目的:研究半导体激光联合去釉突治疗在伴有釉突的Ⅱ度根分叉病变治疗中的临床效果及其影响因素。方法:纳入存在Ⅱ型釉突的Ⅱ度根分叉病变患者24例,共48颗患牙,随机分为根面平整组(SRP组)、去釉突+SRP组(D+SRP组)、去釉突+SRP+半导体激光...目的:研究半导体激光联合去釉突治疗在伴有釉突的Ⅱ度根分叉病变治疗中的临床效果及其影响因素。方法:纳入存在Ⅱ型釉突的Ⅱ度根分叉病变患者24例,共48颗患牙,随机分为根面平整组(SRP组)、去釉突+SRP组(D+SRP组)、去釉突+SRP+半导体激光组(D+SRP+L组)。SRP组不去釉突直接行SRP;D+SRP组去除釉突后行SRP;D+SRP+L组去釉突后,联合使用半导体激光辅助SRP。分别于治疗前及治疗后4周、3个月比较3组患者的探诊深度(PD)、牙龈出血指数(BI)、牙龈退缩(GR)和附着丧失(CAL)。收集36颗存在Ⅱ型釉突的离体牙,随机分为以上3组,制备根片,原子力显微镜下观察3组的表面形态,测定表面粗糙度(Ra值);免疫荧光细胞迁移实验观察牙周膜成纤维细胞(hPDLFs)迁移能力;牙龈卟啉单胞菌培养观察菌落形态。结果:治疗后4周及3个月,牙周各指标改善情况,D+SRP+L组最显著,D+SRP组次之,SRP组最差(P<0.01)。原子力显微镜下测定各组表面粗糙度:D+SRP+L组最大,D+SRP组次之,SRP组最小。荧光显微镜下观察hPDLFs迁移细胞数目,D+SRP+L组迁移能力最高,组间差异具有统计学意义(P<0.01)。原子力显微镜下VPM(peak material volume)值,D+SRP组与SRP组相比无明显差异;而D+SRP+L组最低,与SRP组相比差异有统计学意义。3组菌层厚度无明显差异(P>0.05)。结论:半导体激光联合去釉突可以提高有釉突的Ⅱ度根分叉病变患牙的基础治疗效果。展开更多
文摘目的:研究半导体激光联合去釉突治疗在伴有釉突的Ⅱ度根分叉病变治疗中的临床效果及其影响因素。方法:纳入存在Ⅱ型釉突的Ⅱ度根分叉病变患者24例,共48颗患牙,随机分为根面平整组(SRP组)、去釉突+SRP组(D+SRP组)、去釉突+SRP+半导体激光组(D+SRP+L组)。SRP组不去釉突直接行SRP;D+SRP组去除釉突后行SRP;D+SRP+L组去釉突后,联合使用半导体激光辅助SRP。分别于治疗前及治疗后4周、3个月比较3组患者的探诊深度(PD)、牙龈出血指数(BI)、牙龈退缩(GR)和附着丧失(CAL)。收集36颗存在Ⅱ型釉突的离体牙,随机分为以上3组,制备根片,原子力显微镜下观察3组的表面形态,测定表面粗糙度(Ra值);免疫荧光细胞迁移实验观察牙周膜成纤维细胞(hPDLFs)迁移能力;牙龈卟啉单胞菌培养观察菌落形态。结果:治疗后4周及3个月,牙周各指标改善情况,D+SRP+L组最显著,D+SRP组次之,SRP组最差(P<0.01)。原子力显微镜下测定各组表面粗糙度:D+SRP+L组最大,D+SRP组次之,SRP组最小。荧光显微镜下观察hPDLFs迁移细胞数目,D+SRP+L组迁移能力最高,组间差异具有统计学意义(P<0.01)。原子力显微镜下VPM(peak material volume)值,D+SRP组与SRP组相比无明显差异;而D+SRP+L组最低,与SRP组相比差异有统计学意义。3组菌层厚度无明显差异(P>0.05)。结论:半导体激光联合去釉突可以提高有釉突的Ⅱ度根分叉病变患牙的基础治疗效果。
