛光(CMP)方法对材料表面进行抛光平坦化,利用光学显微镜、白光干涉仪、激光共聚焦显微镜等分析方法对化学机械抛光前、后的材料表面进行分析表征。研究结果表明,化学机械抛光工艺能有效去除外延材料表面固有的竖纹、花纹、斜纹等宏观缺陷,同时可明显改善外延材料表面平整度及粗糙度,0.5 mm×0.5 mm范围内薄膜表面平整度值降低到20 nm以下,粗糙度值降低到4 nm以下,提高了碲镉汞外延材料表面质量。化学机械抛光后的长波材料经标准器件工艺制备出的焦平面器件可达到较好长波器件水平。 展开更多
关键词 碲镉汞(MCT) 化学机械抛光(cmp) 液相外延 粗糙度 平整度
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化学机械抛光中材料去除非均匀性及因子分析
15
作者 杜诗文 宋建军 +1 位作者 蒋名国 闫东亮 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第3期184-189,共6页
化学机械抛光中晶圆表面材料去除的非均匀性是影响抛光质量的主要因素之一。材料去除非均匀性直接影响上层布线的质量。通过对抛光垫与晶圆表面不同接触状态下的摩擦学分析,得到抛光垫与晶圆不同接触状态下摩擦系数。采用归一化摩擦系... 化学机械抛光中晶圆表面材料去除的非均匀性是影响抛光质量的主要因素之一。材料去除非均匀性直接影响上层布线的质量。通过对抛光垫与晶圆表面不同接触状态下的摩擦学分析,得到抛光垫与晶圆不同接触状态下摩擦系数。采用归一化摩擦系数方法,简化了抛光垫与晶圆之间的接触行为,并建立了基于接触机理的化学机械抛光有限元模型。分析了不同工艺参数下晶圆表面应力分布以及层间剪切应力分布规律,得到了工艺参数对表面材料去除非均匀性和低k介质层材料剥离的影响规律。采用因子设计方法分析了影响晶圆表面材料去除非均匀性的工艺参数的因素水平,为化学机械抛光工艺优化提供了理论依据。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 因子设计 有限元分析 非均匀性 应力应变分布 材料去除率
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CMP抛光垫表面及材料特性对抛光效果影响的研究进展
16
作者 梁斌 高宝红 +4 位作者 刘鸣瑜 霍金向 李雯浩宇 贺斌 董延伟 《微纳电子技术》 CAS 2024年第4期38-48,共11页
对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外... 对化学机械抛光(CMP)工艺中的抛光垫特性、劣化以及修整进行了简单阐述,重点先从抛光垫表面特性(抛光垫表面微形貌、微孔及抛光垫的结构、表面沟槽纹理的形状、微凸体的分布)和材质特性(硬度、弹性模量和化学性能)入手,对近年来国内外的实验研究与理论模拟分析两方面进行了概括,总结了目前各个特性参数对抛光垫性能以及对CMP过程影响的进展,此外,从机械磨损和化学腐蚀两方面对抛光垫的劣化机理进行简要分析。随后,为进一步探究抛光垫修整对抛光性能影响,对抛光垫的两种修整方式和修整参数对修整的效果进行了归纳,介绍了几种新型自修整材料。最后,指出了抛光垫特性和修整在发展现状中存在的问题,未来抛光垫的发展趋势将逐渐走向创新化、智能化、理论化以及应用集成化。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 抛光垫 表面特性 材质特性 修整
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CMP抛光液中SiO_(2)磨料分散稳定性的研究进展
17
作者 程佳宝 石芸慧 +6 位作者 牛新环 刘江皓 邹毅达 占妮 何潮 董常鑫 李鑫杰 《微纳电子技术》 CAS 2024年第2期25-35,共11页
对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过... 对SiO_(2)磨料在化学机械抛光(CMP)抛光液中的应用以及影响抛光液分散稳定性的因素进行了阐述,重点从SiO_(2)磨料分散稳定性的角度介绍了SiO_(2)磨料质量分数和粒径、抛光液pH值、表面活性剂种类和表面改性等对抛光液稳定性的影响,通过分析Zeta电位绝对值的范围、凝胶时间的长短、粒径随时间的变化和接触角等,总结了小粒径(35 nm左右)SiO_(2)磨料在抛光液中的分散机理,同时探讨了弱碱性环境对磨料Zeta电位的影响,阳离子、阴离子和非离子表面活性剂对磨料表面的作用机理和复配使用的效果,以及表面疏水化或亲水化改性对磨料分散稳定性的影响。最后对该领域未来的发展方向进行了展望。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) SiO_(2)磨料 表面活性剂 分散稳定性 PH值
