基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真...基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真。采用0.25μm栅长GaAs p HEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50Ω。ADS仿真表明,功率放大器工作在21~24.5 GHz时,该放大器的输出功率大于33 d Bm,功率附加效率大于25%,功率增益大于19 d B,电路尺寸为2.5 mm×3.2 mm。展开更多
文摘基于GaAs p HEMT在微波领域的卓越性能,设计并实现了一款K波段GaAs功率放大器电路。根据阻抗匹配电路、三级级联放大结构来实现输出功率为2 W的K波段GaAs功率放大器。采用ADS软件对电路原理图进行了电学参数优化、版图绘制和电磁场仿真。采用0.25μm栅长GaAs p HEMT工艺完成电路的设计,放大器输出输入端口均匹配到50Ω。ADS仿真表明,功率放大器工作在21~24.5 GHz时,该放大器的输出功率大于33 d Bm,功率附加效率大于25%,功率增益大于19 d B,电路尺寸为2.5 mm×3.2 mm。
