ZnSe体单晶生长技术 被引量：3

1

作者 李焕勇 介万奇 《材料导报》 EI CAS CSCD 2002年第9期7-10,共4页

简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质... 简述了ZnSe体单晶熔体生长、气相生长、溶液生长和固相再结晶技术以及ZnSe的基本理化性质,分析并认为这些基本理化性质对ZnSe单晶生长过程控制存在不同程度的影响,理解这些性质并将其应用于ZnSe晶体生长过程工艺参数的控制,对获得高质量大尺寸ZnSe单晶十分重要。分析了不同方法的工艺与相应ZnSe单晶研究现状及发展趋势。 展开更多

关键词 熔体生长 气相生长 体单晶生长技术 ZnSe晶体 硒化锌 半导体 溶液生长

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磁场直拉硅单晶生长技术的研究现状与发展 被引量：1

2

作者 张鸣剑 李润源 付宗义 《新材料产业》 2009年第6期72-75,共4页

现在是我国光伏产业重新洗牌的时期,对于直拉单晶硅设备而言,如何扩大规模和降低成本是在行业中提高竞争力的关键,研究发现在磁场环境下拉制单晶硅可以有效提高单晶硅的质量。

关键词 单晶生长技术 直拉硅 太阳能电池 半导体材料 磁场 大直径 生产工艺 集成电路

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我国砷化镓单晶生长技术取得国际领先水平

3

《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第5期392-392,共1页

关键词 单晶生长技术 砷化镓单晶 国际领先水平 液封直拉 LEC法 自主创新 有限公司

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直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术通过专家鉴定

4

《光学仪器》 2006年第2期21-21,共1页

由中国科学院半导体研究所和北京中科镓英半导体有限公司共同承担的“863项目”——直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究成果，不久前通过了专家鉴定。鉴定委员会认为，该项目研制出的晶体技术指标均达到同期国内领先、国际先进水平... 由中国科学院半导体研究所和北京中科镓英半导体有限公司共同承担的“863项目”——直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究成果，不久前通过了专家鉴定。鉴定委员会认为，该项目研制出的晶体技术指标均达到同期国内领先、国际先进水平，并且晶片加工技术指标也达到了国际先进水平。 展开更多

关键词 半绝缘砷化镓 单晶生长技术 专家鉴定 中国科学院半导体研究所 直径 国际先进水平 技术指标 研究成果 有限公司 晶片加工

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优质金刚石单晶生长技术

5

作者 曹振骏 《科技开发动态》 1995年第1期43-43,共1页

关键词 金刚石 单晶生长技术 压力场 温度场

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日开发出用于功率元件的SiC单晶生长技术

6

《现代材料动态》 2009年第1期22-23,共2页

住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si（硅）Ti（钛）等金属组成的高温熔液中制备SiC（碳化硅）单晶的熔液生长法，生长速度已接近实用水平。

关键词 单晶生长技术 SIC 功率元件 金属工业 生长速度 碳化硅

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日本产综研开发新型区熔法单晶生长技术

7

作者 杨晓婵(摘译) 《现代材料动态》 2013年第4期6-6,共1页

日本产业技术综合研究所电子光技术研究部门开发山一种新型区熔法单品生长技术（LDFZ）。即使用奇数个激光二极管（LD），将原料棒的熔融区域进行集中均匀加热，

关键词 日本产业技术综合研究所 单晶生长技术 区熔法 开发 激光二极管 均匀加热 光技术

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半绝缘砷化镓单晶生长技术取得系列进展

8

《现代材料动态》 2006年第6期19-20,共2页

由中科院半导体所和北京中科镓英半导体有限公司共同承担的“直径6英寸半绝缘砷化镓单晶生长技术研究”通过专家鉴定。

关键词 半绝缘砷化镓 单晶生长技术 专家鉴定 有限公司 半导体 中科院

原文传递

半绝缘GaAs单晶材料发展现状

9

作者 邓志杰 郑安生 俞斌才 《中国集成电路》 2002年第6期97-100,34,共5页

一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降... 一、前言 GaAs是目前工艺最成熟、生产量最大的化合物半导体材料。它具有直接跃迁较大带隙、电子迁移率高、易于制成半绝缘单晶(其电阻率可达10~9Ωcm,是理想的微波传输介质,在IC加工中不必另外制作绝缘隔离层,既简化了IC加工过程又降低了寄生电容从而更有利于提高器件工作速度)等优良性能(表1)。 展开更多

关键词 单晶生产 材料发展现状 半绝缘 晶体生长 位错密度 电阻率 工艺 单晶生长技术 晶片 加工过程

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中国科学院上海硅酸盐研究所研发成功4英寸碳化硅单晶

10

《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期256-256,共1页

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100ram（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。。

关键词 中国科学院上海硅酸盐研究所 碳化硅单晶 自主研发 单晶生长技术 大尺寸 直径 晶型

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中科院上海硅酸盐所研发出4英寸碳化硅单晶

11

《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第5期47-47,共1页

中国科学院上海硅酸盐研究所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径4英寸4H晶型碳化硅单晶，这标志着我国碳化硅单晶生长技术达到了国际一流水平。

