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Cs3Cu2I5单晶生长与发光性质研究
1
作者 王振中 严铮洸 马林 《科学技术创新》 2024年第19期67-70,共4页
近年来发光材料已广泛应用于照明、显示和医学影像等领域。铜(Ⅰ)基卤化物因其优异的发光特性和稳定性受到广泛关注。本文报道了生长Cs_(3)Cu_(2)I_(5)单晶的方法,使用有机溶剂(DMF)以溶剂挥发法生长出3×2.4×1 mm的单晶。Cs_(... 近年来发光材料已广泛应用于照明、显示和医学影像等领域。铜(Ⅰ)基卤化物因其优异的发光特性和稳定性受到广泛关注。本文报道了生长Cs_(3)Cu_(2)I_(5)单晶的方法,使用有机溶剂(DMF)以溶剂挥发法生长出3×2.4×1 mm的单晶。Cs_(3)Cu_(2)I_(5)是一种具有零维结构的全无机铜(Ⅰ)基卤化物发光材料,晶体结构属于正交晶系Pnma空间群。Cs_(3)Cu_(2)I_(5)单晶在254 nm紫外光激发下表现出明亮的蓝色发光,光致发光峰在445 nm左右,光致发光量子产率为56.65%。此晶体光致发光具有大的斯托克斯位移(117 nm)和984.89 ns的光致发光寿命。Cs_(3)Cu_(2)I_(5)在蓝光LED方面具有应用潜力。 展开更多
关键词 铜(Ⅰ)基卤化物 单晶生长 零维结构 光致发光
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红外测温仪在碳化硅单晶生长炉中的应用
2
作者 靳丽岩 《电子工艺技术》 2024年第4期51-55,共5页
碳化硅单晶生长炉的温度监测及控制是碳化硅晶体生长工艺的关键。针对碳化硅单晶生长炉的高温测量需求及使用工况,分析了红外测温仪测温的工作原理及分类,研究了碳化硅单晶生长炉的测温结构及温度控制技术。通过引入模糊PID算法实现了... 碳化硅单晶生长炉的温度监测及控制是碳化硅晶体生长工艺的关键。针对碳化硅单晶生长炉的高温测量需求及使用工况,分析了红外测温仪测温的工作原理及分类,研究了碳化硅单晶生长炉的测温结构及温度控制技术。通过引入模糊PID算法实现了热场温度的稳定控制,经过升温测试试验,达到碳化硅工艺生长的要求。 展开更多
关键词 碳化硅 单晶生长炉 红外测温仪 高温测量
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基于8英寸的碳化硅单晶生长炉技术
3
作者 靳丽岩 王毅 +3 位作者 王宏杰 武昕彤 郭帝江 师开鹏 《电子工艺技术》 2024年第3期46-49,62,共5页
碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一。为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向。针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加... 碳化硅是制作高温、高频、大功率以及高压器件的理想材料之一。为提高生产效率并降低成本,大尺寸碳化硅衬底的制备是重要发展方向。针对8英寸碳化硅单晶生长的工艺需求,分析了碳化硅物理气相输运法生长机理,研究了碳化硅单晶生长炉的加热系统、坩埚旋转、工艺参数控制技术,通过热场模拟仿真分析和工艺试验,成功制备生长了8英寸晶体。 展开更多
关键词 碳化硅 8英寸 物理气相输运 单晶生长炉
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晶圆级立方碳化硅单晶生长取得新突破!
