提出了一种在微带线下的新型缺陷地结构（DGS）,并对其性能进行了分析。将传统的DGS结构单元与新型DGS结构单元结合,采用低阻抗微带线,设计了一种超宽阻带低通滤波器。传统哑铃型DGS结构在较宽的阻带内提供衰减,新型DGS结构提供陡峭的...提出了一种在微带线下的新型缺陷地结构（DGS）,并对其性能进行了分析。将传统的DGS结构单元与新型DGS结构单元结合,采用低阻抗微带线,设计了一种超宽阻带低通滤波器。传统哑铃型DGS结构在较宽的阻带内提供衰减,新型DGS结构提供陡峭的阻带衰减响应,得到陡峭的阻带衰减和良好的阻带宽度。模拟仿真和实物测试表明,该滤波器的3 d B截止频率为1.8 GHz,插损小于1 d B,通带内S11均低于–20 d B,阻带在–20 d B以下的频段为2.9219.59 GHz。与传统DGS低通滤波器相比,其尺寸减少了32%,实现了低通滤波器的宽阻带和小型化。展开更多
文摘提出了一种在微带线下的新型缺陷地结构（DGS）,并对其性能进行了分析。将传统的DGS结构单元与新型DGS结构单元结合,采用低阻抗微带线,设计了一种超宽阻带低通滤波器。传统哑铃型DGS结构在较宽的阻带内提供衰减,新型DGS结构提供陡峭的阻带衰减响应,得到陡峭的阻带衰减和良好的阻带宽度。模拟仿真和实物测试表明,该滤波器的3 d B截止频率为1.8 GHz,插损小于1 d B,通带内S11均低于–20 d B,阻带在–20 d B以下的频段为2.9219.59 GHz。与传统DGS低通滤波器相比,其尺寸减少了32%,实现了低通滤波器的宽阻带和小型化。