关键词 碳化硅单晶 自主研发 上海硅酸盐所 中国科学院上海硅酸盐研究所 中科院 单晶生长技术 科技人员 直径

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上海硅酸盐研究所研发成功4英寸碳化硅单晶

12

《山东陶瓷》 CAS 2013年第2期23-23,共1页

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。

关键词 中国科学院上海硅酸盐研究所 碳化硅单晶 自主研发 单晶生长技术 大尺寸 直径 晶型

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聚光型太阳能系统用 锗衬底片产业化技术

13

《军民两用技术与产品》 2014年第1期54-55,共2页

技术开发单位 中国电子科技集团公司第四十六研究所 技术简介该研究所采用垂直梯度凝固（VGF）锗单晶生长技术制备超薄锗片，突破了4英寸超薄锗单晶片的切割、研磨、抛光、清洗、测试和封装等关键技术，

关键词 产业化技术 太阳能系统 中国电子科技集团公司 聚光型 锗 底片 单晶生长技术 垂直梯度凝固

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大尺寸低阻ZnO单晶衬底

14

《中国科技信息》 2015年第23期2-2,共1页

ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具... ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。中国科学院所属单位的科研人员研究掌握了一种生长高质量、大尺寸Zn0单晶材料的新型技术方法一化学气相传输法（CVT法），而且采用CVT法已生长出了直径32毫米和直径45毫米，4毫米厚的ZnO单晶。 展开更多

关键词 ZNO单晶 大尺寸 单晶生长技术 宽带半导体材料 大功率微波器件 化学气相传输法 衬底 低阻

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上海硅酸盐研究所研发成功4英寸碳化硅单晶

15

《功能材料信息》 2013年第1期44-44,共1页

中国科学院上海硅酸盐研究所立足自主研发，在掌握直径50．8mm（2英寸）、76．2mm（3英寸）碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径100mm（4英寸）4H晶型碳化硅单晶。碳化硅单晶正朝着大尺寸的方向迅速发展。

关键词 中国科学院上海硅酸盐研究所 碳化硅单晶 自主研发 单晶生长技术 大尺寸 直径

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新技术、新工艺、新装置

16

《新材料产业》 2006年第3期92-93,共2页

关键词 单晶生长技术 新装置 工艺 半绝缘砷化镓 中科院化学所 有机小分子 储能系统 研究成功 半导体 凝胶剂

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大尺寸低阻ZnO单晶衬底

17

《中国科技信息》 2015年第24期3-3,共1页

ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具... ZnO单晶作为一种宽带半导体材料具有许多应用潜力，如制作高效率兰色、紫外发光和探测器、新型大功率微波器件等。本成果提供一种氧化锌体单晶生长技术。作为第三代半导体的核心基础材料之一的ZnO晶体既是一种宽禁带半导体，又是一种具有优异光电性能和压电性能的多功能晶体。 展开更多

关键词 ZNO单晶 宽带半导体材料 大尺寸 大功率微波器件 衬底 低阻 单晶生长技术 宽禁带半导体

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300mm硅片技术发展现状与趋势 被引量：11

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作者 周旗钢 《电子工业专用设备》 2005年第10期1-6,共6页

综合评述了300mm硅材料在晶体生长、硅片成形、表面质量控制、衬底优化以及表征等方面的研究现状和发展趋势,特别是国内在300mm硅技术研究中所获得的一些成果。

关键词 硅材料 300MM硅片 单晶硅生长技术 技术发展现状 硅片 表面质量控制 晶体生长 综合评述 发展趋势 硅材料 硅技术 衬底

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科技信息

19

《精细化工原料及中间体》 2006年第5期52-54,共3页

青霉素钠生产新工艺；煤化工烯烃工业化试验成功；武汉开发成功水性三官能团交联剂；我国自主创新8英寸砷化镓单晶生长技术；可见光响应型太阳能电池开发成功；从家蝇体内提取“昆虫抗生素”；细菌氧化提金工艺；

关键词 科技信息 单晶生长技术 电池开发 生产新工艺 可见光响应 青霉素钠 试验成功 三官能团 自主创新 提金工艺

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磷酸钛氧钾(KTP)型晶体结构敏感性能 被引量：5

20

作者 张克从 王希敏 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第10期793-801,共9页

大量实验结果表明：由于ＫＴＰ（磷酸钛氧钾）晶体结构的多样性，通过掺质晶体生长或离子交换处理技术，可形成一系列ＫＴＰ型晶体．当掺质原子进入晶体结构后，ＫＴＰ型晶体结构与ＫＴＰ相比，会发生微小或局部的变化，这种微小或局部... 大量实验结果表明：由于ＫＴＰ（磷酸钛氧钾）晶体结构的多样性，通过掺质晶体生长或离子交换处理技术，可形成一系列ＫＴＰ型晶体．当掺质原子进入晶体结构后，ＫＴＰ型晶体结构与ＫＴＰ相比，会发生微小或局部的变化，这种微小或局部的变化往往导致了晶体宏观物理性能的变化，这种性能的变化称为ＫＴＰ型晶体结构敏感性能．结构敏感性能有时可用来调谐晶体的非线性光学性能，从而拓宽了ＫＴＰ晶体的应用范围． 展开更多

关键词 KTP型晶体 结构敏感性能 磷酸钛氧钾 晶体结构 非线性光学性能 单晶生长技术 离子交换处理

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