4
《变频器世界》 2024年第1期58-59,共2页
碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低... 碳化硅(SiC)具有宽带隙、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高热导率等优异性能,在新能源汽车、光伏和5G通讯等领域具有重要的应用。与目前应用广泛的4H-SiC相比,立方SiC(3C-SiC)具有更高的载流子迁移率(2-4倍)、低的界面缺陷态密度(低1个数量级)和高的电子亲和势(3.7eV)。利用3C-SiC制备场效应晶体管,可解决栅氧界面缺陷多导致的器件可靠性差等问题。但3C-SiC基晶体管进展缓慢,主要是缺乏单晶衬底。前期大量研究表明,3C-SiC在生长过程中很容易发生相变,已有的生长方法不能获得单一晶型的晶体。 展开更多
关键词 场效应晶体管 载流子迁移率 电子亲和势 器件可靠性 晶圆级 立方碳化硅 单晶生长 击穿场强
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(Mn,Fe)_(2)(P,Si)化合物的单晶生长及其磁性
5
作者 美娟 苏叶 伊博乐 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 2023年第3期226-230,236,共6页
Fe_(2)P型一级相变材料因其巨磁热效应和原材料丰富且低廉等特点,在室温磁制冷和磁热泵等新兴绿色环保技术领域具有良好的应用前景。在高能球磨和固相烧结法制备(Mn,Fe)_(2)(P,Si)多晶样品的基础上,通过助溶剂法生长(Mn,Fe)_(2)(P,Si)单... Fe_(2)P型一级相变材料因其巨磁热效应和原材料丰富且低廉等特点,在室温磁制冷和磁热泵等新兴绿色环保技术领域具有良好的应用前景。在高能球磨和固相烧结法制备(Mn,Fe)_(2)(P,Si)多晶样品的基础上,通过助溶剂法生长(Mn,Fe)_(2)(P,Si)单晶,研究Fe_(2)P型(Mn,Fe)_(2)(P,Si)系列化合物的单晶生长工艺。利用扫描电镜(SEM)观察单晶微观形貌,用电子能谱(EDS)对单晶的化学成分进行定量分析,研究其化学成分对经过一级磁相变之后的微观组织结构的影响。结果表明,通过优化初始成分和制备工艺,可生长具有不同Mn∶Fe和P∶Si成分比例的单晶;发现Mn_(0.7)Fe_(1.31)P_(0.72)Si_(0.30)单晶在发生一级相变时的内应力最小,经过三次一级磁相变后仍保留原有形状。磁性测量结果表明,通过改变Si和Fe含量,可将一级相变引起的热滞从60 K降到10K左右,成功调控了(Mn,Fe)_(2)(P,Si)单晶的一级相变和微观组织结构。 展开更多
关键词 (Mn Fe)_(2)(P Si)化合物 单晶生长 磁性 磁相变
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SiC单晶生长热场优化设计研究
6
作者 师开鹏 王海军 +2 位作者 武昕彤 郭帝江 靳丽岩 《中国科技期刊数据库 工业A》 2023年第5期147-150,共4页
碳化硅(SiC)作为一种具有良好物理特性的材料受到了广泛的关注,多种生长技术被应用于 SiC 单晶的生长,其中 PVT(Physical Vapor Transport)法是其中一种主流的生长方法,并且在材料研究和工业生产中都有着广泛的应用。本文针对PVT法SiC... 碳化硅(SiC)作为一种具有良好物理特性的材料受到了广泛的关注,多种生长技术被应用于 SiC 单晶的生长,其中 PVT(Physical Vapor Transport)法是其中一种主流的生长方法,并且在材料研究和工业生产中都有着广泛的应用。本文针对PVT法SiC单晶生长热场结构进行了研究,通过计算机仿真的方法,分析了上保温空腔(上保温与坩埚之间的空腔)高度对于SiC单晶生长热场的影响,结果表明:上保温空腔的存在与否对于SiC单晶生长热场影响巨大,而且空腔高度既不能太大,也不能太小,通过分析比较,获得了较优的高度值,并通过实验的方法,获得了结晶质量良好的SiC晶体。 展开更多
关键词 碳化硅 SIC PVT法 单晶生长 热场结构 保温结构
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CdGeAs_2多晶合成与单晶生长研究 被引量：6
7
作者 何知宇 赵北君 +4 位作者 朱世富 陈宝军 李佳伟 张熠 杜文娟 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第11期1195-1198,共4页