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晶圆化学机械抛光中保持环压力的有限元分析 被引量：5
18
作者 黄杏利 傅增祥 +1 位作者 杨红艳 马彬睿 《西北工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第4期508-511,共4页
在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术。随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现"过磨(over-grinding)"现象,降低了平坦度和晶圆利用率。在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边... 在集成电路(IC)行业中,化学机械抛光(CMP)是获得全局平坦化的技术。随着晶圆直径的增加,在CMP加工过程中,晶圆边缘容易出现"过磨(over-grinding)"现象,降低了平坦度和晶圆利用率。在晶圆外部施加保持环可以把晶圆中心处和边缘处的抛光垫压平到一致高度,克服晶圆边缘的"过磨"现象。由此说明,保持环上施加的压力起着至关重要的作用。在实际中,晶圆和CMP工艺成本高,依靠实验探索CMP加工后晶圆边缘效应的规律不可行,所以保持环压力不宜通过实验方法确定,需要借助其它方法预测该压力。文中采用有限元模拟的方法分析保持环压力,得出了保持环压力与晶圆压力比值的最优值,并且研究了晶圆与保持环的间隙对最优压力的影响规律。针对不同CMP工艺,保持环压力能够迅速确定,从而提高晶圆抛光质量及利用率,降低晶圆制造成本。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 晶圆 保持环 有限元方法(FEM)
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石英光纤端面的化学机械抛光实验研究 被引量：4
19
作者 顾欣 张晨辉 +1 位作者 雒建斌 路新春 《摩擦学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期11-17,共7页
将化学机械抛光（CMP）技术引入光纤端面的加工过程并设计其抛光工艺，探讨了抛光垫和抛光液的类型、浓度及抛光压力、抛光盘的转速及抛光液的流速等参数对抛光性能的影响，设定了两步抛光的优选工艺．结果表明：在颗粒浓度为1％～2％... 将化学机械抛光（CMP）技术引入光纤端面的加工过程并设计其抛光工艺，探讨了抛光垫和抛光液的类型、浓度及抛光压力、抛光盘的转速及抛光液的流速等参数对抛光性能的影响，设定了两步抛光的优选工艺．结果表明：在颗粒浓度为1％～2％，抛光液流速为100～150mL／min，压力小于20．64kPa，抛光盘转速90r／min的条件下，可以得到较高的材料去除率和良好的抛光表面质量，其表面粗糙度Ra值可达0．326nm． 展开更多
关键词 光纤端面 光纤激光器 化学机械抛光(cmp)
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锇在甲酸体系抛光液中化学机械抛光研究 被引量：2
20
作者 梁淼 储向峰 +3 位作者 董永平 张王兵 孙文起 陈均 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第8期609-613,共5页
基于金属锇有可能成为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料,利用自制的甲酸(HCOOH)体系抛光液对金属锇进行了化学机械抛光研究,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌。采用电化学分析方法研究双氧水(H2O2)、HCOOH和苯丙三氮唑... 基于金属锇有可能成为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料,利用自制的甲酸(HCOOH)体系抛光液对金属锇进行了化学机械抛光研究,利用原子力显微镜(AFM)观察抛光后锇的表面形貌。采用电化学分析方法研究双氧水(H2O2)、HCOOH和苯丙三氮唑(BTA)对样品腐蚀效果的影响。结果表明:当抛光液中仅含H2O2时,金属锇表面腐蚀不明显;而在H2O2-HCOOH体系中,H2O2浓度的增加可使金属锇表面的腐蚀速度明显加快,但不利于金属锇表面钝化膜的形成;缓蚀剂BTA的加入促进了金属锇表面钝化膜的生成,降低了抛光速率,但同时提高了金属锇的表面质量,表面粗糙度Ra由8.0 nm降低到4.2 nm。 展开更多
关键词 化学机械抛光(cmp) 锇(Os) 甲酸 极化曲线 过氧化氢 抑制剂
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