对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究．以高纯（99．9999％）As、Ge、Cd为原料，按照CdGeAs，化学计量比并适当富Cd、As配料，采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多品材料，使用改进的... 对新型中红外非线性光学材料CdGeAs2的多品合成和单品生长进行了研究．以高纯（99．9999％）As、Ge、Cd为原料，按照CdGeAs，化学计量比并适当富Cd、As配料，采用机械振荡与熔体温度振荡相结合的方法合成出CdGeAs2多品材料，使用改进的坩埚下降法生长山Ф15mm×45mm、外观完整无开裂的CdGeAs2单晶体．XRD全谱拟合精修、红外傅里叶分光光度计测试分析表明：合成的CdGeAs2晶体具有单相四方黄铜矿结构，晶格常数为a=b=0．5946nm，c=1．1217nm；生长出的CdGeAs2单晶体结构完整，结品性好，晶体的易解理面为（101）面，红外透明范围589－4250cm^-1，拟合计算出CdGeAs2晶体的禁带宽度为0．67eV． 展开更多
关键词 砷锗镉 多晶合成 单晶生长 XRD分析 红外透过谱
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半导体单晶生长过程中的位错研究 被引量：11
8
作者 张国栋 翟慎秋 +1 位作者 崔红卫 刘俊成 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期301-307,共7页
阐述了现有的半导体单晶位错模型,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况。分析了熔体法单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素,以及抑制位错增殖的措施。与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度... 阐述了现有的半导体单晶位错模型,即临界切应力模型和粘塑性模型的基本理论及应用状况。分析了熔体法单晶生长过程中影响位错产生、增殖的各种因素,以及抑制位错增殖的措施。与熔体不润湿、与晶体热膨胀系数相近的坩埚材料,低位错密度的籽晶可有效地抑制生长晶体的位错密度;固液界面的形状及晶体内的温度梯度是降低位错密度的关键控制因素,而两因素又受到炉膛温度梯度、长晶速率、气体和熔体对流等晶体生长工艺参数的影响。最后,对熔体单晶生长过程的位错研究进行了展望。 展开更多
关键词 位错密度 半导体 单晶生长 熔体法
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Ni_(52)Mn_(24)Ga_(24)金属间化合物的单晶生长和磁性功能 被引量：5
9
作者 陈京兰 胡凤霞 +5 位作者 高书侠 王中 高智勇 赵连城 宫声凯 徐惠彬 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期353-357,共5页
研究了 Ｎｉ５２Ｍｎ２４Ｇａ２４合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变．发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象．在 １．２ Ｔ磁场的作用下，可逆的相变应变达 ４％以上实现这一结果的关键条件是马氏... 研究了 Ｎｉ５２Ｍｎ２４Ｇａ２４合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变．发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象．在 １．２ Ｔ磁场的作用下，可逆的相变应变达 ４％以上实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法根据前人报道的理论模型分析了实验结果，指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的 展开更多
关键词 Ni52Mn24Ga24 磁致伸缩 形状记忆合金 单晶生长
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高温高压金刚石单晶生长界面的研究 被引量：4
10
作者 郝兆印 高春晓 +3 位作者 罗薇 邹广田 程开甲 程漱玉 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期169-174,共6页
利用扫描电镜及Ａｕｇｅｒ电子谱技术研究了高温高压下金刚石单晶生长界面的特性，观察到了金刚石单晶表面及金属膜表面的沟槽结构及金刚石－金属、金属－石墨两个主界面间的过渡层结构及界面间Ｃ原子电子组态的变化。
关键词 高温 高压 金刚石 界面 单晶生长 晶体生长
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gGaS_2单晶生长与完整性研究 被引量：6
11
作者 朱兴华 赵北君 +5 位作者 朱世富 于丰亮 邵双运 宋芳 高德友 蔡力 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期63-66,共4页
采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长... 采用二温区气相输运温度振荡方法合成了高纯单相致密的AgGaS2 多晶 ,计算出晶格常数a=5.7535nm ,c =10 .30 0 8nm ,以及S原子位置x =0 .2 79,与PDF值相差很小 ,表明其是高质量的多晶原料。以此为原料用改进Bridgman法生长出直径 15mm长度 30mm的单晶体 ,经外形观测、解理试验和X射线衍射分析表明其是结晶完整的单晶体。 展开更多
关键词 AGGAS2 多晶合成 单晶生长 二温区气相输运温度振荡方法 改进Bridgman法 结晶完整性
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碘化汞单晶生长原料的提纯 被引量：4
12
作者 李正辉 朱世富 +3 位作者 赵北君 李伟堂 银淑君 陈观雄 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1995年第3期227-231,共5页
本文报道了以升华－蒸馏法提纯碘化汞的结果。用纯化后的原料长出碘化汞单晶体，对晶体的性能进行了观测，表明采用这种方法所获得的原料适用于生长低位错密度的优质的碘化汞大单晶体，是一种行之有效的提纯方法。
关键词 碘化汞 提纯 蒸馏 半导体材料 单晶生长 原料
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BN坩埚中的AlN单晶生长 被引量：5
13
作者 李娟 胡小波 +6 位作者 姜守振 王英民 宁丽娜 陈秀芳 徐现刚 王继扬 蒋民华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期435-436,共2页
关键词 单晶生长 AIN 宽带隙半导体材料 微电子器件 GAN材料 坩埚 BN 高热导率 紫外探测器 光电子领域
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超宽禁带半导体β-Ga2O3单晶生长突破2英寸 被引量：8
14
作者 唐慧丽 何诺天 +7 位作者 罗平 郭超 李秋 吴锋 王庆国 潘星宇 刘波 徐军 《人工晶体学报》 CSCD 北大核心 2017年第12期2533-2534,共2页
氧化镓（β—Ga2O3）单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体，其禁带宽度为4．8～4．9eV，具有独特的紫外透过特性（吸收截止边～260nm）；击穿电场强度高达8MV／cm，是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍... 氧化镓（β—Ga2O3）单品是一种第四代超宽禁带氧化物半导体，其禁带宽度为4．8～4．9eV，具有独特的紫外透过特性（吸收截止边～260nm）；击穿电场强度高达8MV／cm，是si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上，巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上. 展开更多
关键词 宽禁带半导体 β-Ga2O3 单晶生长 氧化物半导体 击穿电场强度 禁带宽度 透过特性 GaN
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ZnWO_4单晶生长及其掺杂改性的研究 被引量：4
15
作者 臧竞存 田玉金 +1 位作者 何景棠 朱国义 《北京工业大学学报》 CAS CSCD 1989年第1期24-28,共5页
介绍钨酸锌单晶的生长及掺杂各种氧化物对晶体性能的影响,并对ZnWO_4:Mg,ZnWO_4:Cd,ZnWO_4:Sb,ZnWO_4:Ti,ZnWO_4:Ge,ZnWO_4:Ce晶体的发光效率进行了测定。结果表明,如果其吸收限移向高能端,相应的发光效率有所增加。
关键词 单晶生长 钨酸锌 晶体 掺杂晶体
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SiC单晶生长研究进展 被引量：3
16
作者 陈之战 施尔畏 +1 位作者 肖兵 庄击勇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第6期32-34,38,共4页
SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究... SiC单晶生长是一个引人注目的研究热点,受到各国政府、科研人员的广泛关注。本文综述了SiC单晶生长的研究进展,对目前广泛采用的PVT法进行了详细介绍,讨论了原料、籽晶、温度、温度梯度、载体气压对单晶生长和质量的影响。对今后的研究方向提出了看法。 展开更多
关键词 SIC 单晶生长 PVT法 碳化硅 半导体材料
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硅单晶生长中氩气流动对氧碳含量的影响 被引量：2
17
作者 任丙彦 张志成 +2 位作者 刘彩池 郝秋燕 王猛 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1416-1419,共4页
通过对 40 6 m m热场中氩气的流动方式及流速进行调整 ,得到了氧碳含量不同的硅单晶 ,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来 ,对实验结果进行了分析 。
关键词 氩气流动 数值模拟 氧碳含量 硅 单晶生长
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（YbTbBi）_3Fe_5O_（12）块状单晶生长及其磁光性能 被引量：3
18
作者 张志良 张守业 徐明祥 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第6期469-471,共3页
用助熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱．当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄａｙ旋转温度系数为２．０×... 用助熔剂法生长出（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２块状单晶，测量了该单晶在１．０～１．７μｍ范围的Ｆａｒａｄａｙ旋转谱及透射谱．当温度为１０～８０℃，λ＝１．５５μｍ时，测得该单晶的Ｆａｒａｄａｙ旋转温度系数为２．０×１０－２．（°）·ｍｍ－１·Ｋ－１．所得结果表明：（ＹｂＴｂＢｉ）３Ｆｅ５Ｏ１２单晶既有较大的Ｆａｒａｄａｙ旋转角。 展开更多
关键词 镱Te铋铁 石榴石 磁光晶体 单晶生长
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Er^(3+)掺杂弛豫铁电材料PMNT的单晶生长与性能表征 被引量：2
19
作者 向军涛 杜鹏 +4 位作者 罗来慧 方义权 赵学洋 胡旭波 陈红兵 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2015年第2期135-140,共6页
按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被... 按照0.71Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.26Pb Ti O3-0.03Pb(Er1/2Nb1/2)O3化学式所示组分比例,采用分步高温固相反应合成出Er3+掺杂PMNT多晶,通过熔体坩埚下降法生长出尺寸φ25 mm×100 mm的Er3+掺杂PMNT晶体,Er3+离子以三元固溶体组元方式被掺杂进入钙钛矿相铁电体晶格;测试了Er3+掺杂PMNT晶片的介电、压电与铁电性能以及上转换发光性能。结果表明,Er3+掺杂PMNT晶体呈现跟三方相纯PMNT晶体相近的介电、压电与铁电性能;在980 nm激发光作用下,该掺杂晶体呈现出Er3+离子特有的较强上转换荧光发射,并且极化后掺杂晶体的上转换发光强度得到增强。 展开更多
关键词 Er3+掺杂PMNT晶体 单晶生长 坩埚下降法 电学性能 上转换发光
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溶液蒸发法左旋葡聚糖单晶生长的研究 被引量：2
20
作者 李志鹏 丁瑞 +2 位作者 周恒为 鹿桂花 黄以能 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第11期2300-2304,共5页
根据平衡法测量左旋葡聚糖(LG)在四氢呋喃溶剂中的溶解度,以溶液蒸发法在四氢呋喃溶剂中首次生长出LG单晶,并对其生长质量进行了表征。结果表明:(1)在303 K以下温区,左旋葡聚糖在四氢呋喃溶剂中具有较小的温度系数,适用于溶液蒸发法生... 根据平衡法测量左旋葡聚糖(LG)在四氢呋喃溶剂中的溶解度,以溶液蒸发法在四氢呋喃溶剂中首次生长出LG单晶,并对其生长质量进行了表征。结果表明:(1)在303 K以下温区,左旋葡聚糖在四氢呋喃溶剂中具有较小的温度系数,适用于溶液蒸发法生长单晶;(2)生长出尺寸为0. 85 cm×0. 35 cm×0. 4 cm单晶,晶体结构为正交晶系;(3)通过金相显微镜、拉曼光谱和X射线衍射分析表明,LG单晶质量较好。 展开更多
关键词 左旋葡聚糖 溶液蒸发法 单晶生长
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